基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路及其制备方法，每个像素点电路包括一个选址TFT、一个驱动TFT、一个存储电容和量子点发光结构；所述的TFT和量子点发光结构是基于透明金属氧化物制作；所述的TFT包括电极、有源层、保护层和栅氧层；所述的有源层为ZnO薄膜。本发明专利技术的像素点电路可组成像素点电路阵列，可用于制造一种透明TFT量子点显示屏，该像素点电路阵列可以有50行50列共2500个像素点电路。本发明专利技术的透明TFT量子点显示屏成本较低，制备简易，具有优秀的电气性能，相比传统OLED显示屏具有更好的亮度和色彩对比度。

TFT-based Pixel Point Circuit of Transparent Quantum Dots with High Brightness and Its Preparation Method

【技术实现步骤摘要】
基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路及其制备方法
本专利技术涉及一种像素点电路的设计，尤其是一种基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路及其制备方法。
技术介绍
量子点显示属于创新半导体纳米晶体技术，可以准确输送光线，高效提升显示屏的色域值，让色彩更加纯净鲜艳，使色彩表现更具张力。其核心是直径在纳米级别的晶粒受到光电刺激时会根据晶粒直径的大小不同而激发出不同颜色的单色光。而透明量子点显示电路，主要包含基于透明TFT设计的像素点驱动电路和量子点显示结构。像素点驱动电路通常由个数不一的晶体管和电容构成(常见的结构有2T-1C和3T-1C)。量子点显示结构是由阴极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极等构成的层叠状的结构。现在显示器方面的主流研究和市场应用还是集中在OLED方面，对于量子点显示(QLED)的应用还只是一个起步的阶段，和OLED相比，QLED具有色域高、对比度强、寿命长等优点。而在TFT领域，目前使用氢化非晶硅(a-Si:H)作为有源层的TFT应用已经较为成熟，但金属氧化物TFT相比于氢化非晶硅TFT，拥有电子迁移率高、大面积成膜均匀性好，反本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路，其特征在于，每个像素点电路包括一个选址TFT、一个驱动TFT、一个存储电容和量子点发光结构；所述的TFT和量子点发光结构是基于透明金属氧化物制作；所述的TFT包括电极、有源层、保护层和栅氧层；所述的有源层为ZnO薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路，其特征在于，每个像素点电路包括一个选址TFT、一个驱动TFT、一个存储电容和量子点发光结构；所述的TFT和量子点发光结构是基于透明金属氧化物制作；所述的TFT包括电极、有源层、保护层和栅氧层；所述的有源层为ZnO薄膜。2.根据权利要求1所述的基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路，其特征在于，所述的透明金属氧化物为锌、锡、铜、铟、铝、钛、银或镓的其中两种或两种以上的氧化物的混合物，或者锌、锡、铜或铟的其中一种的氧化物。3.根据权利要求1所述的基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路，其特征在于，所述的量子点发光结构为层叠状结构，从最下层到上层顺序为阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极。4.根据权利要求1-3任一项所述的基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路，其特征在于，所述的像素点电路可组成像素点电路阵列，用于制造显示屏。5.根据权利要求4所述的基于TFT的具有高亮度的透明量子点的像素点电路阵列的制备方法，其特征在于，具体的制造步骤如下：(1)将玻璃衬底清洗并干燥；(2)在玻...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宁，叶志，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33