光电子器件和用于制造光电子器件的方法技术

光电子器件和用于制造光电子器件的方法。光电子器件（1，2，3）具有载体（4）、光电子装置（6）和灌封材料（21）。光电子装置（6）包括光电子半导体芯片（7）。光电子装置（6）布置在载体（4）的上侧（5）上面。灌封材料（21）布置在载体（4）的上侧（5）上面，使得光电子装置（6）嵌入在灌封材料（21）中。光电子装置（6）的辐射发射表面（14）不被灌封材料（21）覆盖。灌封材料（21）的表面（22）相对于载体（4）的上侧（5）构造在辐射发射表面（14）上方。

Photoelectronic Devices and Methods for Manufacturing Photoelectronic Devices

【技术实现步骤摘要】
光电子器件和用于制造光电子器件的方法
本专利技术涉及一种光电子器件以及一种用于制造光电子器件的方法。
技术介绍
由现有技术已知被设置用于在发光表面和该发光表面的环境之间产生尽可能高的亮度对比度的光电子器件。这可以例如通过在封装边缘处布置发光表面来实现。另一种可能性在于附加结构的布置。例如荫罩可以定义亮-暗界限。此外，已知使用黑色材料来提高亮度对比度。
技术实现思路
本专利技术的任务在于提供一种具有改善的亮度对比度的光电子器件，并且说明一种用于制造具有改善的亮度对比度的光电子器件的方法。该任务将通过具有权利要求1的特征的光电子器件以及通过具有权利要求4的特征的用于制造光电子器件的方法来解决。在从属权利要求中说明了有利的实施方式。光电子器件具有载体、光电子装置和灌封材料。光电子装置包括光电子半导体芯片。光电子装置布置在载体的上侧上面。灌封材料布置在载体的上侧上面，使得该光电子装置嵌入在灌封材料中。光电子装置的辐射发射表面未被灌封材料覆盖。灌封材料的表面相对于载体的上侧构造在辐射发射表面上方。有利地，相比于其辐射发射表面与灌封材料的表面位于一个平面中的光电子部件，其辐射发射表面构造在灌封材料的表面下方的光电子器件具有在辐射发射表面和辐射发射表面的环境之间的改善的亮度对比度。该优点通过以下方式实现：在辐射发射表面处发射并侧向辐射的电磁辐射可以在灌封材料处被反射。然而，也可能的是：电磁辐射必须通过灌封材料传播，由此一部分电磁辐射可以在灌封材料中被吸收。与其辐射发射表面与灌封材料表面位于一个平面中的光电子部件相比，具有降低的辐射发射表面的光电子器件的亮度对比度可以是其2倍。在一种实施方式中，光电子装置包括波长转换材料。波长转换材料布置在光电子半导体芯片上。辐射发射表面是波长转换材料的表面。有利地，波长转换材料被构造用于在波长方面修改由光电子半导体芯片发射的电磁辐射的一部分。例如，波长转换材料可以被构造用于将由光电子半导体芯片发射的蓝光转换成黄光。这使得可以由光电子器件辐射总体上白色的光。特别是当光电子装置包括波长转换材料时，可以发生电磁辐射的侧向取向的发射。为了提高亮度对比度，在这种情况下合适的是：辐射发射表面被构造在灌封材料的表面下方。在一种实施方式中，灌封材料具有嵌入的反射颗粒。有利地，通过嵌入灌封材料中的反射颗粒可以改善光电子器件的亮度对比度。这是因为可以通过灌封材料传播的电磁辐射的一部分可以在反射颗粒处被散射，从而总体上较少的电磁辐射可以从灌封材料中射出。一种用于制造光电子器件的方法具有以下方法步骤：提供载体。将光电子装置布置在载体的上侧上面，其中光电子装置包括光电子半导体芯片。将牺牲体布置在光电子装置的辐射发射表面上面。将光电子装置和牺牲体嵌入灌封材料中，其中灌封材料的表面相对于载体的上侧被构造在光电子装置的辐射发射表面上方。将牺牲体移除。