光阻剥离方法及光阻剥离装置制造方法及图纸

本申请提供一种光阻剥离方法及光阻剥离装置，通过使光阻剥离后的基板经过至少一盛放第一溶液的清洗子单元处理以去除光阻剥离后的基板上的残留剥离液，以避免残留剥离液对基板上的金属造成腐蚀，改善光阻剥离过程中的金属掏空程度。

Photoresist stripping method and device

【技术实现步骤摘要】
光阻剥离方法及光阻剥离装置
本申请涉及显示器加工
，尤其涉及一种光阻剥离方法及光阻剥离装置。
技术介绍
在高世代液晶面板中，铜材料作为金属线因其阻抗低、抗电迁移能力强等优点使得其代替传统的铝材料成为趋势。现有液晶面板工艺中，因铜等金属在金属图案化过程中会使用光阻(Photoresistance，PR)，而在后续光阻剥离过程中会发生金属的腐蚀，金属的腐蚀会导致金属掏空的现象。例如，铜掏空会形成金属尖端，在后续制造工艺中不同层别的金属易发生静电(ElectroStaticDischarge，ESD)击穿现象，对产品良率造成极大影响。由于在铜等金属图案化之后，需要采用光阻剥离液将剩余的光阻去除，而光阻剥离液中含有具有胺基的有机物，具有胺基的有机物在水中发生解离，形成碱性环境进而对铜等金属进行腐蚀，形成金属掏空。因此，有必要提出一种技术方案以解决光阻剥离过程中的造成的金属掏空现象。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种光阻剥离方法及光阻剥离装置，以解决光阻剥离过程中的造成的金属掏空现象。为实现上述目的，技术方案如下：一种光阻剥离装置，所述光阻剥离装置包括：光阻剥离单元，所述光阻剥离单元用于盛装剥离液以处理待剥离光阻的基板；第一清洗单元，所述第一清洗单元包括多个清洗子单元，至少一所述清洗子单元用于盛装第一溶液，第一溶液用于与光阻剥离后的所述基板上的残留剥离液发生中和反应；其中，所述待剥离光阻的基板包括基板、形成于所述基板上的图案化的金属层以及覆盖所述图案化的金属层的光阻层。在上述光阻剥离装置中，所述剥离液为有机胺溶液，所述第一溶液为酸性溶液。在上述光阻剥离装置中，所述酸性溶液为甲酸溶液、乙酸溶液以及碳酸溶液中的至少一种。在上述光阻剥离装置中，所述酸性溶液在室温下的pH值为0-7。在上述光阻剥离装置中，所述光阻剥离装置还包括超声清洗单元，所述超声清洗单元设置于所述光阻剥离单元和所述第一清洗单元之间。在上述光阻剥离装置中，所述光阻剥离装置还包括第二清洗单元，所述第二清洗单元设置于所述光阻剥离单元和第一清洗单元之间，所述第二清洗单元用于盛装去离子水以对所述光阻剥离后的所述基板进行清洗。在上述光阻剥离装置中，所述光阻剥离装置还包括第一超声清洗单元以及第二超声清洗单元，所述第一超声清洗单元设置于所述第二清洗单元以及所述光阻剥离单元之间，所述第二超声清洗单元设置于所述第二清洗单元以及所述第一清洗单元之间。在上述光阻剥离装置中，所述光阻剥离装置还包括干燥单元，所述干燥单元包括风刀单元和低压干燥单元，所述风刀单元位于所述第一清洗单元和所述低压干燥单元之间。在上述光阻剥离装置中，所述图案化的金属层包括依次层叠于所述基板上的图案化钼层以及图案化铜层。一种光阻剥离方法，所述光阻剥离方法包括如下步骤：提供一待剥离光阻的基板，所述待剥离光阻的基板包括基板、形成于所述基板上的图案化的金属层以及覆盖所述图案化的金属层的光阻层；使所述待剥离光阻的基板经过盛装剥离液的光阻剥离单元处理以去除所述光阻层；使去除所述光阻层的所述基板经过第一清洗单元处理以去除所述基板上的残留剥离液，所述第一清洗单元包括多个清洗子单元，至少一所述清洗子单元用于盛装第一溶液，所述第一溶液用于与所述残留剥离液发生中和反应。有益效果：本申请提供一种光阻剥离方法及光阻剥离装置，通过使光阻剥离后的基板经过至少一盛放有与残留剥离液反应的第一溶液的清洗子单元处理以去除光阻剥离后的基板上的残留剥离液，以避免残留剥离液对基板上的金属造成腐蚀，改善光阻剥离过程中的金属掏空程度。进一步地，通过在第一清洗单元与光阻剥离单元之间设置超声清洗单元以进一步地提高光阻剥离装置去除残留剥离液的能力，从而进一步地减弱残留剥离液对金属的腐蚀。进一步地，通过在风刀单元之后设置低压干燥单元，对光阻剥离后的基板进一步地干燥以去除残留剥离液和水等残留物质，以改善金属的腐蚀状况。进一步地，通过在第一清洗单元和光阻剥离单元之间设置第二清洗单元，并在第二清洗单元和光阻剥离单元之间设置第一超声清洗单元，第二清洗单元和第一清洗单元设置第二超声清洗单元，以进一步地提高光阻剥离装置去除残留剥离液的能力，以改善金属的腐蚀状况，提高产品良率。进一步地，金属为铜时，能该改善铜的掏空现象，避免出现铜掏空而造成静电击穿现象。附图说明图1为本申请第一实施例光阻剥离装置的示意图；图2为本申请第二实施例光阻剥离装置的示意图；图3为本申请第三实施例光阻剥离装置的示意图；图4为本申请第四实施例光阻剥离装置的示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。本申请光阻剥离装置通过使光阻剥离后的基板经过至少一盛放第一溶液的清洗子单元处理以去除光阻剥离后的基板上的残留剥离液，以避免残留剥离液对基板上的金属造成腐蚀，改善光阻剥离过程中的金属掏空程度。以下结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。请参阅图1，其为本申请第一实施例光阻剥离装置的示意图。光阻剥离装置100包括光阻剥离单元10、第二清洗单元11、第一清洗单元12以及干燥单元。光阻剥离单元10用于盛装剥离液以处理待剥离光阻的基板。待剥离光阻的基板包括基板、形成于基板上的图案化的金属层以及覆盖图案化的金属层的光阻层。具体地，图案化的金属层包括依次层叠于基板上的图案化钼层以及图案化铜层。可以理解的是，图案化的金属层也可以为其他金属层，本申请以图案化的金属层包括依次层叠于基板上的图案化钼层以及图案化铜层为例进行说明。光阻剥离单元10包括多个光阻剥离子单元，每个光阻剥离子单元均存储有剥离液。例如，光阻剥离子单元的数目为4个，剥离液为有机胺溶液，以使光阻剥离单元10能更好地剥离待剥离的光阻。剥离液为有机胺溶液时，溶液对图案化的铜造成腐蚀，造成铜掏空现象。第二清洗单元11用于盛装去离子水以对光阻剥离后的基板进行清洗。第二清洗单元11设置于光阻剥离单元10和第一清洗单元12之间。由于光阻剥离后的基板上附着有残留剥离液，光阻剥离后的基板经过第二清洗单元11清洗后，第二清洗单元11会被带入少量的剥离液，故第二清洗单元11需要单独管控。第一清洗单元12包括多个清洗子单元，至少一清洗子单元用于盛装第一溶液，第一溶液用于与光阻剥离后的基板的上的残留剥离液发生中和反应。残留剥离液为有机胺溶液时，第一溶液为酸性溶液。多个清洗子单元可以全部盛装第一溶液，也可以只有一个清洗子单元盛装第一溶液，而其他的清洗子单元盛装去离子水，根据实际需要改善的铜掏空的改善效果调整。多个盛装第一溶液的清洗子单元可以同时设置于第二清洗单元11之后。多个清洗子单元可以是各自独立的，也可以是相互连通的。多个清洗子单元各自独立时，每个清洗子单元盛装的溶液可以不同，也可以相同，至少有一个清洗子单元盛装第一溶液。多个清洗子单元互相连通时，每个清洗子单元盛装的第一溶液相同且第一溶液在多个清洗子单元之间循环。具体地，酸性溶液为甲酸溶液、乙酸溶液以及碳酸溶液中的至少一种。优选地，酸性溶液为碳酸溶液，通过将二氧化碳气体溶于去离子水本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光阻剥离装置，其特征在于，所述光阻剥离装置包括：光阻剥离单元，所述光阻剥离单元用于盛装剥离液以处理待剥离光阻的基板；第一清洗单元，所述第一清洗单元包括多个清洗子单元，至少一所述清洗子单元用于盛装第一溶液，第一溶液用于与光阻剥离后的所述基板上的残留剥离液发生中和反应；其中，所述待剥离光阻的基板包括基板、形成于所述基板上的图案化的金属层以及覆盖所述图案化的金属层的光阻层。

