一种一次成型高透高雾扩散膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种一次成型高透高雾扩散膜及其制备方法，所述扩散膜包括ABC三层结构，所述A层和C层为薄膜的表层，在表层中加入扩散开口剂母粒以达到耐温、耐划伤、扩散的效果，同时在A层和C层中加入抗静电母粒使薄膜具有抗静电性能，所述B层为中间芯层，在B层中加入的扩散母粒含有高透二氧化硅和高透有机硅扩散粉可以使薄膜具有扩散效果和高透光率效果，所述扩散膜通过三层共挤工艺制备而成。该扩散膜不会产生VOC气体、环保无污染、生产效率高、加工成本低。

A one-step forming high permeability and high fog diffusion film and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种一次成型高透高雾扩散膜及其制备方法
本专利技术涉及高分子材料加工
，更具体的说是涉及一种一次成型高透高雾扩散膜及其制备方法。
技术介绍
近年来，各种新型平板显示技术如液晶显示(LCD)、等离子显示(PDP)、有机发光显示(OLED)等正经历全球范围的迅速増长。现在的平板显示产业中，液晶显示(LCD)占据绝对的主体地位，己被广泛用于生产各种显巧产品，例如液晶电视、监视器、手机、、电脑、各种广告显示牌、导航产品等领域中，己经成为了运用最普遍、产业化程度最高、发展最成熟、发展最迅速的一种平板显示技术。目前LCD显示都采用LED作为化源，LED点化源发出的光线经过导化板之后，再通过光扩散膜转化为柔和均匀的面光源，然后通过极镜片的聚光作巧即可进入人机的视野。由此可以看出，光扩散膜在转化点光源所起到的至关重要的作用。但是，现有的扩散膜，主要通过在透明的聚酯薄膜上通过涂布的方式，将扩散粒子、抗静电剂与丙烯酸胶黏剂混合、搅拌均匀后，涂在透明的薄膜表面，从而形成扩散效果；该种生产方式需要经过两次涂布，加工成本高、材料损耗大，而且采用胶黏剂会对环境产生污染；其次，通过涂覆方式生产的扩散膜，如果表面受到刮划，扩散涂层容易脱落；其三，通过涂布的方式扩散粒子可能会分布不均，造成薄膜辉度不均匀。因此，如何提供一种不需要胶黏、不产生VOC气体、可以回收利用、生产效率高的扩散膜及其制备方法是本领域技术人员亟需解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种环保无污染、生产成本低、具有耐温、耐划、抗静电效果的一次成型高透高雾扩散膜及其制备方法。为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种一次成型高透高雾扩散膜，包括ABC三层结构，所述A层、C层为薄膜的表层，由聚酯切片、扩散开口剂母粒(KSM-21)和抗静电母粒(KJD-10)制备而成，所述B层为中间芯层，由扩散母粒(KSM-20)和聚酯切片制备而成。优选的，所述A层占扩散膜总厚度的10-20％，所述B层占扩散膜总厚度的60％-80％，所述C层占扩散膜总厚度的10-20％。优选的，所述A层和C层中各材料的添加比例为：扩散开口剂母粒(KSM-21)20％-80％，抗静电母粒(KJD-10)1％-3％，聚酯切片19％-79％。优选的，所述B层中各材料添加比例为：扩散母粒(KSM-20)10％-20％，聚酯切片80％-90％。优选的，所述扩散母粒(KSM-20)由高透二氧化硅和高透有机硅扩散粉和聚酯瓶片制备而成，所述高透二氧化硅含量为5wt％-15wt％，粒径为0.5-3μm。优选的，所述扩散开口剂母粒(KSM-21)由高透超爽滑二氧化硅粉和聚酯瓶片制备而成，所述高透超爽滑二氧化硅粉含量为1wt％-3wt％，粒径为2-4μm。优选的，所述抗静电母粒(KJD-10)由抗静电添加剂和聚酯瓶片制备而成，所述抗静电添加剂含量为5wt％-10wt％。一种一次成型高透高雾扩散膜的制备方法，包括以下步骤：通过三层共挤技术将原材料通过投料、结晶、干燥、挤出机熔融、铸片、纵拉、横拉、定型、牵引、收卷、分切、打包，且整个过程薄膜都处在净化车间中，从而得到一次成型高透高雾扩散膜。一种一次成型高透高雾扩散膜的制备方法，具体步骤如下：(1)将原料输送管道清理干净，换上15μm精度以下的过滤器，使车间各区域净化达到10000级以下；(2)将扩散母粒(KSM-20)和聚酯切片作为中间芯层原料加入到主机B层中，将扩散开口剂母粒(KSM-21)、抗静电母粒(KJD-10)和聚酯切片作为薄膜表层原料加入到辅机A层和C层中；(3)主机B层的扩散母粒(KSM-20)和聚酯切片分别经过投料、结晶和干燥；(4)将干燥后的主机B层原料和辅机中的原料通过挤出机熔融，然后过滤器过滤，经过滤之后的熔体在模头汇合，汇合之后经冷鼓冷却成铸片；(5)将铸片进行纵向拉伸，横向拉伸和定型，然后再经过牵引、收卷、分切和打包之后获得所述高透高雾扩散膜。