有机发光器件和有机发光显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了有机发光器件和有机发光显示装置。有机发光器件包括基板层、阳极、像素定义层、发光功能层、偏光层和封装层。所述阳极设置在所述基板层上。所述像素定义层设置在所述阳极上，所述像素定义层包括间隔设置的凸块和开口，所述开口暴露出所述阳极。所述发光功能层设置在所述像素定义层。所述偏光层设置在所述发光功能层上，以及所述封装层设置在所述偏光层上，用于封装所述偏光层和所述发光功能层，实现所述有机发光器件的偏光功能内置化、减少所述有机发光器件的厚度且利于所述有机发光器件的弯折。

Organic Light Emitting Devices and Organic Light Emitting Display Devices

【技术实现步骤摘要】
有机发光器件和有机发光显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种有机发光器件和有机发光显示装置。
技术介绍
现有有机发光显示装置包括偏光片、外挂触控模块、盖板、背板、泡棉等功能性膜层。非弯折的有机发光显示装置的整体厚度范围在1000μm和1500μm之间，整体厚度较大。可弯折的有机发光显示装置的整体厚度约500μm，整体厚度较大，并不利于弯折。故，有需要提供一种有机发光器件和有机发光显示装置，以解决现有技术存在的问题。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术的一目的在于提供有机发光器件和有机发光显示装置，其能实现所述有机发光器件的偏光功能内置化、减少所述有机发光器件的厚度且利于所述有机发光器件的弯折。为达成上述目的，提供一有机发光器件。所述有机发光器件包括基板层、阳极、像素定义层、发光功能层、偏光层和封装层。所述阳极设置在所述基板层上。所述像素定义层设置在所述阳极上，所述像素定义层包括间隔设置的凸块和开口，所述开口暴露出所述阳极。所述发光功能层设置在所述像素定义层，且至少部分所述偏光层设置在所述开口内。所述偏光层设置在所述发光功能层上。所述封装层设置在所述偏光层上，用于封装所述偏光层和所述发光功能层。于本专利技术其中的一实施例中，所述偏光层包括依次设置的第一无机层、第一偏光层、第二无机层和第二偏光层，所述第一无机层设置在所述发光功能层及所述像素定义层上，所述第一偏光层和所述第二偏光层对应所述开口设置。于本专利技术其中的一实施例中，所述第一偏光层设置在所述开口内，所述第二无机层包覆在所述第一偏光层及所述第一无机层上。于本专利技术其中的一实施例中，所述第一偏光层是圆偏光层，以及第二偏光层是线偏光层。于本专利技术其中的一实施例中，所述发光功能层包括设置在所述阳极上的有机发光层及阴极，所述阴极覆盖于所述有机发光层和所述像素定义层的所述凸块上，所述第一无机层完全包覆所述阴极。于本专利技术其中的一实施例中，所述有机发光器件还包括设置在所述凸块上的间隔物，所述第一无机层设置在所述间隔物上。于本专利技术其中的一实施例中，所述像素定义层的厚度和所述间隔物的厚度的总和大于或等于所述阳极的厚度、所述发光功能层的厚度、所述第一偏光层的厚度和所述第二偏光层的厚度的总和。于本专利技术其中的一实施例中，所述第一偏光层在所述阳极上的投影与所述第二偏光层在所述阳极上的投影部分重合。于本专利技术其中的一实施例中，所述第一偏光层和所述第二偏光层的形状均为上宽下窄的倒梯形，或者所述第一偏光层的形状为上宽下窄的倒梯形，所述第二偏光层的形状为上宽下窄的多边形。于本专利技术其中的一实施例中，所述第一偏光层是第一光配向液晶层，以及所述第二偏光层是包括染料的第二光配向液晶层。于本专利技术其中的一实施例中，所述间隔物的底部边缘的内角小于或等于所述像素定义层的底部边缘的内角。本专利技术还提供一有机发光显示装置。所述有机发光显示装置包括上述的有机发光器件和及设置在所述有机发光器件上的盖板。由于本专利技术的实施例中的所述偏光层设置在所述发光功能层上，所述封装层设置在所述偏光层上，用于封装所述偏光层和所述发光功能层，实现所述有机发光器件的偏光功能内置化、减少所述有机发光器件的厚度且利于所述有机发光器件的弯折。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：【附图说明】图1显示根据本专利技术的一实施例的有机发光器件的结构示意图；图2显示根据本专利技术的一实施例的有机发光器件的结构示意图；图3显示根据本专利技术的一实施例的有机发光器件的间隔物的截面示意图；图4显示根据本专利技术的一实施例的有机发光器件的间隔物的平面示意图；图5显示根据本专利技术的一实施例的有机发光器件的间隔物的截面示意图；图6显示根据本专利技术的一实施例的有机发光显示装置的结构示意图；图7显示根据本专利技术的一实施例的有机发光显示装置的结构示意图；图8显示根据本专利技术的一实施例的有机发光显示装置的结构示意图；图9显示根据本专利技术的一实施例的有机发光器件的制作方法的流程图；图10显示根据本专利技术的一实施例的有机发光器件的制作方法的示意图；图11显示根据本专利技术的一实施例的有机发光器件的制作方法的示意图；图12显示根据本专利技术的一实施例的有机发光器件的制作方法的示意图；图13显示根据本专利技术的一实施例的有机发光器件的制作方法的示意图；以及图14显示根据本专利技术的一实施例的有机发光器件的制作方法的示意图。