制作LTPS TFT基板的方法技术

本发明专利技术提出一种制作LTPS TFT基板的方法，包括：提供一基板，在所述基板上形成一缓冲层，在所述缓冲层上形成一图案化多晶硅有源层；形成覆盖所述图案化多晶硅有源层的一栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成具有阶梯状结构的金属层；以具有阶梯状结构的金属层为遮蔽层，对所述图案化多晶硅有源层进行离子植入，得到沟道区域、轻掺杂区域、重掺杂区域。

Method of Making LTPS TFT Substrate

【技术实现步骤摘要】
制作LTPSTFT基板的方法
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种制作LTPSTFT基板的方法。
技术介绍
低温多晶硅薄膜晶体管(LTPSTFT)基板可以应用于液晶显示器(LCD)及主动矩阵有机发光二极管(AMOLED)等高阶显示器。低温多晶硅薄膜晶体管相较于其他薄膜晶体管拥有较高的载流子迁移率，较高的载流子迁移率会导致热载流子效应，甚至可能会造成薄膜晶体管的失效。为了避免热载流子效应的产生，制作低温多晶硅薄膜晶体管时，会通过离子植入的方式在低温多晶硅薄膜晶体管的源极和漏极形成浅掺杂过渡区。但是对低温多晶硅薄膜晶体管的源极和漏极进行离子植入操作时，难以在多晶硅层两侧的源极和漏极形成对称的浅掺杂过渡区，这造成掺杂偏差或栅极区域的偏移。因此，有必要提供一种制作LTPSTFT基板的方法，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种制作LTPSTFT基板的方法，以解决现有技术中PI层中掺杂偏差或栅极区域偏移的技术问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种制作LTPSTFT基板的方法，其特征在于，包括以下步骤：S11、提供一基板，在所述基板上形成一缓冲层，在所述缓冲层上形成一图案化多晶硅有源层；S12、形成覆盖所述图案化多晶硅有源层的一栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上依序形成一第一金属层与一第二金属层；S13、在所述第二金属层上涂布光阻，经曝光、显示后得到对应于所述图案化多晶硅有源层中部上方的一图案化光阻层；S14、以所述图案化光阻层为遮蔽层，对所述第一金属层与所述第二金属层进行第一次蚀刻，其中所述第二金属层的蚀刻速率大于所述第一金属层的蚀刻速率，以致蚀刻后的所述第二金属层的线宽小于蚀刻后的所述第一金属层的线宽；S15、利用第二次蚀刻来灰化所述图案化光阻层的边缘，使得灰化后的所述图案化光阻层的线宽与所述第二金属层的线宽大致上相同；S16、以所述第二金属层与所述第一金属层为遮蔽层，对所述图案化多晶硅有源层进行离子植入，得到位于所述图案化多晶硅有源层中部且对应所述图案化光阻层的沟道区域、所述沟道区域外侧的两个轻掺杂区域、所述两个轻掺杂区域外侧的两个重掺杂区域；及S17、剥离去除所述图案化光阻层。根据本专利技术的制作LTPSTFT基板的方法，在步骤S11中在所述缓冲层上形成一图案化多晶硅有源层的步骤包括：在所述缓冲层上形成一非晶硅层；对所述非晶硅层进行准分子激光退火处理，以将所述非晶硅层形成为一多晶硅层；及对所述多晶硅层进行图案化，以形成所述图案化多晶硅有源层。根据本专利技术的制作LTPSTFT基板的方法，所述第一金属层的材质为钼(Mo)或钼钛合金(MoTi)，所述第二金属层的材质为铜(Cu)。根据本专利技术的制作LTPSTFT基板的方法，所述第一次蚀刻为湿蚀刻，所述第二次蚀刻为干蚀刻。