有利地，如果在布置灌封材料之前将牺牲体布置在辐射发射表面上面，则辐射发射表面不被灌封材料覆盖。光电子装置和牺牲体可以嵌入灌封材料中，使得灌封材料的表面相对于载体的上侧构造在辐射发射表面上方。在一种实施方式中，布置光电子装置包括在光电子半导体芯片上布置波长转换材料。辐射发射表面由波长转换材料的表面形成。在一种实施方式中，使用由光致抗蚀剂、盐或塑料制成的薄片作为牺牲体。有利地，可以容易地去除光致抗蚀剂、盐或塑料。在一种实施方式中，牺牲体的布置包括以下方法步骤：将光致抗蚀剂布置在载体的上侧上面。对光致抗蚀剂在辐射发射表面上面的部分进行曝光。去除光致抗蚀剂的未曝光部分，其中光致抗蚀剂在辐射发射表面上方的曝光部分保留并形成牺牲体。在一种实施方式中，通过溶解或通过等离子体灰化完成牺牲体的去除。有利地，可以通过溶解过程非常容易地去除牺牲体。等离子体灰化提供可以省略使用潜在毒性溶剂的优点。在一种实施方式中，借助于水、丙酮、氢氧化钠溶液或N-甲基-2-吡咯烷酮溶解牺牲体。根据牺牲体所具有的材料，可以使用相应的溶剂。水可以用于溶解光致抗蚀剂或盐。丙酮可以作为溶剂，如果牺牲体具有塑料的话。氢氧化钠溶液和N-甲基-2-吡咯烷酮可以是针对光致抗蚀剂的合适溶剂。在一种实施方式中，牺牲体被布置成使得牺牲体的一部分横向围绕辐射发射表面。通过去除牺牲体，在辐射发射表面和灌封材料之间产生空腔。辐射发射表面和灌封材料之间的空腔提供的优点是：在空气和灌封材料之间比例如在波长转换材料和灌封材料之间存在更大的折射率差。由于该更大的折射率差，更小部分的电磁辐射可以进入到灌封材料中，由此可以改善光电子器件的亮度对比度。在一种实施方式中，牺牲体具有第一牺牲材料和第二牺牲材料。将第一牺牲材料布置在辐射发射表面上面。第二牺牲材料布置成使得其横向围绕辐射发射表面。有利地，使用第一牺牲材料和第二牺牲材料可以简化空腔的产生。在一种实施方式中，在布置第一牺牲材料之前，将第二牺牲材料布置在辐射发射表面上面。在布置第一牺牲材料时或之后，向第一牺牲材料施加压力，由此第二牺牲材料的一部分横向地溢出到辐射发射表面上面并流向载体，使得第二牺牲材料横向围绕辐射发射表面。有利地，该方法的该实施方式使得能够特别简单地产生空腔。例如，作为第一牺牲材料可以使用由光致抗蚀剂制成的薄板，而液体光致抗蚀剂可以用作第二牺牲材料。附图说明结合对实施例的以下说明将更明确和更清楚地理解本专利技术的上述特性、特征和优点以及实现它们的方式，所述实施例将结合附图详细解释。在此，分别以示意图：图1示出布置在光电子装置上的牺牲体；图2示出嵌入灌封材料中的光电子装置和牺牲体；图3示出根据第一实施方式的光电子器件；图4示出横向围绕光电子装置的辐射发射表面的牺牲体；图5示出嵌入灌封材料中的光电子装置和牺牲体；图6示出根据第二实施方式的光电子器件；图7示出由坝体横向围绕的光电子装置；图8示出嵌入光致抗蚀剂中的光电子装置；图9示出在光电子装置的辐射发射表面上面的光致抗蚀剂部分的曝光；图10示出通过曝光光致抗蚀剂产生的牺牲体；图11示出在去除光致抗蚀剂的未曝光部分之后保留在辐射发射表面上面的光致抗蚀剂的曝光部分；图12示出嵌入灌封材料中的光电子装置和通过曝光产生的牺牲体；图13示出根据第三实施方式的光电子器件。具体实施方式图1至图3分别示出用于制造根据第一实施方式的光电子器件1的方法的示意图。图1示出在执行了一些方法步骤之后的处理状态。提供了具有上侧5的载体4。载体4可以例如具有金属、半导体、半导体氧化物、玻璃或陶瓷。在载体4的上侧5上面布置有光电子装置6。光电子装置6包括光电子半导体芯片7。光电子半导体芯片7具有上侧8、下侧9和侧表面10。