放射线检测器制造技术

本实施方式涉及放射线检测器，其具有可抑制在溴化铊结晶体中的极化和抑制在大气中的电极的腐蚀的构造。该放射线检测器具备：第1电极，第2电极，和设置于第1及第2电极之间的溴化铊结晶体。第1电极及第2电极的至少一者具有合金层(12)。合金层由金属铊与和该金属铊不同的其他金属的合金构成。

Radiation Detector

【技术实现步骤摘要】
放射线检测器本申请是申请日为2017年6月19日、申请号为201780002213.X、专利技术名称为放射线检测器的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及放射线检测器。
技术介绍
放射线检测器为检测X射线或伽玛射线等的放射线的装置，可适用于PET(PositronEmissionTomography，正电子发射断层扫描)装置、SPECT(SinglePhotonEmissionComputedTomography，单光子发射计算机断层显像)装置、伽玛相机、康普顿相机及成像分光计等。作为放射线检测器，已知有使用铊卤化物结晶(例如，溴化铊、碘化铊、氯化铊及它们的混晶)的例。作为一例，已知有具有于第1电极与第2电极之间设置溴化铊(TlBr)结晶体的平行平板状的构成的检测器(参照专利文献1、2)。第1电极及第2电极的中一者作为阳极电极使用，而另一者作为阴极电极而使用。使用TlBr结晶体的放射线检测器可廉价且容易地制造，具有灵敏度高的优点。然而，在第1电极与第2电极之间，为了控制电场或为了将电场静电屏蔽，有时进一步设置一个以上的电极。在专利文献1、2所述的放射线检测器的第1电极及第2电极中，应用了仅由铊(Tl)作为构成金属构成的铊电极。通过使用铊电极，而抑制TlBr结晶体的极化，因此认为可进行放射线检测器的长期稳定动作。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第5083964号公报专利文献2：日本特开2006-80206号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题专利技术人对现有的放射线检测器进行了研究，结果发现如以下的技术问题。即，在应用TlBr结晶体的放射线检测器中，使用铊电极作为第1电极及第2电极时，该铊电极在大气中急速腐蚀，从而该放射线检测器的特性产生劣化。这种情况在铊电极上例如蒸镀形成金等的金属层的情况下也会产生。为了抑制该劣化(电极的腐蚀)，有必要通过在制作放射线检测器之后以树脂等封闭铊电极，而使耐湿性提升，同时，防止氧化或大气气氛的反应。但，例如，在将放射线检测器作为2维检测器安装于读出电路基板上的情况下，由于由树脂进行的封闭，无法得到放射线检测器的电极与读出电路基板的垫片之间的电导通。此情况会妨碍适用TlBr结晶体的放射线检测器的实用化。本专利技术是为了解决如上述的技术问题而作出的，其目的为：提供一种放射线检测器，具备用于有效地抑制由TlBr结晶体的极化引起的检测器特性的劣化并且有效地抑制在大气中的电极的腐蚀的构造。用于解决技术问题的手段有关本实施方式的放射线检测器，作为其一个方式，具备：相互相对配置的第1及第2电极，和配置于该第1及第2电极之间的溴化铊(TlBr)结晶体。溴化铊结晶体具有第1电极被设置于其上的第1电极设置面，和第2电极被设置于其上的第2电极设置面，且第1及第2电极设置面相互相对配置。在如此的构成中，第1及第2电极之中至少第1电极包含具有相互相对配置的第1及第2层面的合金层，且以使第2层面与第1电极设置面夹持第1层面的方式配置。另外，合金层由将金属铊作为金属元素构成的合金构成，而该合金由该金属铊和与该金属铊不同的1种以上的其他金属构成。第2电极也可以具有与第1电极同一层构造。此情况下，自第2电极侧看第2电极设置面时的该第2电极的构造(例如层构造)与自第1电极侧看第1电极设置面时的该第1电极的构造(例如层构造)一致。但在本实施方式中，关于层的种类、层的数量等，也可适用第1电极的层构造与第2电极的层构造不同的方式。专利技术效果本实施方式的放射线检测器能够抑制由TlBr结晶的极化引起的检测器特性的劣化，并且可抑制在大气中的电极的腐蚀。附图说明图1是显示有关第1实施方式的放射线检测器1A的剖面构造的图。图2是显示有关第2实施方式的放射线检测器1B的剖面构造的图。图3是显示有关第3实施方式的放射线检测器1C的剖面构造的图。图4是显示有关第4实施方式的放射线检测器1D的剖面构造的图。图5是显示有关第5实施方式的放射线检测器1E的剖面构造的图。图6是显示有关第6实施方式的放射线检测器1F的剖面构造的图。图7是对于作为合金化前的金属原材料的Pb及Tl的重量比不同的多个合金层样本(a)～(d)的各个显示在合金化后的Pb及Tl的含有重量比的图。图8是对于作为合金化前的金属原材料的Bi及Tl的重量比不同的多个合金层样本(a)～(d)的各个显示在合金化后的Bi及Tl的含有重量比的图。图9是使用有关本实施方式的放射线检测器所得到的137Cs伽玛射线的光谱。具体实施方式[本申请专利技术的实施方式的说明]首先，对本申请专利技术的实施方式的内容分别个别地列举说明。(1)作为本实施方式的一个方式，该放射线检测器具备：相互相对配置的第1及第2电极，和配置于该第1及第2电极之间的溴化铊(TlBr)结晶体。溴化铊结晶体具有第1电极被设置于其上的第1电极设置面和第2电极被设置于其上的第2电极设置面，第1及第2电极设置面相互相对配置。在如此的构成中，第1及第2电极之中至少第1电极包含具有相互相对配置的第1及第2层面的合金层，且以使第2层面与第1电极设置面夹持第1层面的方式配置。另外，合金层由金属铊和与该金属铊不同的1种以上的其他金属(分别为与金属铊一起构成合金的金属元素)的合金构成。作为与金属铊一起构成合金的其他金属元素，优选其他金属分别含有选自铅、银、铋及铟的组中的任意金属。因此，合金层也可由包含金属铊的2种的金属的合金构成，另外，也可由包含金属铊的3种以上的金属的合金构成。第2电极也可以具有与第1电极同一构造。此情况下，自第2电极侧看第2电极设置面时的该第2电极的构造(例如，由1或其以上的金属层所构成的层积构造)与自第1电极看第1电极设置面时的该第1电极的构造一致。即，第2电极具有与第1电极同一层构造的情况下，该第2电极也包含具有相互相对配置的第1及第2层面的合金层，且以使第2层面与第2电极设置面夹持第1层面的方式配置。当然，该第2电极的合金层也由金属铊和与该金属铊不同的1种以上的其他金属的合金构成。但在本实施方式中，关于层的种类、层的数量等，在第1电极的层构造与第2电极的层构造不同的方式中也可适用。(2)作为本实施方式的一个方式，第1电极也可以具有设置于合金层的第2层面上的低电阻金属层，该低电阻金属层由具有较合金层的电阻值更低的电阻值的金属构成。另外，作为本实施方式的一个方式，优选低电阻金属层由金构成。第2电极具有与第1电极同一的层构造的情况下，该第2电极具有设置于合金层的第2层面上的例如由金构成的低电阻金属层。即，第2电极具有在溴化铊结晶体的第2电极设置面与低电阻金属层之间配置有该第2电极的合金层的构造。(3)作为本实施方式的一个方式，第1电极也可以具有设置于合金层的第2层面与低电阻金属层之间的导电性的中间层，该导电性的中间层以提高合金层与低电阻金属层的附着力的方式发挥功能。另外，作为本实施方式的一个方式，优选中间层由选自铬、镍及钛的组中的任意的金属构成。第2电极则具有与第1电极同一的层构造的情况下，该第2电极具有导电性的中间层，其设置于合金层的第2层面与低电阻金属层之间，以提高该合金层与该低电阻金属层的附着力的方式发挥功能。即，第2电极具有导电性的中间层被配置于该第2电极的合金层与低电阻金属层之间的构造。(4)作为本实施方式的一个方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种放射线检测器，其中，具备：溴化铊结晶体，具有第1电极设置面和与所述第1电极设置面相对的第2电极设置面，第1电极，设置于所述溴化铊结晶体的所述第1电极设置面上，以及第2电极，设置于所述溴化铊结晶体的所述第2电极设置面上；所述第1及第2电极中的至少所述第1电极具有第1合金层，该第1合金层具有第1层面和第2层面，其中，所述第1层面面对于所述第1电极设置面，所述第2层面相对于所述第1层面位于所述第1电极设置面的相反侧，所述第1合金层由金属铊和与所述金属铊不同的1种以上的其他金属的合金构成，所述第1电极在与读出电路基板的垫片电连接的状态下，安装于所述读出电路基板上。

