一种阵列基板及其制备方法技术

本申请提供一种阵列基板及其制备方法，通过将形成有缓冲层的阵列基板置于反应室内并通入氧气，使阵列基板在氧气气氛下加热至预设温度，并对氧气加入高频振荡电源，进行退火制程；使氧气转化为等离子体状态，产生的氧离子和/或氧自由基用于修补缓冲层表面的氧缺陷；在缓冲层上制备半导体氧化物层，采用与缓冲层相同的方法对半导体氧化物层表面的氧缺陷进行修补，从而提高器件的稳定性。

An Array Substrate and Its Preparation Method

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法
本申请涉及显示器制造领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。
技术介绍
近年来，氧化物半导体材料在大尺寸平板显示方面已得到广泛的应用，特别是铟镓锌氧化物(InGaZnO4，IGZO)因其制备工艺简单，低阈值电压、高迁移率及良好的大尺寸制备均匀性而广受人们的关注。在a-IGZOTFT结构中，相对于BottomGateTFT结构，TopGateTFT结构可以减少寄生电容的存在，具有良好的可扩展性，因此在大尺寸平板显示应用方面具有明显的优势。a-IGZOTFT结构的稳定性和可靠性是当前研究的热点，目前a-IGZOTFT制备过程中为提高器件的稳定性，需要进行多次高温退火处理，但会造成生产周期长，以及过高的退火温度会造成膜层的脱落、变形、损伤等不良。因此，现有技术存在缺陷，急需改进。
技术实现思路
本申请提供一种阵列基板及其制备方法，能够缩短生产周期，避免退火高温造成膜层的脱落、变形、损伤等现象，提高了器件的稳定性和可靠性。为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：本申请提供一种阵列基板的制备方法，所述方法包括以下步骤：步骤S10，一阵列基板上制备有缓冲层，将所述阵列基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S10，一阵列基板上制备有缓冲层，将所述阵列基板置于反应室内并通入氧气，使所述阵列基板在氧气气氛下加热至预设温度，进行退火制程；步骤S20，对所述氧气加入高频振荡电源，使所述氧气转化为等离子体状态，产生的氧离子和/或氧自由基用于修补所述缓冲层表面的氧缺陷；步骤S30，在所述缓冲层上制备半导体氧化物层，将制备有所述半导体氧化物层的所述阵列基板置于所述氧气气氛下，并加热至所述预设温度，进行退火制程；步骤S40，对所述氧气加入高频振荡电源，使所述氧气转化为等离子体状态，产生的所述氧离子和/或所述氧自由基用于修补所述半导体氧化物层表面的...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S10，一阵列基板上制备有缓冲层，将所述阵列基板置于反应室内并通入氧气，使所述阵列基板在氧气气氛下加热至预设温度，进行退火制程；步骤S20，对所述氧气加入高频振荡电源，使所述氧气转化为等离子体状态，产生的氧离子和/或氧自由基用于修补所述缓冲层表面的氧缺陷；步骤S30，在所述缓冲层上制备半导体氧化物层，将制备有所述半导体氧化物层的所述阵列基板置于所述氧气气氛下，并加热至所述预设温度，进行退火制程；步骤S40，对所述氧气加入高频振荡电源，使所述氧气转化为等离子体状态，产生的所述氧离子和/或所述氧自由基用于修补所述半导体氧化物层表面的氧缺陷。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预设温度在100℃～200℃之间。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预设温度为150℃。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S20以及所述步骤S40中，在所述氧气为等离子体状态下，进行退火处理0.5小时～1.5小时。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：余华华，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44