半桥驱动无死区控制方法、控制装置及充电设备制造方法及图纸

一种半桥驱动无死区控制方法、控制装置及充电设备，应用于同步整流DC/DC转换器，该方法包括：在BUCK模式，用高频PWM信号驱动降压MOS管和续流MOS管工作在开关状态；用低频PWM信号驱动升压MOS管工作在近似完全关断状态、以及驱动整流MOS管工作在近似完全导通状态；在BOOST模式，用低频PWM信号驱动降压MOS管工作在近似完全导通状态、以及驱动续流MOS管工作在近似完全关断状态；用高频PWM信号驱动升压MOS管和整流MOS管工作在开关状态。该控制装置可实现上述方法中的步骤，包括存储模块及MCU处理模块。该充电设备包括该控制装置。本发明专利技术可提高转换器的转换效率，且不增加电路的复杂度。

Half-Bridge Drive Dead-Zone Control Method, Control Device and Charging Equipment

【技术实现步骤摘要】
半桥驱动无死区控制方法、控制装置及充电设备
本专利技术涉及同步整流DC/DC转换器的控制方法及装置，尤其涉及一种应用于应用于BUCK-BOOST拓扑结构的同步整流DC/DC转换器的半桥驱动无死区控制方法、控制装置、及采用该控制装置的充电设备。
技术介绍
BUCK-BOOST拓扑结构的同步整流DC/DC转换器，具有输入电压和输出电压范围都较宽的特点，通常应用在智能充电设备、数字电源等。图1示出了一种充电设备的框图，其中包括输入接口1、输出接口13、连接在输入接口1和输出接口13之间的同步整流DC/DC转换器10、第一电压传感器2、第二电压传感器12、电流传感器11、MCU处理模块14，MCU处理模块14包括ADC(模数转换)单元15、PWM(脉宽调制)控制器单元16，同步整流DC/DC转换器10包括降压MOS管3、续流MOS管5、电感6、升压MOS管8、整流MOS管9、MOS半桥驱动单元4，图1中7为地。实际应用中，充电设备的输入电压范围为10至48V,输出电压范围为5V至62V，输出电压和电流均可以调整，可以方便地为不同参数的电池实现高效率的可靠充电管理。其工作过程如下：BUCK模式本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半桥驱动无死区控制方法，应用于BUCK‑BOOST拓扑结构的同步整流DC/DC转换器，其特征在于，所述半桥驱动无死区控制方法包括以下步骤：在BUCK模式，用高频PWM信号驱动降压MOS管和续流MOS管工作在开关状态；用低频PWM信号驱动升压MOS管工作在近似完全关断状态、以及驱动整流MOS管工作在近似完全导通状态；在BOOST模式，用低频PWM信号驱动降压MOS管工作在近似完全导通状态、以及驱动续流MOS管工作在近似完全关断状态；用高频PWM信号驱动升压MOS管和整流MOS管工作在开关状态。

【技术特征摘要】
1.一种半桥驱动无死区控制方法，应用于BUCK-BOOST拓扑结构的同步整流DC/DC转换器，其特征在于，所述半桥驱动无死区控制方法包括以下步骤：在BUCK模式，用高频PWM信号驱动降压MOS管和续流MOS管工作在开关状态；用低频PWM信号驱动升压MOS管工作在近似完全关断状态、以及驱动整流MOS管工作在近似完全导通状态；在BOOST模式，用低频PWM信号驱动降压MOS管工作在近似完全导通状态、以及驱动续流MOS管工作在近似完全关断状态；用高频PWM信号驱动升压MOS管和整流MOS管工作在开关状态。2.根据权利要求1所述的半桥驱动无死区控制方法，其特征在于：所述低频PWM信号的频率小于10Hz。3.根据权利要求1所述的半桥驱动无死区控制方法，其特征在于：所述低频PWM信号的频率介于0.03Hz至2Hz之间。4.一种半桥驱动无死区控制装置，应用于BUCK-BOOST拓扑结构的同步整流DC/D...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏武，文绍喜，彭兴国，
申请(专利权)人：深圳市永航新能源技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44