光耦合装置以及光耦合装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种光耦合装置以及光耦合装置的制造方法。本发明专利技术的目的在于不使用V型槽基板而实现在光回路的端面与光纤之间的高效率的光耦合。本发明专利技术的光耦合装置，具备光纤(11)、高NA光导波路(12、22)、具有比高NA光导波路(12、22)的另一端更大的模场直径的模场变换部(PS)、以及具有保持高NA光导波路(12、22)和模场变换部(PS)的贯通孔的毛细管(13)，在贯通孔的端部配置高NA光导波路(12、22)的另一端。

Manufacturing method of optical coupling device and optical coupling device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光耦合装置以及光耦合装置的制造方法
本专利技术涉及光耦合装置以及其制造方法。
技术介绍
已知有用于连接光元件阵列与光纤的光耦合装置(例如，参照专利文献1。)。专利文献1的光耦合装置在光回路的端面和光纤之间介入有短光纤以实现高效率的光耦合。专利文献1的光耦合装置进行使光纤与短光纤的纤芯间无间隙面接触的物理接触连接。为了使此时的光纤以及短光纤的光轴一致，专利文献1的光耦合装置在V型槽基板上固定了微型毛细管。现有技术文献专利文献1：日本专利公开公报特开2000-121871号
技术实现思路
从光模块的小型化和零件数量削减的观点来看，期望省略V型槽基板。另一方面，还要求在光回路的端面与光纤之间实现高效率的光耦合。因此，本专利技术的目的在于实现不使用V型槽基板且在光回路的端面与光纤之间的高效率的光耦合。本专利技术涉及的光耦合装置包括：光纤；高NA光导波路，具有比所述光纤更高的数值孔径；模场变换部，具有比所述高NA光导波路的另一端更大的模场直径，使所述光纤与所述高NA光导波路耦合；以及毛细管，具有保持所述高NA光导波路以及所述模场变换部的贯通孔，在所述贯通孔的端部配置所述高NA光导波路的另一端。本专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光耦合装置，其特征在于，包括：光纤；高NA光导波路，具有比所述光纤更高的数值孔径；模场变换部，具有比所述高NA光导波路的另一端更大的模场直径，使所述光纤与所述高NA光导波路耦合；以及毛细管，具有保持所述高NA光导波路以及所述模场变换部的贯通孔，所述高NA光导波路的另一端配置在所述贯通孔的端部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01.24 JP 2017-0101791.一种光耦合装置，其特征在于，包括：光纤；高NA光导波路，具有比所述光纤更高的数值孔径；模场变换部，具有比所述高NA光导波路的另一端更大的模场直径，使所述光纤与所述高NA光导波路耦合；以及毛细管，具有保持所述高NA光导波路以及所述模场变换部的贯通孔，所述高NA光导波路的另一端配置在所述贯通孔的端部。2.根据权利要求1所述的光耦合装置，其特征在于，所述高NA光导波路是使用了石英玻璃的光纤或平面光波回路(PlanarLightwaveCircuit)，所述高NA光导波路的纤芯至少包括Ta、Ge、Ti以及Zr中的一种元素。3.根据权利要求2所述的光耦合装置，其特征在于，所述高NA光导波路的所述一端与所述光纤熔融连接，所述高NA光导波路的所述一端作为所述模场变换部发挥功能。4.根据权利要求3所述的光耦合装置，其特征在于，所述模场变换部在所述高NA光导波路的包层上具有凹陷。5.根据权利要求3或4所述的光耦合装置，其特征在于，所述高NA光导波路的纤芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：中原基博，宮哲雄，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP