一种氧化镓结型场效应晶体管制造技术

本发明专利技术公开了一种氧化镓结型场效应晶体管，涉及半导体器件技术领域。针对现有技术中氧化镓材料的晶体管存在栅极漏电较大或者栅控特性较差的不足，提出本技术方案。在栅极和氧化镓沟道层之间设置一p型氧化物半导体层，形成异质PN结，在有效降低栅极漏电流的同时可保证良好的栅控特性。

A GaO junction field effect transistor

【技术实现步骤摘要】
一种氧化镓结型场效应晶体管
本专利技术涉及半导体器件
，具体涉及一种氧化镓结型场效应晶体管。
技术介绍
氧化镓(Ga2O3)半导体具有高达4.8eV的超宽禁带和8MV/cm的超大临界击穿场强，远高于传统半导体材料硅、碳化硅和氮化镓，这意味着相同器件尺寸下，基于氧化镓的场效应晶体管(FET)具有更高的耐压特性。此外，氧化镓场效应晶体管还具有耐高温、抗辐照、可靠性高和成本低等优势。但是，现有的氧化镓场效应晶体管均采用肖特基栅极或者金属-绝缘体-半导体(MIS)结构栅极(参见文献M.Higashiwaki,etal.,Galliumoxide(Ga2O3)metal-semiconductorfield-effecttransistorsonsingle-crystalβ-Ga2O3(010)substrates，AppliedPhysicsLetters100(1),013504,2011、文献N.Moser,etal.,Ge-Dopedβ-Ga2O3MOSFETs,IEEEElectronDeviceletters38(6),775,2017和中国专利CN107742647A)，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化镓结型场效应晶体管，包括依次层叠设置的衬底(101)和氧化镓沟道层(102)，所述的氧化镓沟道层(102)远离衬底(101)的一侧设有源极(103)和漏极(104)；其特征在于，所述的源极(103)和漏极(104)之间还设有p型氧化物半导体层(105)，使得p型氧化物半导体层(105)和氧化镓沟道层(102)形成异质PN结；所述的p型氧化物半导体层(105)一侧与氧化镓沟道层(102)连接，另一侧设有栅极(106)。

【技术特征摘要】
1.一种氧化镓结型场效应晶体管，包括依次层叠设置的衬底(101)和氧化镓沟道层(102)，所述的氧化镓沟道层(102)远离衬底(101)的一侧设有源极(103)和漏极(104)；其特征在于，所述的源极(103)和漏极(104)之间还设有p型氧化物半导体层(105)，使得p型氧化物半导体层(105)和氧化镓沟道层(102)形成异质PN结；所述的p型氧化物半导体层(105)一侧与氧化镓沟道层(102)连接，另一侧设有栅极(106)。2.根据权利要求1所述氧化镓结型场效应晶体管，其特征在于，所述的p型氧化物半导体层(105)和栅极(106)为欧姆接触或肖特基接触。3.根据权利要求1或2所述氧化镓结型场效应晶体管，其特征在于，所述的p型氧化物半导体层(105)为非晶或多晶结构。4.根据权利要求3所述氧化镓结型场效应晶体管，其特征在于，所述的p型氧化物半导体层(105)为单层或多层结构。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：卢星，王钢，裴艳丽，陈梓敏，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：广东,44