图形化衬底、外延片、制作方法、存储介质及LED芯片技术

本发明专利技术涉及一种图形化衬底、外延片、制作方法、存储介质及LED芯片，所述图形化衬底应用于Micro LED，由于其本体上设置有至少一个可容置至少一部分外延过程中掉落的外延材料的容置槽。本发明专利技术所提供的图形化衬底，在MOCVD炉内高速旋转成型外延层的过程中所产生的多余外延材料，至少一部分可掉落至容置槽内，而不会残留在外延层上，改善了外延层厚度不均匀的问题，进而提高了波长均匀性，即本发明专利技术所提供的图形化衬底至少改善了波长不均匀的问题。

Graphical Substrate, Epitaxy Chip, Fabrication Method, Storage Medium and LED Chip

【技术实现步骤摘要】
图形化衬底、外延片、制作方法、存储介质及LED芯片
本专利技术涉及LED
，特别是涉及一种图形化衬底、外延片、制作方法、存储介质及LED芯片。
技术介绍
MicroLED(微型发光二极管)技术，即LED微缩化矩阵化技术，指的是在一个芯片上集成高密度微小尺寸的LED阵列；LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，MicroLED显示屏可看成是户外LED显示屏的微缩版，将像素点距离从毫米降低至微米级。MicroLED的优点非常多，它具有无机LED的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等优点，并且具有自发光无需背光源的特性，更具有节能、体积小、机构简易等优势。通常，MicroLED显示器的制作方法为：先在蓝宝石类（还有其他如SiC、Si等)的基板上通过分子束外延生长出来LED微器件，然后把LED发光微器件转移到玻璃基板上。由于制作LED微器件的蓝宝石基板尺寸基本上就是硅晶元的尺寸，而制作显示器则是尺寸大得多的玻璃基板，因此必然需要进行多次转运。因此，MicroLED的核心技术是纳米级LED的转运，而不是制作LED这个技术本身，但制作技术同样会对后续转运产生影响，比如：为方便巨量转移本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图形化衬底，应用于Micro LED，其特征在于，所述图形化衬底包括：衬底本体，所述衬底本体上设置有至少一个容置槽，所述容置槽可容置至少一部分外延过程中掉落的外延材料。

【技术特征摘要】
1.一种图形化衬底，应用于MicroLED，其特征在于，所述图形化衬底包括：衬底本体，所述衬底本体上设置有至少一个容置槽，所述容置槽可容置至少一部分外延过程中掉落的外延材料。2.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述容置槽包括：呈扇环形的第一槽体，当所述图形化衬底放置于MOCVD的载体的指定位置时，所述第一槽体的轴心线与所述载体的轴心线相同。3.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述容置槽设置有多个，多个容置槽沿所述衬底本体的中心线依次排布，且排布密度由一端向另一端依次递减。4.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述衬底本体上设置有多个支撑柱体，每两个相邻的支撑柱体之间形成有一个容置槽。5.根据权利要求1至4中任意一项所述的图形化衬底，其特征在于，所述衬底本体的上表面设置有缓冲...

【专利技术属性】
技术研发人员：林伟瀚，杨梅慧，梁邦兵，杨鑫，
申请(专利权)人：康佳集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44