基板处理方法以及基板处理装置制造方法及图纸

一种基板处理方法，包含：基板保持步骤，将具有金属膜已露出的上表面的基板保持为水平；基板旋转步骤，使所述基板绕着沿铅垂方向的旋转轴线而旋转；液膜形成步骤，将除气后的处理液供给至所述基板的上表面，由此在所述基板上形成所述处理液的液膜；以及膜厚调整步骤，以所述液膜的厚度成为100μm以上的方式来调整所述液膜的厚度。

Substrate processing method and processing device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理方法以及基板处理装置
本专利技术涉及一种处理基板的基板处理方法以及基板处理装置。在成为处理对象的基板中，例如包含有半导体晶片(wafer)、液晶显示设备用基板、有机EL(Electroluminescence；电致发光)显示设备等的FPD(FlatPanelDisplay；平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、磁光盘用基板、光掩模(photomask)用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等的基板。
技术介绍
在半导体装置或液晶显示设备等的制程中，进行从半导体晶圆或液晶显示用玻璃基板等的基板除去异物的清洗步骤。例如，在装配有晶体管(transistor)和电容器(capacitor)等器件的半导体晶片的表面形成多层配线的后段制程(BEOL：BackEndoftheLine)中，进行将通过干蚀刻(dryetching)或灰化(ashing)所产生的聚合物残渣予以除去的聚合物除去步骤。在聚合物除去步骤中，对金属配线(例如，铜配线)已露出的基板的表面供给聚合物除去液等的处理液。可是，当氧浓度比较高的处理液供给至基板时，基板上的金属配线就会因为正溶解于处理液中的氧(溶解氧)所氧化，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理方法，包含：基板保持步骤，将具有金属膜已露出的上表面的基板保持为水平；基板旋转步骤，使所述基板绕着沿铅垂方向的旋转轴线而旋转；液膜形成步骤，将除气后的处理液供给至所述基板的所述上表面，由此在所述基板上形成所述处理液的液膜；以及膜厚调整步骤，以所述液膜的厚度成为100μm以上的方式来调整所述液膜的厚度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.02.09 JP 2017-0221531.一种基板处理方法，包含：基板保持步骤，将具有金属膜已露出的上表面的基板保持为水平；基板旋转步骤，使所述基板绕着沿铅垂方向的旋转轴线而旋转；液膜形成步骤，将除气后的处理液供给至所述基板的所述上表面，由此在所述基板上形成所述处理液的液膜；以及膜厚调整步骤，以所述液膜的厚度成为100μm以上的方式来调整所述液膜的厚度。2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述膜厚调整步骤包含：以所述基板的旋转速度成为300rpm以下的方式来控制所述基板的旋转，由此调整所述液膜的厚度的步骤。3.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，所述膜厚调整步骤包含：以所述处理液的供给量成为2.0L/min以上的方式来控制所述处理液的供给量，由此调整所述液膜的厚度的步骤。4.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其中，所述液膜形成步骤包含：朝向所述基板的所述上表面的旋转中心供给所述处理液，由此形成所述液膜的步骤；所述膜厚调整步骤包含：朝向所述基板的所述上表面的旋转中心的侧方的位置供给气体，由此调整所述液膜的厚度的步骤。5.如权利要求4所述的基板处理方法，其中，所述基板的所述上表面的旋转中心的侧方的位置包含：从所述基板的所述上表面的旋转中心离开20mm的位置与从所述基板的所述上表面的旋转中心离开80mm的位置之间的位置。6.如权利要求1至5中任一项所述的基板处理方法，其中，还包含：膜厚测量步骤，测量在所述膜厚调整步骤中调整后的所述液膜的厚度。7.如权利要求6所述的基板处理方法，其中，所述膜厚调整步骤包含：基于在所述膜厚测量步骤中测量到的所述液膜的厚度来调整所述液膜的厚度的步骤。8.一种基板处理装置，包含：基板保持单元，将具有金属膜已露出的上表面的基板保持为水平；基板旋转单元，使所述基板绕着沿铅垂方向...

【专利技术属性】
技术研发人员：樋口鲇美，岩崎晃久，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本,JP