【具体实施方式】为了让本专利技术的上述及其他目的、特征、优点能更明显易懂，下文将特举本专利技术优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。再者，本专利技术所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧层、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。参照图1，本专利技术的一实施例提供有机发光器件的结构示意图。本专利技术的实施例的有机发光器件100包括基板层110、阳极120、像素定义层130、发光功能层150、偏光层和封装层190。所述阳极120设置在所述基板层110上。所述像素定义层130设置在所述阳极120上，所述像素定义层130包括间隔设置的凸块131和开口132，所述开口132暴露出所述阳极120。所述发光功能层150设置在所述像素定义层130。所述偏光层设置在所述发光功能层150上，且至少部分所述偏光层设置在所述开口132内，以及所述封装层190设置在所述偏光层上，用于封装所述偏光层和所述发光功能层150，实现所述有机发光器件100的偏光功能内置化、减少所述有机发光器件100的厚度且利于所述有机发光器件100的弯折。具体地，于本专利技术其中的一实施例中，所述偏光层包括依次设置的第一无机层170、第一偏光层162、第二无机层180和第二偏光层164，所述第一无机层170设置在所述发光功能层150及所述像素定义层130上，所述第一偏光层162和所述第二偏光层164对应所述开口132设置。所述第一偏光层162设置在所述开口132内，所述第二无机层180包覆在所述第一偏光层162及所述第一无机层170上。于本专利技术其中的一实施例中，所述第一偏光层162是圆偏光层，以及第二偏光层164是线偏光层。具体地，于本专利技术其中的一实施例中，所述发光功能层150包括设置在所述阳极120上的有机发光层152及阴极154，所述阴极154覆盖于所述有机发光层152和所述像素定义层130的所述凸块131上，所述第一无机层170完全包覆所述阴极154。具体地，于本专利技术其中的一实施例中，所述有机发光器件100还包括设置在所述凸块131上的间隔物140，所述第一无机层170设置在所述间隔物140上。于本专利技术其中的一实施例中，所述像素定义层130的厚度和所述间隔物140的厚度的总和大于或等于所述阳极120的厚度、所述发光功能层150的厚度、所述第一偏光层162的厚度和所述第二偏光层164的厚度的总和。具体地，于本专利技术其中的一实施例中，所述第一偏光层162在所述阳极120上的投影与所述第二偏光层164在所述阳极120上的投影部分重合。所述第一偏光层162和所述第二偏光层164的形状均为上宽下窄的倒梯形。于本专利技术其中的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光器件，其特征在于，包括:基板层；阳极，设置在所述基板层上；像素定义层，设置在所述阳极上，所述像素定义层包括间隔设置的凸块和开口，所述开口暴露出所述阳极；发光功能层，设置在所述像素定义层；偏光层，设置在所述发光功能层上，且至少部分所述偏光层设置在所述开口内；以及封装层，设置在所述偏光层上，用于封装所述偏光层和所述发光功能层。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光器件，其特征在于，包括:基板层；阳极，设置在所述基板层上；像素定义层，设置在所述阳极上，所述像素定义层包括间隔设置的凸块和开口，所述开口暴露出所述阳极；发光功能层，设置在所述像素定义层；偏光层，设置在所述发光功能层上，且至少部分所述偏光层设置在所述开口内；以及封装层，设置在所述偏光层上，用于封装所述偏光层和所述发光功能层。2.如权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述偏光层包括依次设置的第一无机层、第一偏光层、第二无机层和第二偏光层，所述第一无机层设置在所述发光功能层及所述像素定义层上，所述第一偏光层和所述第二偏光层对应所述开口设置。3.如权利要求2所述的有机发光器件，其特征在于，所述第一偏光层设置在所述开口内，所述第二无机层包覆在所述第一偏光层及所述第一无机层上。4.如权利要求3所述的有机发光器件，其特征在于，所述第一偏光层是圆偏光层，以及第二偏光层是线偏光层。5.如权利要求2所述的有机发光器件，其特征在于，所述发光功能层包括设置在所述阳极上的发光功能层及阴极，所述阴极覆盖于所述发光功能层和所述像素定义层的所述凸块上，所述第一无机层完全包覆所述阴极。6.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：申九林，严国春，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42