【技术特征摘要】
2016.07.11 JP 2016-1367881.一种放射线检测器，其中，具备：溴化铊结晶体，具有第1电极设置面和与所述第1电极设置面相对的第2电极设置面，第1电极，设置于所述溴化铊结晶体的所述第1电极设置面上，以及第2电极，设置于所述溴化铊结晶体的所述第2电极设置面上；所述第1及第2电极中的至少所述第1电极具有第1合金层，该第1合金层具有第1层面和第2层面，其中，所述第1层面面对于所述第1电极设置面，所述第2层面相对于所述第1层面位于所述第1电极设置面的相反侧，所述第1合金层由金属铊和与所述金属铊不同的1种以上的其他金属的合金构成，所述第1电极在与读出电路基板的垫片电连接的状态下，安装于所述读出电路基板上。2.如权利要求1所述的放射线检测器，其中，所述第1电极还具有第1低电阻金属层，所述第1低电阻金属层设置于所述第1合金层的所述第2层面上，且由具有较所述第1合金层更低的电阻值的金属构成，所述第1低电阻金属层与所述读出电路基板的垫片电连接。3.如权利要求2所述的放射线检测器，其中，所述第1低电阻金属层设置于所述第1合金层的所述第2层面的整体上。4.如权利要求2所述的放射线检测器，其中，所述第1低电阻金属层由金构成。5.如权利要求3所述的放射线检测器，其中，所述第1电极包含具有导电性的第1中间层，该第1中间层设置于所述第1合金层的所述第2层面与所述第1低电阻金属层之间，用于提高所述第1合金层与所述第1低电阻金属层的附着力。6.如权利要求5所述的放射线检测器，其中，所述第1中间层由选自铬、镍及钛的组中的任意的金属构成。7.如权利要求1所述的放射线检测器，其中，所述第1电极包含具有导电性的第1基底层，该第1基底层设置于所述溴化铊结晶体的所述第1电极设置面与所述第1合金层的所述第1层面之间，用于提高所述溴化铊结晶体与所述第1合金层的附着力。8.如权利要求7所述的放射线检测器，其中，所述第1基底层由选自铬、镍及钛的组中的任意的金属构成。9.如权利要求1～8中任一项所述的放射线检测器，其中，作为与所述金属铊一起构成合金的金属元素，所述第1电极中的所述其他金属包含选自铅、银、铋及铟的组中的任意的金属。10.如权利要求1所述的放射线检测器，其中，所述第2电极具有第2合金层，该第2合金层具有第1层面和第2层面，其中，所述第1层面面对于所述第2电极设置面，所述第2层面相对于所述第2合金层的第1层面位于所述第2电极设置面的相反侧，所述第2合金层由金属铊和与所述金属铊不同的1种以上的其他金属的合金构成。11.如权利要求10所述的放射线检测器，其中，所述第2电极还具有第2低电阻金属层，所述第2低电阻金属层设置于所述第2合金层的所述第2层面上，且具有较所述第2合金层的电阻值更低的电阻值。12.如权利要求11所述的放射线检...

【专利技术属性】
技术研发人员：金原正典，小野寺敏幸，人见启太朗，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP