有源矩阵基板、具备其的X射线摄像面板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种能够抑制由偏压配线的高电阻化引起的检测不良的技术。有源矩阵基板(1)以矩阵状具备的多个检测部。多个检测部的每一个具备：光电转换层(15)、夹着光电转换层(15)的一对的第一电极(14a)及第二电极(14b)、覆盖光电转换层(15)的侧端部的绝缘膜(106)、设置在绝缘膜(106)上且对第二电极(14b)施加偏压的偏压配线(16)、以及设置在绝缘膜(106)上且覆盖偏压配线(16)的表面并包含对酸具有抗性的导电材料的保护膜(17)。第二电极(14b)的至少一部分覆盖保护膜(17)。

Active Matrix Substrate, X-ray Camera Panel with Active Matrix Substrate and Its Manufacturing Method

【技术实现步骤摘要】
有源矩阵基板、具备其的X射线摄像面板及其制造方法
本专利技术涉及一种有源矩阵基板、具备该基板的X射线摄像面板及其制造方法。
技术介绍
一直以来，在配置为矩阵状的多个区域(以下称为像素部)中具备薄膜晶体管(ThinFilmTransistor：以下，也称为“TFT”。)，在多个像素部中，已知有一种对所照射的X射线进行摄像的X射线摄像装置。在这样的X射线摄像装置中，例如，使用PIN(p-intrinsic-n)光电二极管作为将所照射的X射线转换为电荷的光电转换元件。被转换的电荷通过使各像素部的TFT动作而被读取。如此通过读取电荷，而获得X射线图像。下述专利文献1中公开了这样的X射线摄像装置。具体而言，在专利文献1中，夹着光电二极管的一对电极中的一个第一电极与TFT连接，另一个第二电极与偏压线连接。偏压线遍及各像素部中的光的入射面的整个表面而形成。现有技术文献专利文献专利文献1：特开2011-159781号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题然而，有时使用氢氟酸来去除附着在PIN光电二极管的表面的天然氧化膜。例如，在PIN光电二极管的外侧设置偏压配线且将偏压配线与上部电极连接的构成中，如果在使用氢氟酸的清洗前已经形成偏压配线，则偏压配线被暴露于氢氟酸。若偏压配线中包含对氢氟酸抗性低的铝(Al)等的金属材料，则通过清洗处理偏压配线被侧蚀，偏压配线的配线宽度变小。其结果是，偏压配线高电阻化，并发生X射线的检测不良。本专利技术的目的在于提供一种能够抑制由偏压配线的高电阻化引起的检测不良。解决问题的方案解决上述问题的本专利技术的有源矩阵基板是以矩阵状具备多个检测部的有源矩阵基板，所述有源矩阵基板包括：所述多个检测部的每一个具备：光电转换层；夹着所述光电转换层的一对第一电极以及第二电极；绝缘膜，其覆盖所述光电转换层的侧面；偏压配线，其设置在所述绝缘膜上，并对所述第二电极施加偏压；以及保护膜，其设置在所述绝缘膜上，覆盖偏压配线的表面，且包含对酸具有抗性的导电材料，所述第二电极的至少一部分覆盖所述保护膜。专利技术效果根据本专利技术，能够抑制由偏压配线的高电阻化引起的检测不良。附图说明图1是表示第一实施方式中的X射线摄像装置的示意图。图2是示出图1所示的有源矩阵基板的概略构成的示意图。图3是将图2所示的有源矩阵基板的一个像素部分放大的俯视图。图4是沿A-A线切断图3所示的像素的截面图。图5是图4的虚线框部分的放大图。图6A是表示图4所示的有源矩阵基板的制造工序，即在基板上成膜栅极绝缘膜和TFT并形成第一绝缘膜的工序的截面图。图6B是表示将图6A所示的第一绝缘膜图案化而形成第一绝缘膜的开口的工序的截面图。图6C是表示成膜图4所示的第二绝缘膜的工序的截面图。图6D是表示将图6C所示的第二绝缘膜图案化而形成第二绝缘膜的开口的工序的截面图。图6E是表示成膜作为图4所示的下部电极的金属膜的工序的截面图。图6F是表示将图6E所示的金属膜图案化而形成下部电极的工序的截面图。图6G是表示将作为图4所示的光电转换层的n型非晶态半导体层、本征非晶态半导体层以及p型非晶态半导体层成膜的工序的截面图。图6H是表示将图6G所示的n型非晶态半导体层、本征非晶态半导体层以及p型非晶态半导体层图案化而形成光电转换层的工序的截面图。图6I是表示形成图4所示的第三绝缘膜的工序的截面图。图6J是表示将图6I所示的第三绝缘膜图案化而形成第三绝缘膜的开口的工序的截面图。图6K是表示形成图4所示的第四绝缘膜的工序的截面图。图6L是表示将图6K所示的第四绝缘膜图案化而形成第四绝缘膜的开口的工序的截面图。图6M是表示成膜作为图4所示的偏压配线的金属膜的工序的截面图。图6N是表示将图6M所示的金属膜图案化而形成保护膜的工序的截面图。图6O是表示成膜作为图4所示保护膜的金属膜的工序的截面图。图6P是表示将图6O所示的金属膜图案化而形成保护膜，并用氢氟酸来清洗光电转换层的表面的工序的截面图。图6Q是表示成膜作为图4所示的上部电极的透明导电膜的工序的截面图。图6R是表示将图6Q所示的透明导电膜图案化而形成上部电极的工序的截面图。