优选的，所述步骤(3)中结晶温度为140-160℃，结晶时空气经过微米级除尘，干燥温度为140-150℃，干燥时空气经过微米级除尘。优选的，所述步骤(4)中在挤出机中熔融温度为280℃，过滤器精度为10-25μm，冷却温度为25-35℃，冷鼓区域空气经过净化。优选的，所述步骤(5)中纵向拉伸先经过MDO预热到70-80℃，在80-90℃下纵向拉伸，然后冷却到30℃，MDO空气经过净化，通过TDO横向拉伸，拉伸温度为115℃，定型温度为235-245℃.优选的，所述步骤(5)中牵引、收卷和分切过程中空气均经过净化。经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：1.本专利技术采用进口6.7米宽幅双向异步拉伸三层共挤BOPET生产线，构造上、中、下三层保护膜结构，其中上、下两层分别采用二氧化硅母粒以达到耐温、耐划伤、扩散的效果，同时在上、下层中加入耐迁移抗静电添加剂母粒使薄膜具有抗静电性能表面不易沾染灰尘等颗粒，中间层为不同粒径、不同折射率的高透二氧化硅、高透有机硅颗粒使薄膜具有扩散效果和高透光率效果。通过双向拉伸工艺一次制备出一次成型高透高雾扩散膜,通过调整拉伸比和定型温度进一步提高薄膜的耐温性，薄膜厚薄公差控制在2％以内，薄膜内外无黑点。2.本专利技术提供的扩散膜不需要凝胶、不产生VOC气体，具有生产效率高、生产成本低、环保无污染等优点。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术制备的一种一次成型高透高雾扩散膜的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例11.将5％粒径在0.5μm高透二氧化硅同有机硅扩散粉和聚酯瓶片粉混合制成扩散母粒(KSM-20)；2.将1％粒径在2μm高透超爽滑二氧化硅粉和聚酯瓶片粉混合制成扩散开口剂母粒(KSM-21)；3.将5％的抗静电剂和聚酯瓶片粉混合制成抗静电母粒(KJD-10)；4.将原料输送管道清理干净；5.换上15μm精度以下的过滤器；6.车间各区域净化达到10000级以下；7.在主机B层添加10％扩散母粒(KSM-20)和90％聚酯切片；8.在辅机A层和C层加入20％扩散开口剂母粒(KSM-21)，加入1％的抗静电母粒(KJD-10)，79％的聚酯切片；9.主机B层大有光聚酯切片和扩散母粒分别经过投料、结晶和干燥；10.结晶：结晶温度控制在140℃，结晶时空气经过微米级除尘；11.干燥：干燥温度控制在140℃，干燥时空气经过微米级除尘；12.原料通过280℃挤出机熔融；13.经过过滤器过滤；精度在10μm；14.主机B、辅机A、辅机C的熔体在模头汇合；15.经冷鼓冷却形成铸片；冷却温度在25℃；冷股区域空气经过净化；16.经过MDO预热70℃，80℃纵向拉伸；冷却30℃；MDO空气经本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种一次成型高透高雾扩散膜，其特征在于，包括ABC三层结构，所述A层、C层为薄膜的表层，由聚酯切片、扩散开口剂母粒和抗静电母粒制备而成，所述B层为中间芯层，由扩散母粒和聚酯切片制备而成。

【技术特征摘要】
1.一种一次成型高透高雾扩散膜，其特征在于，包括ABC三层结构，所述A层、C层为薄膜的表层，由聚酯切片、扩散开口剂母粒和抗静电母粒制备而成，所述B层为中间芯层，由扩散母粒和聚酯切片制备而成。2.根据权利要求1所述的一种一次成型高透高雾扩散膜，其特征在于，所述A层占扩散膜总厚度的10-20％，所述B层占扩散膜总厚度的60％-80％，所述C层占扩散膜总厚度的10-20％。3.根据权利要求1或2所述的一种一次成型高透高雾扩散膜，其特征在于，所述A层和C层中各材料的添加比例为：扩散开口剂母粒20％-80％，抗静电母粒1％-3％，聚酯切片19％-79％。4.根据权利要求1或2所述的一种一次成型高透高雾扩散膜，其特征在于，所述B层中各材料添加比例为：扩散母粒10％-20％，聚酯切片80％-90％。5.根据权利要求3所述的一种一次成型高透高雾扩散膜，其特征在于，所述扩散开口剂母粒由二氧化硅粉和聚酯瓶片粉制备而成，所述二氧化硅粉含量为1wt％-3wt％，粒径为2-4μm。6.根据权利要求3所述的一种一次成型高透高雾扩散膜，其特征在于，所述抗静电母粒由抗静电添加剂和聚酯瓶片粉制备而成，所述抗静电添加剂含量为5wt％-10wt％。7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡培隆，欧阳南平，郑菲菲，易志龙，
申请(专利权)人：浙江强盟实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33