光电子半导体芯片7用其下侧9布置在载体4的上侧5上面。光电子半导体芯片7被构造用于在其上侧8处发射电磁辐射。光电子半导体芯片7可以例如构造成发光二极管芯片。光电子半导体芯片7具有半导体层序列。在半导体层序列内构造出有源区。在有源区内可以通过载流子重新组合产生电磁辐射。为了向光电子半导体芯片7提供用于操作的电能，必须在有源区上方和有源区下方电接触半导体层序列。为了在有源区上方电接触半导体层序列，在光电子半导体芯片7的上侧8上布置第一接触元件16。第一接触元件16借助于接合线15电连接到第二接触元件17。第二接触元件17布置在载体4的上侧5上。为了在有源本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.光电子器件（1，2，3），具有载体（4）、光电子装置（6）和灌封材料（21），其中所述光电子装置（6）包括光电子半导体芯片（7），其中所述光电子装置（6）布置在所述载体（4）的上侧（5）上面，其中所述灌封材料（21）布置在所述载体（4）的上侧（5）上面，使得所述光电子装置（6）嵌入在所述灌封材料（21）中，其中所述光电子装置（6）的辐射发射表面（14）不被所述灌封材料（21）覆盖，其中所述灌封材料（21）的表面（22）相对于所述载体（4）的上侧（5）构造在所述辐射发射表面（14）上方。

【技术特征摘要】
2018.02.27 DE 102018104381.31.光电子器件（1，2，3），具有载体（4）、光电子装置（6）和灌封材料（21），其中所述光电子装置（6）包括光电子半导体芯片（7），其中所述光电子装置（6）布置在所述载体（4）的上侧（5）上面，其中所述灌封材料（21）布置在所述载体（4）的上侧（5）上面，使得所述光电子装置（6）嵌入在所述灌封材料（21）中，其中所述光电子装置（6）的辐射发射表面（14）不被所述灌封材料（21）覆盖，其中所述灌封材料（21）的表面（22）相对于所述载体（4）的上侧（5）构造在所述辐射发射表面（14）上方。2.根据权利要求1所述的光电子器件（1，2，3），其中所述光电子装置（6）包括波长转换材料（11），其中所述波长转换材料（11）布置在所述光电子半导体芯片（7）上，其中所述辐射发射表面（14）是所述波长转换材料（11）的表面（12）。3.根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件（1，2，3），其中所述灌封材料（21）具有嵌入的反射颗粒。4.用于制造光电子器件（1，2，3）的方法，其中所述方法包括以下方法步骤：-提供载体（4），-在所述载体（4）的上侧（5）上面布置光电子装置（6），其中所述光电子装置（6）包括光电子半导体芯片（7），-在所述光电子装置（6）的辐射发射表面（14）上面布置牺牲体（18），-在灌封材料（21）中嵌入所述光电子装置（6）和所述牺牲体（18），其中所述灌封材料（21）的表面（22）相对于所述载体（4）的上侧（5）构造在所述光电子装置（6）的辐射发射表面（14）上方，-去除所述牺牲体（18）。5.根据权利要求4所述的方法，其中布置所述光电子装置（6）包括在所述光电子半导体芯片（7）上布置波长转换材料（11），其中所述辐射发射表面（14）由所述波长转换材料（11）的表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：P纳格尔，K赖因鲁贝尔，S布兰特尔，K瓦格纳，R米勒，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE