一种用于光感屏下指纹解锁的SRF薄膜的制作方法技术

技术编号:21965790 阅读:151 留言:0更新日期:2019-08-28 00:25
本发明专利技术提高了一种用于光感屏下指纹解锁的SRF薄膜的制作方法,包括以下步骤:a.按重量比,将94‑97%水性聚氨酯和3‑6%含氟添加剂混合,得到防指纹涂液;b.按重量比,将97‑99%UV涂料和1‑3%含硅添加剂混合,得到UV涂液;c.通过一次性双面涂布工艺将防指纹涂液、UV涂液分别涂布于SRF基膜的上下面,在流平后通过UV灯照射固化涂液表面;其中,防指纹涂液固化为防指纹涂层,UV涂液固化为UV涂层;d.拉伸、收卷和分切,得到SRF薄膜半成品;e.在UV涂下表面做硅胶涂布,硅胶熟化形成硅胶层,得到SRF薄膜;最后在SRF薄膜的硅胶层下表面贴PET离型膜。由该方法制得的SRF薄膜其光学性能满足光感屏下指纹解锁的要求。

A Fabrication Method of RF Film for Fingerprint Unlocking under Photosensitive Screen

【技术实现步骤摘要】
一种用于光感屏下指纹解锁的SRF薄膜的制作方法
本专利技术涉及薄膜
,尤其涉及一种用于光感屏下指纹解锁的SRF薄膜的制作方法。
技术介绍
光感屏下指纹解锁功能已经逐渐应用智能手机中。光感屏下指纹解锁功能的原理为利用光学透射在透过不同材质反馈到手机屏幕而产生指纹识别后启动屏幕的过程。屏幕保护膜贴于手机屏幕表面,用于保护手机屏幕。但由于屏幕保护膜与原装手机屏幕的玻璃的光学性能不同,因此屏幕保护膜会影响光感屏下指纹解锁功能的使用。主要的影响因素有以下几点:(1)薄膜透光率:一般的PET的透光率和其PET切片原料有关,透光率在86%-91%之间,而PC,SRF,TAC的透光率都可以达到90%以上。(2)彩虹纹:光在透过不同的薄膜介质时会产生不同的折射,半结晶的BOPET薄膜由于双向拉伸的原因,结晶结构无法保持稳定的不变形排列而会产生彩虹纹现象,而其他材料如PC,SRF,TAC和TPU因为分子结构则不会产生彩虹纹而影响透光效果。目前市面上具有较好的光透性的材料有PC,SRF,TAC和PET。但这些材料有不同的缺陷:PC是线性分子,没有光的取向性,相位差低,光的彩虹干涉低适合指纹识别灵敏度的要求。但PC硬度低(硬度<1H),在生产中表面容易划伤而影响透光效果。SRF没有彩虹干涉,Tg点较低,相位差高,对后加工位置有要求,材料没有结晶结构,材料软和不耐刮花,受热收缩变形大不好加工。TAC优异的光学特性,但是不耐水,材料脆,表面处理与加工困难。因此,PC、SRF、TAC和普通PET均不适合单独地用作具有指纹解锁的手机保护膜。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是根据上述现有技术的不足,提供一种用于光感屏下指纹解锁的SRF薄膜的制备方法,由该方法制得的SRF薄膜其光学性能满足光感屏下指纹解锁的要求。本专利技术的技术方案如下:一种用于光感屏下指纹解锁的SRF薄膜的制备方法包括以下步骤:a.按重量比,将94-97%水性聚氨酯和3-6%含氟添加剂混合,得到防指纹涂液;b.按重量比,将97-99%UV涂料和1-3%含硅添加剂混合,得到UV涂液;c.通过一次性双面涂布工艺将防指纹涂液、UV涂液分别涂布于SRF基膜的上下面,在流平后通过UV灯照射固化涂液表面;其中,防指纹涂液固化为防指纹涂层,UV涂液固化为UV涂层;d.拉伸、收卷和分切,得到SRF薄膜半成品;e.在UV涂下表面做硅胶涂布,硅胶熟化形成硅胶层,得到SRF薄膜;最后在SRF薄膜的硅胶层下表面贴PET离型膜。进一步地,含氟添加剂为聚四氟乙烯。进一步地,UV涂料包括有亚克力单体和紫外线触发固化剂,含硅添加剂为纳米二氧化硅。进一步地,防指纹涂层的厚度为3-5um,SRF基膜的厚度为70-90um,UV涂层的厚度为2-4um,硅胶层的厚度为20-30um,PET离型膜的厚度为25-50um。与现有技术相比,本专利技术具有如下有益效果:(1)SRF基膜是PET薄膜的一种,具有BOPET一样的透光率,能满足手机保护膜的光感屏下指纹解锁的光学性能。并且,由于SRF基膜是单向流延成型,故没有BOPET那样因为双向拉伸引起分子结构的变形而造成的彩虹纹问题。(2)主要原料为水性聚氨酯的防指纹涂层,能保证SRF薄膜透光率不低于90%;并且,防指纹涂层使SRF薄膜外表面具有很好的硬度(2H/500G,JIS5600),实现抗刮花功能,解决了SRF基膜在单独应用中材质软、不耐刮花的问题;同时,防指纹涂层也让SRF薄膜外表面具有很好的抗污能力(水触角105°),实现防指纹功能;以及,防指纹涂层还能为SRF薄膜外表面产生较低的动摩擦系数(<0.1)来取得较佳的滑动操作触感。(3)含氟添加剂能够使防指纹涂层带来不粘功能,避免SRF薄膜作为屏幕保护膜时出现粘手现象。(4)UV涂层主要原料为亚克力涂料,具有高透、耐候、耐磨、耐较高温度、耐多种化学品腐蚀、表面光泽度好、易加工等优点,贴合于SRF基膜下面解决SRF基膜在单独应用时由于高相位差带来的加工损耗问题;并且,UV涂层具有较好的耐热性,涂布硅胶时UV涂层不会收缩变形,很好地解决了SRF基膜在单独应用时由于其流延成型Tg点较低在涂硅胶过程中产生的收缩变形问题。(5)含硅添加剂能提高了UV涂层与硅胶层之间的附着力;并且,硅胶层的主要成分为二氧化硅,含硅添加剂为纳米二氧化硅时,两者相互间的融合度会非常好,进一步提高了UV涂层与硅胶层之间的附着力;同时,纳米二氧化硅除了透明,也能提供较好的耐磨性和较高的硬度。(6)采用一次性双面涂布工艺进行加工,加工效率和良品率大大提高。(7)SRF薄膜的层数少,结构简单,成本低。附图说明图1是由实施例制得的SRF薄膜结构示意图。附图标记10-SRF薄膜,11-防指纹涂层,12-SRF基膜,13-UV涂层,14-硅胶层,20-PET离型膜。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述。本专利技术提供的实施例,一种用于光感屏下指纹解锁的SRF薄膜的制备方法包括以下步骤:a.按重量比,将95%水性聚氨酯和5%含氟添加剂混合,得到防指纹涂液;其中,含氟添加剂为聚四氟乙烯。b.按重量比,将98%UV涂料和2%含硅添加剂混合,得到UV涂液;其中,UV涂料包括有亚克力单体和紫外线触发固化剂,含硅添加剂为纳米二氧化硅。c.通过一次性双面涂布工艺将防指纹涂液、UV涂液分别涂布于SRF基膜的上下面,在流平后通过UV灯照射固化涂液表面;其中,防指纹涂液固化为防指纹涂层,UV涂液固化为UV涂层。d.拉伸、收卷和分切,得到SRF薄膜半成品。e.在UV涂下表面做硅胶涂布,硅胶熟化形成硅胶层,得到SRF薄膜;最后在SRF薄膜的硅胶层下表面贴PET离型膜。如图1所示,SRF薄膜10包括有从上至下依次贴合的防指纹涂层11、SRF基膜12、UV涂层13以及硅胶层14。SRF薄膜10的硅胶层13下表面贴有PET离型膜20。防指纹涂层的厚度为4um,SRF基膜的厚度为80um,UV涂层的厚度为3um,硅胶层的厚度为25um,PET离型膜的厚度为35um。SRF薄膜作为手机屏幕膜使用时:将PET离型膜撕下,将SRF薄膜的硅胶层贴于手机屏幕上。将防指纹涂层和SRF基膜进行测试,得到以下表格(一):防指纹涂层SRF基膜水触角105°70°铅笔硬度(JIS5600)2H/500GB-HB全光线透过率93%90%通过以上表格(一)可以得出以下结论:(1)SRF基膜透光率优秀,能满足手机保护膜的光感屏下指纹解锁的光学性能。(2)防指纹涂层硬度高,让SRF薄膜实现抗刮花功能,解决了SRF基膜在单独应用中材质软、不耐刮花的问题。(3)防指纹涂层水触角大,也让SRF薄膜外表面具有很好的抗污能力,实现防指纹功能。将该UV涂层和SRF基膜进行测试,得到以下表格(二):UV涂层SRF基膜铅笔硬度(JIS5600)H/500GB-HB达因值4038通过以上表格(二)可以得出以下结论:(1)UV涂层硬度和达因值较高,贴合于SRF基膜下面解决SRF基膜在单独应用时由于高相位差带来的加工损耗问题。以上所揭露的仅为本专利技术较佳实施例而已,当然不能以此来限定本专利技术的权利范围,因此依本专利技术权利要求所作的等同变化,仍属本专利技术所涵盖的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于光感屏下指纹解锁的SRF薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:a.按重量比,将94‑97%水性聚氨酯和3‑6%含氟添加剂混合,得到防指纹涂液;b.按重量比,将97‑99%UV涂料和1‑3% 含硅添加剂混合,得到UV涂液;c.通过一次性双面涂布工艺将防指纹涂液、UV涂液分别涂布于SRF基膜的上下面,在流平后通过UV灯照射固化涂液表面;其中,防指纹涂液固化为防指纹涂层,UV涂液固化为UV涂层;d.拉伸、收卷和分切,得到SRF薄膜半成品;e.在UV涂下表面做硅胶涂布,硅胶熟化形成硅胶层,得到SRF薄膜;最后在SRF薄膜的硅胶层下表面贴PET离型膜。

【技术特征摘要】
1.一种用于光感屏下指纹解锁的SRF薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:a.按重量比,将94-97%水性聚氨酯和3-6%含氟添加剂混合,得到防指纹涂液;b.按重量比,将97-99%UV涂料和1-3%含硅添加剂混合,得到UV涂液;c.通过一次性双面涂布工艺将防指纹涂液、UV涂液分别涂布于SRF基膜的上下面,在流平后通过UV灯照射固化涂液表面;其中,防指纹涂液固化为防指纹涂层,UV涂液固化为UV涂层;d.拉伸、收卷和分切,得到SRF薄膜半成品;e.在UV涂下表面做硅胶涂布,硅胶熟化形成硅胶层,得到SRF薄膜;最后在SRF薄...

【专利技术属性】
技术研发人员:余的军黄业勇
申请(专利权)人:深圳华硕新材料应用科技有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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