【技术特征摘要】
1.一种光阻剥离装置，其特征在于，所述光阻剥离装置包括：光阻剥离单元，所述光阻剥离单元用于盛装剥离液以处理待剥离光阻的基板；第一清洗单元，所述第一清洗单元包括多个清洗子单元，至少一所述清洗子单元用于盛装第一溶液，第一溶液用于与光阻剥离后的所述基板上的残留剥离液发生中和反应；其中，所述待剥离光阻的基板包括基板、形成于所述基板上的图案化的金属层以及覆盖所述图案化的金属层的光阻层。2.根据权利要求1所述的光阻剥离装置，其特征在于，所述剥离液为有机胺溶液，所述第一溶液为酸性溶液。3.根据权利要求2所述的光阻剥离装置，其特征在于，所述酸性溶液为甲酸溶液、乙酸溶液以及碳酸溶液中的至少一种。4.根据权利要求2所述的光阻剥离装置，其特征在于，所述酸性溶液在室温下的pH值为0-7。5.根据权利要求1所述的光阻剥离装置，其特征在于，所述光阻剥离装置还包括超声清洗单元，所述超声清洗单元设置于所述光阻剥离单元和所述第一清洗单元之间。6.根据权利要求1所述的光阻剥离装置，其特征在于，所述光阻剥离装置还包括第二清洗单元，所述第二清洗单元设置于所述光阻剥离单元和第一清洗单元之间，所述第二清洗单元用于盛装去离子水以对所述光阻剥离后的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈梦，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44