图6S是表示形成图4所示的第五绝缘膜的工序的截面图。图6T是表示形成图4所示的第六绝缘膜的工序的截面图。图7A是表示图4所示的有源矩阵基板的第二实施方式的制造工序，即在第三绝缘膜上形成第四绝缘膜的工序的截面图。图7B是表示形成图7A所示的第四绝缘膜的开口的工序的截面图。图7C是表示形成图7B所示的第三绝缘膜的开口的工序的截面图。图8A是表示图4所示的有源矩阵基板的第三实施方式的制造工序，即为表示成膜作为偏压配线的金属膜的工序的截面图。图8B是表示将图8A所示的金属膜图案化而形成偏压配线的工序的截面图。图8C是表示以覆盖图8B所示的偏压配线的方式，成膜作为保护膜的金属膜的工序的截面图。图8D是表示将图8C所示的金属膜图案化而形成保护膜的工序的截面图。图8E是表示形成图8D所示的第三绝缘膜的开口的工序的截面图。图9A是表示图4所示的有源矩阵基板的第四实施方式的制造工序，即为表示在第四绝缘膜上成膜作为偏压配线的金属膜的工序的截面图。图9B是表示将图9A所示的金属膜图案化而形成偏压配线的工序的截面图。图9C是表示成膜作为图9B所示的偏压配线的金属膜的工序的截面图。图9D是表示将图9C所示的金属膜图案化而形成保护膜的工序的截面图。图9E是表示形成图9D所示的第四绝缘膜的开口的工序的截面图。图9F是表示形成图9E所示的第三绝缘膜的开口的工序的截面图。具体实施例本专利技术的一实施方式涉及的有源矩阵基板是以矩阵状具备多个检测部的有源矩阵基板，所述有源矩阵基板包括：所述多个检测部的每一个具备：光电转换层；夹着所述光电转换层的一对的第一电极以及第二电极；绝缘膜，其覆盖所述光电转换层的侧面；偏压配线，其设置在所述绝缘膜上，并对所述第二电极施加偏压；以及保护膜，其设置在所述绝缘膜上，覆盖偏压配线的表面，且包含对酸具有抗性的导电材料，所述第二电极的至少一部分覆盖所述保护膜(第一构成)。根据第一构成，在覆盖光电转换层的侧面的绝缘膜上，设置覆盖偏压配线与偏压配线的保护膜，第二电极覆盖保护膜。保护膜包含对酸具有抗性的导电材料。由于偏压配线被保护膜覆盖，因此，即使在保护膜的形成后进行使用酸的蚀刻、清洗处理，偏压配线也不会暴露于酸，且偏压配线也不会被酸溶解。由此，能够将偏压配线保持在恒定的配线宽度，能够抑制因偏压配线的高电阻化引起的检测不良。在第一构成中，也可以是，所述偏压配线由包含铝、铜以及银中的任一种组成的金属材料构成(第二构成)。根据第二构成，偏压配线由较低的电阻的金属材料构成，因此能够提高检测性能。在第一构成中，也可以是，所述绝缘膜在所述光电转换层上具有开口，所述第二电极在所述开口中与所述光电转换层接触(第三构成)。根据第三构成，经由光电转换层上的开口，第二电极与光电转换层接触，偏压配线及保护膜没有配置在光电转换层上。因此，与在光电转换层上配置偏压配线及保护膜的情况相比，能够不使透射率降低而能提高检测精度。在第一至三构成中的任一个构成中，也可以是，所述酸包含氢氟酸(第四构成)。根据第四构成，保护膜对氢氟酸具有抗性，因此即使保护膜被暴露于氢氟酸，也不使偏压配线溶解而能够保持恒定的配线宽度。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有源矩阵基板，其为以矩阵状具备多个检测部的有源矩阵基板，所述有源矩阵基板的特征在于，所述多个检测部的每一个具备：光电转换层；一对的第一电极以及第二电极，其夹着所述光电转换层；绝缘膜，其覆盖所述光电转换层的侧面；偏压配线，其设置在所述绝缘膜上，并对所述第二电极施加偏压；以及保护膜，其设置在所述绝缘膜上，覆盖偏压配线的表面，且包含对酸具有抗性的导电材料，所述第二电极的至少一部分覆盖所述保护膜。

【技术特征摘要】
2018.02.16 JP 2018-0264631.一种有源矩阵基板，其为以矩阵状具备多个检测部的有源矩阵基板，所述有源矩阵基板的特征在于，所述多个检测部的每一个具备：光电转换层；一对的第一电极以及第二电极，其夹着所述光电转换层；绝缘膜，其覆盖所述光电转换层的侧面；偏压配线，其设置在所述绝缘膜上，并对所述第二电极施加偏压；以及保护膜，其设置在所述绝缘膜上，覆盖偏压配线的表面，且包含对酸具有抗性的导电材料，所述第二电极的至少一部分覆盖所述保护膜。2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述偏压配线由包含铝、铜以及银中的任一种组成的金属材料构成。3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述绝缘膜在所述光电转换层上具有开口，所述第二电极在所述开口中与所述光电转换层接触。4.根据权利要求1至3中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述酸包含氢氟酸。5.一种X射线摄像面板，其特征在于，包括：权利要求1至4中的任一项所述的有源矩阵基板；闪烁体，其将照射的X射线转换为闪烁光。6.一种制造方法，其为有源矩...

【专利技术属性】
技术研发人员：美崎克纪，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP