一种CdSe/CdS核冠结构纳米片及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种CdSe/CdS核冠结构纳米片及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将硫化三正辛基膦与含有有机配体以及三正辛基膦的混合溶液混合，再加入镉源混合，得到CdS前驱液；(2)将CdSe核心与有机配体以及表面活性剂混合得到混合液，向所述混合液中注入步骤(1)得到的所述CdS前驱液，在保护气氛下反应后分离产品得到所述CdSe/CdS核冠结构纳米片。所述制备方法可以修饰纳米片表面缺陷，提高材料的量子产率。

A CdSe/CdS core-crown nanosheet and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种CdSe/CdS核冠结构纳米片及其制备方法
本专利技术属于发光材料领域，涉及一种纳米片，尤其涉及一种CdSe/CdS核冠结构纳米片及其之制备方法。
技术介绍
纳米片是一种二维纳米晶材料，具有优异的发光特性。不同于传统量子点，纳米片只在厚度这个方向上表现出量子限域效应，通过调节单层层数(单层包括1层Cd原子和1层Se原子)，可以得到不同发光波长的纳米片，如：462nm(3个单层)，510nm(4个单层)，550nm(5个单层)等。由于仅在一个方向上控制纳米晶尺寸，通过控制溶液反应温度和配体种类，可以实现单层厚度的精准控制，使得制备得到的纳米片厚度分布达到原子级，从而得到半峰宽仅在8～12nm左右的发光材料，小于传统量子点半峰宽的30～40nm和量子棒的20～30nm。目前CdSe纳米片的材料结构主要分为三种：CdSe核心纳米片、CdSe/CdS核壳结构纳米片、CdSe/CdS核冠结构纳米片。CdSe核心纳米片由于表面缺陷较多，产率普遍低于30％。CdSe/CdS核壳结构纳米片，是在CdSe核心纳米片的基础上，通过在表面生长一层CdS壳层，形成异质结结构，减少表面缺陷，得到高产率的纳本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CdSe/CdS核冠结构纳米片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：(1)将硫化三正辛基膦与含有有机配体以及三正辛基膦的混合溶液混合，再加入镉源混合，得到CdS前驱液；(2)将CdSe核心与有机配体以及表面活性剂混合得到混合液，向所述混合液中注入步骤(1)得到的所述CdS前驱液，在保护气氛下反应后分离产品得到所述CdSe/CdS核冠结构纳米片。

【技术特征摘要】
1.一种CdSe/CdS核冠结构纳米片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：(1)将硫化三正辛基膦与含有有机配体以及三正辛基膦的混合溶液混合，再加入镉源混合，得到CdS前驱液；(2)将CdSe核心与有机配体以及表面活性剂混合得到混合液，向所述混合液中注入步骤(1)得到的所述CdS前驱液，在保护气氛下反应后分离产品得到所述CdSe/CdS核冠结构纳米片。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述硫化三正辛基膦与含有三正辛基膦和有机配体的混合溶液的体积比为0.05～0.20:1，优选为0.1:1；优选地，步骤(1)所述有机配体和三正辛基膦的体积比为0.2～5:1，优选为1:1；优选地，步骤(1)所述镉源与硫化三正辛基膦的质量比为0.5～1.5:1，优选为1:1。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述CdSe核心为CdSe核心的正己烷溶液；优选地，所述CdSe核心的正己烷溶液的浓度为3～5mg/mL；优选地，所述CdSe核心在512nm处的吸收为0.4～0.6。4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述CdSe核心的制备方法包括：将第一镉源、硒粉以及有机配体混合，在保护气氛下升温至190～200℃加入第二镉源，继续升温至235～245℃反应，反应结束后加入表面活性剂，分离产品得到所述CdSe核心。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述硒粉的目数为100～300目，优选为200目；优选地，第一镉源与硒源的质量比为10～50:1，优选为15:1；优选地，所述第一镉源与有机配体的质量比为5～30:1；优选地，所述第一镉源与第二镉源...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙小卫，王恺，温佐良，张超键，
申请(专利权)人：深圳扑浪创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44