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电介质谐振器和电介质滤波器制造技术

技术编号:21897410 阅读:44 留言:0更新日期:2019-08-17 16:44
本发明专利技术的电介质滤波器包括多个电介质谐振器。本发明专利技术的电介质滤波器包括:多个谐振器主体,其由具有第一相对介电常数的第一电介质构成并对应于多个电介质谐振器;周围电介质部,其由具有小于第一相对介电常数的第二相对介电常数的第二电介质构成并存在于多个谐振器主体部的周围;以及由导体构成的屏蔽部。25~85℃下的第一电介质的谐振频率的温度系数和第二电介质的谐振频率的温度系数中的一个为正值而另一个为负值。

Dielectric Resonator and Dielectric Filter

【技术实现步骤摘要】
电介质谐振器和电介质滤波器
本专利技术涉及电介质谐振器、以及包括多个电介质谐振器的电介质滤波器。
技术介绍
目前,第五代移动通信系统(以下称为5G)正在标准化。在5G中,为了扩展频带,正在研究10GHz以上的频带,特别是10~30GHz的准毫米波段或30~300GHz的毫米波段的利用。通信装置中使用的电子部件有包括多个谐振器的带通滤波器。包括多个电介质谐振器的电介质滤波器有望用作10GHz以上频带的带通滤波器。通常,电介质谐振器包括:由电介质构成的谐振器主体部、存在于谐振器主体部周围的周围电介质部以及屏蔽部。周围电介质部由相对介电常数低于构成谐振器主体部的电介质构成。屏蔽部以周围电介质部的至少一部分介于谐振器主体部和屏蔽部之间的方式配置在谐振器主体部的周围,并且具有限制电磁场的功能。日本专利申请公开2006-238027号公报中记载了一种电介质滤波器,其包括:电介质基体、埋设在电介质基体中的多个电介质谐振器以及外导体膜。外导体膜覆盖电介质基体的外表面的一部分。日本专利申请公开2006-238027号公报中的多个电介质谐振器中的每一个对应于上述谐振器主体部。日本专利申请公开2006-2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电介质谐振器,其特征在于,具备:谐振器主体部,其由具有第一相对介电常数的第一电介质构成;周围电介质部,其由具有小于所述第一相对介电常数的第二相对介电常数的第二电介质构成,并存在于所述谐振器主体部周围;以及由导体构成的屏蔽部,所述屏蔽部以所述周围电介质部的至少一部分介于所述谐振器主体部和所述屏蔽部之间的方式配置在所述谐振器主体部的周围,25~85℃下的所述第一电介质的谐振频率的温度系数和25~85℃下的所述第二电介质的谐振频率的温度系数中的一个为正值且另一个为负值。

【技术特征摘要】
2018.02.09 JP 2018-0218441.一种电介质谐振器,其特征在于,具备:谐振器主体部,其由具有第一相对介电常数的第一电介质构成;周围电介质部,其由具有小于所述第一相对介电常数的第二相对介电常数的第二电介质构成,并存在于所述谐振器主体部周围;以及由导体构成的屏蔽部,所述屏蔽部以所述周围电介质部的至少一部分介于所述谐振器主体部和所述屏蔽部之间的方式配置在所述谐振器主体部的周围,25~85℃下的所述第一电介质的谐振频率的温度系数和25~85℃下的所述第二电介质的谐振频率的温度系数中的一个为正值且另一个为负值。2.根据权利要求1所述的电介质谐振器,其特征在于,25~85℃下的所述电介质谐振器的谐振频率的温度系数的绝对值小于所述25~85℃下的第一电介质的谐振频率的温度系数的绝对值和所述25~85℃下的第二电介质的谐振频率的温度系数的绝对值。3.根据权利要求1所述的电介质谐振器,其特征在于,25~85℃下的所述电介质谐振器的谐振频率的温度系数的绝对值为33ppm/℃以下。4.根据权利要求1所述的电介质谐振器,其特征在于,25~85℃下的所述电介质谐振器的谐振频率的温度系数的绝对值为10ppm/℃以下。5.根据权利要求1所述的电介质谐振器,其特征在于,所述谐振器主体部不与所述屏蔽部接触。6.一种电介质滤波器,其特征在于,是包含多个电介质谐振器的电介质滤波器,具备:多个谐振器主体,其分别由具有第一相对介电常数的第一电介质构成,并对应于所述多个电介质谐振器;周围电介质部,其由具有小于所述第一相对介电常数的第二相对介电常数的第二电介质构成,并存在于所述多个谐振器主体部的周围;以及由导体构成的屏蔽部,所述屏蔽部以所述周围电介质部的至少一部分介于所述多个谐振器主体部和所述屏蔽部之间的方式配置在所述多个谐振器主体部的周围,所述多个电介质谐振器的每一个由与其对应的所述多个谐振器主体部中的一个、所述周围电介质部的至少一部分以及所述屏蔽部构成,25~85℃下的所述第一电介质的谐振频率的温度系数和25~85℃下的所述第二电介质的谐振频率的温度系数中的一个为正值且另一个为负值。7.根据权利要求6所述的电介质滤波器,其特征在于,所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:芦田裕太户莳重光二俣阳介高根晋宫内泰治木村一成
申请(专利权)人:TDK株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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