一种空穴传输材料的制备及其器件应用制造技术

本发明专利技术公开了下式结构的通式化合物：

Fabrication of a Hole Transport Material and Its Device Application

【技术实现步骤摘要】
一种空穴传输材料的制备及其器件应用
本专利技术涉及有机电致发光材料领域，具体说涉及一种新型通式化合物以及采用该类通式化合物的有机电致发光器件。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiodes,OLEDs)又称为有机电激光显示、有机发光半导体。由美籍华裔教授邓青云(ChingW.Tang)于1979年在实验室中发现。OLED显示技术具有自发光、广视角、高对比度、耗电低、响应速度快等优点。但是，作为高端显示屏，价格上也会比液晶电视要贵。其中，OLED本身具有利用有机薄膜，并将电压施于其所组成的装置上发光的固有特性，所以开发合适的有机薄膜材料一直是OLED行业的研究重点，有利于加快OLED在显示技术中的产业化进程。一般用于OLED的材料包括发光材料、辅助材料和电极材料。其中辅助材料主要包括载流子传输材料、载流子注入材料和载流子阻挡材料。不同的辅助材料在器件中所起的功能和作用不同,因此对不同的辅助材料通常具有不同的功能要求。空穴传输材料是以传输空穴为主,在OLED中,包含空穴传输材料的空穴传输层的作用是提高空穴在器件中的传输效率,并将电子阻挡在发光层内,实现本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种通式化合物，如下式(Ⅰ)所示：

【技术特征摘要】
1.一种通式化合物，如下式(Ⅰ)所示：式(Ⅰ)中：R1与R2分别独立选自C1-C12的烷基、C1-C8的烷氧基、C6-C30的取代或者未取代的芳基或或稠环芳基、C3-C30的取代或者未取代的杂环芳基或稠环杂芳基，且R1和R2可以稠合成环；R3与R4分别独立选自H、C1-C12的烷基、C1-C8的烷氧基、C6～C30的取代或者未取代的芳基或稠环芳基、C3～C30的取代或者未取代的杂环芳基或稠环杂芳基，且当R3和R4处于相邻位置时，可以稠合成环；R5选自H、取代或者未取代的C6-C30的芳基或稠环芳基、取代或者未取代的C3～C30的杂环芳基或稠环杂芳基；L选自单键，或选自C1-C12的烷基、C1～C8的烷氧基、C3～C30的取代或者未取代的亚芳基或稠环亚芳基、C3～C30的取代或者未取代的亚杂环芳基或稠环亚杂芳基；Ar1和Ar2分别独立选自取代或者未取代的C6-C30的芳基或稠环芳基、取代或者未取代的C3～C30的杂环芳基或稠环杂芳基；上述的取代基团选自卤素、C1～C10的烷基或环烷基、烯基、C1～C6的烷氧基或硫代烷氧基基团、C6～C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、含有选自N、O、S、Si的杂原子且C6～C30的单环芳烃或稠环芳烃基团。2.根据权利要求1所述的通式化合物，所述化合物选自下式(2)或式(3)：式(2)或式(3)中：R1至R5的定义、L的定义、Ar1至Ar2的定义均与在式(Ⅰ)中定义相同。3.根据权利要求2中所述的通式化合物，其中：L选自：单键、苯基、萘基、联苯基、三联苯基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、吡咯基、苯基吡啶基、吡嗪基、喹啉基、三嗪基、苯并三嗪基、苯并吡嗪基、苯并喹啉基、二苯并吡咯基、咔唑基、9-苯基咔唑基、9-萘基咔唑并咔唑基或二苯并咔唑基。Ar1和Ar2选自：苯基、苯胺基、2-联苯基、3-联苯基、4-联苯基、对-三联苯基-4-基、对-三联苯基-3-基、对-三联苯基-2-基、间-三联苯基-4-基、间-三联苯基-3-基、间-三联苯基-2-基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、菲基、茚基、1-芴基、2-芴基、3-芴基、4-芴基、9-芴基、9，9’-二烷基芴、9，9’-螺二芴、茚并芴、荧蒽基、三亚苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、苝基、基、1-并四苯基、2-并四苯基和9-并四苯基，二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基或二苯并硒吩基；R1和R2选自：甲基、苯基、联苯基、萘基或芴基，或者稠合形成芴环；R3和R4选自：H、甲基、乙基、苯基、联苯基、萘基、芴基、螺芴基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、吡咯基、苯基吡啶基、吡嗪基、喹啉基、三嗪基、苯并三嗪基、苯并吡嗪基、苯并喹啉基、二苯并吡咯基、咔唑基、9-苯基咔唑基、9-萘基咔唑并咔唑基或二苯并咔唑基...

【专利技术属性】
技术研发人员：张松，杜倩，任雪艳，
申请(专利权)人：北京鼎材科技有限公司，固安鼎材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11