一种电子雷管控制器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电子雷管控制器，包括集成芯片、数字电容C1、起爆电容C2、点火桥丝F1和去耦滤波电容C3，所述还包括NMOS管M1，NMOS管M1的源极接地，NMOS管M1的栅极连接到所述集成芯片的一个输出端FIRE，NMOS管M1的漏极通过串联所述点火桥丝F1连接到所述起爆电容C2的正极，起爆电容C2的正极接集成芯片的输出端VC2，所述去耦滤波电容C3的正极接所述集成芯片的输出端VCC。本电子雷管控制器，在工作状态时，由于NMOS管M1的最大可承受电压高于集成芯片1的最大可承受电压，提高放电管得耐受电压水平，提高电子雷管在充电状态下的安全性。

An Electronic Detonator Controller

【技术实现步骤摘要】
一种电子雷管控制器
本技术涉及火工品
，具体为一种电子雷管控制器。
技术介绍
20世纪80年代，日本、澳大利亚、欧洲等发达国家开始研究电子雷管技术。随着电子技术、微电子技术、信息技术的飞速发展，电子雷管技术取得了极大的进步。20世纪90年代末，电子雷管开始被投入应用试验和市场推广。21世纪初，中国对社会安全性需求的重视程度不断提高，以密码控制起爆为特征的电子雷管技术及相关系统得到了快速发展，近年来电子雷管已5经再普通采石场、矿山、拆除爆破、隧道挖掘等场合得到了广泛的应用。电子雷管和传统电雷管的主要区别在于用可延期的电子部件取代了传统的化学延期药，亦即，电子雷管在一对雷管脚线和点火头之间插入了可实现延期功能的电子部件。美国专利US006892643中公布的一种用于电子雷管的电子部件，其核心是根据外部数据信息来控制雷管工作状态的电子雷管控制芯片30。美国专利US006892643的工作原理为：外部通过电子雷管的一对脚线、从管脚1和管脚2向电子雷管控制芯片30供电。通上电后，首先向数字电容24充电，以提供电子雷管控制芯片30正常工作所需能量；然后，电子雷管控制芯片30根据外部指令，控制对起爆电容26的充电过程，以储存引爆点火头27所需的能量；最后，电子雷管控制芯片30根据外部指令，将起爆电容26上储存的能量快速释放到点火头27上，从而引爆雷管。美国专利US006085659进一步改进了上述美国专利，将其中的数字电容26和起爆电容24合并为一个电容，该专利中其它部分的构成与上述美观专利完全相同，工作原理基本一致。中国专利CN201218699Y、CN201218700Y、CN201218701Y给出了电子部件的构成方案、专利201208702Y给出了基于CN201218699Y、CN201218700Y、CN201218701Y描述电子部件所用的电子雷管芯片的构成方案上述专利中的技术方案所存在的技术缺陷在于：上述专利共同的特点，给起爆电容的放电管至于芯片内部，但基于集成电路的工艺耐压水品取决于各层之间耐压水平，一旦工艺选定，芯片的最大可承受电压就已经被决定，例如通常采用EEPROM工艺的集成电路，其耐压水平一般不超过14V，超高这个电压等级，芯片的最薄弱环节就会被击穿失效，控制起爆电容放电到引火头上的放电控制短路的最大可承受电压也是如此，一旦电子雷管控制芯片处于充电状态时，外界意外输入的静电、电磁干扰、交直流电压、杂散电流等过高的能量，超过芯片的最大可承受电压，就有可能导致放电控制电路被击穿，从而引起雷管早爆，从而导致爆破效果难以符合设计要求，严重时甚至引发安全事故。基于此，提出一种电子雷管控制器。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种电子雷管控制器，具有安全性能佳的优点，解决了现有技术中放电控制电路可能被击穿，引起雷管早爆的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种电子雷管控制器，包括集成芯片、数字电容C1、起爆电容C2、点火桥丝F1和去耦滤波电容C3，所述还包括NMOS管M1，NMOS管M1的源极接地，NMOS管M1的栅极连接到所述集成芯片的一个输出端FIRE，NMOS管M1的漏极通过串联所述点火桥丝F1连接到所述起爆电容C2的正极，起爆电容C2的正极接集成芯片的输出端VC2，所述去耦滤波电容C3的正极接所述集成芯片的输出端VCC，数字电容C1的正极接所述集成芯片的输出端VC1，数字电容C1、起爆电容C2和去耦滤波电容C3负极均接地。优选的，所述NMOS管M1的最大可承受电压高于集成芯片的最大可承受电压。与现有技术相比，本技术的有益效果如下：本电子雷管控制器，在工作状态时，由于NMOS管M1的最大可承受电压高于集成芯片1的最大可承受电压，提高放电管得耐受电压水平，提高电子雷管在充电状态下的安全性。附图说明图1为本技术的工作电路图。图中：1、集成芯片。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，一种电子雷管控制器，包括集成芯片1、数字电容C1、起爆电容C2、点火桥丝F1和去耦滤波电容C3，还包括NMOS管M1，NMOS管M1的最大可承受电压高于集成芯片1的最大可承受电压，NMOS管M1的源极接地，NMOS管M1的栅极连接到集成芯片1的一个输出端FIRE，NMOS管M1的漏极通过串联点火桥丝F1连接到起爆电容C2的正极，起爆电容C2的正极接集成芯片1的输出端VC2，去耦滤波电容C3的正极接集成芯片1的输出端VCC，数字电容C1的正极接集成芯片1的输出端VC1，数字电容C1、起爆电容C2和去耦滤波电容C3负极均接地。该电子雷管控制器，工作时，向点火桥丝F1提供能量，即电压，电压传输至NMOS管M1上，由于NMOS管M1的最大可承受电压高于集成芯片1的最大可承受电压，提高放电管得耐受电压水平，提高电子雷管在充电状态下即芯片安保电路解保状态下的安全性。综上所述：本电子雷管控制器，在工作状态时，由于NMOS管M1的最大可承受电压高于集成芯片1的最大可承受电压，提高放电管得耐受电压水平，提高电子雷管在充电状态下的安全性。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子雷管控制器，包括集成芯片(1)、数字电容C1、起爆电容C2、点火桥丝F1和去耦滤波电容C3，其特征在于：所述还包括NMOS管M1，NMOS管M1的源极接地，NMOS管M1的栅极连接到所述集成芯片(1)的一个输出端FIRE，NMOS管M1的漏极通过串联所述点火桥丝F1连接到所述起爆电容C2的正极，起爆电容C2的正极接集成芯片(1)的输出端VC2，所述去耦滤波电容C3的正极接所述集成芯片(1)的输出端VCC，数字电容C1的正极接所述集成芯片(1)的输出端VC1，数字电容C1、起爆电容C2和去耦滤波电容C3负极均接地。

【技术特征摘要】
1.一种电子雷管控制器，包括集成芯片(1)、数字电容C1、起爆电容C2、点火桥丝F1和去耦滤波电容C3，其特征在于：所述还包括NMOS管M1，NMOS管M1的源极接地，NMOS管M1的栅极连接到所述集成芯片(1)的一个输出端FIRE，NMOS管M1的漏极通过串联所述点火桥丝F1连接到所述起爆电容C2的正极，起爆电容C2的正极接...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘星，
申请(专利权)人：德州鲲程电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37