根据本专利技术的制作LTPSTFT基板的方法，所述步骤S6中对所述图案化多晶硅有源层所进行的离子植入是N型离子植入或P型离子植入。本专利技术还提供一种制作LTPSTFT基板的方法，其特征在于，包括以下步骤：S21、提供一基板，在所述基板上形成一缓冲层，在所述缓冲层上形成一图案化多晶硅有源层；S22、形成覆盖所述图案化多晶硅有源层的一栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上依序形成一第一金属层与一第二金属层；S23、在所述第二金属层上涂布光阻，经曝光、显示后得到对应于所述图案化多晶硅有源层中部上方的一图案化光阻层；S24、以所述图案化光阻层为遮蔽层，对所述第二金属层进行第一次蚀刻，以致蚀刻后的所述第二金属层的线宽小于蚀刻后的所述图案化光阻层的线宽；S25、以所述图案化光阻层为遮蔽层，对所述第一金属层进行第二次蚀刻，所述第二次蚀刻并灰化所述图案化光阻层的边缘，使得蚀刻后的所述第一金属层的线宽大于所述第二金属层的线宽，灰化后的所述图案化光阻层的线宽与所述第二金属层的线宽大致上相同，；S26、以所述第二金属层与所述第一金属层为遮蔽层，对所述图案化多晶硅有源层进行离子植入，得到位于所述图案化多晶硅有源层中部且对应所述图案化光阻层的沟道区域、所述沟道区域外侧的两个轻掺杂区域、所述两个轻掺杂区域外侧的两个重掺杂区域；及S27、剥离去除所述图案化光阻层。根据本专利技术的制作LTPSTFT基板的方法，在步骤S21中在所述缓冲层上形成一图案化多晶硅有源层的步骤包括：在所述缓冲层上形成一非晶硅层；对所述非晶硅层进行准分子激光退火处理，以将所述非晶硅层形成为一多晶硅层；及对所述多晶硅层进行图案化，以形成所述图案化多晶硅有源层。根据本专利技术的制作LTPSTFT基板的方法，所述第一金属层的材质为氧化铟锡(IndiumTinOxide，ITO)，所述第二金属层的材质为铝(Al)。根据本专利技术的制作LTPSTFT基板的方法，所述第一次蚀刻为湿蚀刻，所述第二次蚀刻为干蚀刻。根据本专利技术的制作LTPSTFT基板的方法，所述步骤S6中对所述图案化多晶硅有源层所进行的离子植入是N型离子植入或P型离子植入。本专利技术提出一种制作LTPSTFT基板的方法。通过对多层金属层进行分次蚀刻，并利用干蚀刻来灰化图案化光阻层的边缘，使得蚀刻与灰化后的所述多层金属层形成阶梯状结构，再以此阶梯状结构为遮蔽层对图案化多晶硅有源层进行离子植入，得到沟道区域、轻掺杂区域、重掺杂区域。相较于现有技术，本专利技术所形成的阶梯状结构具有自对准效果，因此对准精度高，不会造成掺杂偏差或栅极区域的偏移。另外，本专利技术减少一道光罩，且不需要使用半色调掩模板(HalfToneMask，HTM)，降低制作LTPSTFT基板的制造成本。附图说明图1A至1H为根据本专利技术实施例一的一种制作LTPSTFT基板的方法的制造流程。图2A至2H为根据本专利技术实施例二的一种制作LTPSTFT基板的方法的制造流程。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。本专利技术提出一种制作低温多晶硅薄膜晶体管(LowTemperaturePolycrystallineSiliconThin-FilmTransistor，LTPSTFT)基板的方法。通过对多层金属层进行分次蚀刻，并利用干蚀刻来灰化图案化光阻层的边缘，使得蚀刻与灰化后的所述多层金属层形成阶梯状结构，再以此阶梯状结构为遮蔽层对图案化多晶硅有源层进行离子植入，得到沟道区域、轻掺杂区域、重掺杂区域。相较于现有技术，本专利技术所形成的阶梯状结构具有自对准效果，因此对准精度高，不会造成掺杂偏差或栅极区域的偏移。另外，本专利技术减少一道光罩，且不需要使用半色调掩模板(HalfToneMask，HTM)，降低制作LTPSTFT基板的制造成本。本专利技术具有两种实施方式，详细说明如下。实施例一请参照图1A至1H。图1A至1H为根据本专利技术实施例一的一种制作LTPSTFT基板的方法的制造流程。所述方法包括以下步骤。首先，如图1A所示，在步骤S11中，提供一基板10，在所述基板10上形成一缓冲层11，在所述缓冲层11上形成一图案化多晶硅有源层12。可以利用本专利技术所属技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制作LTPS TFT基板的方法，其特征在于，包括以下步骤：S11、提供一基板，在所述基板上形成一缓冲层，在所述缓冲层上形成一图案化多晶硅有源层；S12、形成覆盖所述图案化多晶硅有源层的一栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上依序形成一第一金属层与一第二金属层；S13、在所述第二金属层上涂布光阻，经曝光、显示后得到对应于所述图案化多晶硅有源层中部上方的一图案化光阻层；S14、以所述图案化光阻层为遮蔽层，对所述第一金属层与所述第二金属层进行第一次蚀刻，其中所述第二金属层的蚀刻速率大于所述第一金属层的蚀刻速率，以致蚀刻后的所述第二金属层的线宽小于蚀刻后的所述第一金属层的线宽；S15、利用第二次蚀刻来灰化所述图案化光阻层的边缘，使得灰化后的所述图案化光阻层的线宽与所述第二金属层的线宽大致上相同；S16、以所述第二金属层与所述第一金属层为遮蔽层，对所述图案化多晶硅有源层进行离子植入，得到位于所述图案化多晶硅有源层中部且对应所述图案化光阻层的沟道区域、所述沟道区域外侧的两个轻掺杂区域、所述两个轻掺杂区域外侧的两个重掺杂区域；及S17、剥离去除所述图案化光阻层。

【技术特征摘要】
1.一种制作LTPSTFT基板的方法，其特征在于，包括以下步骤：S11、提供一基板，在所述基板上形成一缓冲层，在所述缓冲层上形成一图案化多晶硅有源层；S12、形成覆盖所述图案化多晶硅有源层的一栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上依序形成一第一金属层与一第二金属层；S13、在所述第二金属层上涂布光阻，经曝光、显示后得到对应于所述图案化多晶硅有源层中部上方的一图案化光阻层；S14、以所述图案化光阻层为遮蔽层，对所述第一金属层与所述第二金属层进行第一次蚀刻，其中所述第二金属层的蚀刻速率大于所述第一金属层的蚀刻速率，以致蚀刻后的所述第二金属层的线宽小于蚀刻后的所述第一金属层的线宽；S15、利用第二次蚀刻来灰化所述图案化光阻层的边缘，使得灰化后的所述图案化光阻层的线宽与所述第二金属层的线宽大致上相同；S16、以所述第二金属层与所述第一金属层为遮蔽层，对所述图案化多晶硅有源层进行离子植入，得到位于所述图案化多晶硅有源层中部且对应所述图案化光阻层的沟道区域、所述沟道区域外侧的两个轻掺杂区域、所述两个轻掺杂区域外侧的两个重掺杂区域；及S17、剥离去除所述图案化光阻层。2.根据权利要求1所述的制作LTPSTFT基板的方法，其特征在于，在步骤S11中在所述缓冲层上形成一图案化多晶硅有源层的步骤包括：在所述缓冲层上形成一非晶硅层；对所述非晶硅层进行准分子激光退火处理，以将所述非晶硅层形成为一多晶硅层；及对所述多晶硅层进行图案化，以形成所述图案化多晶硅有源层。3.根据权利要求1所述的制作LTPSTFT基板的方法，其特征在于，所述第一金属层的材质为钼(Mo)或钼钛合金(MoTi)，所述第二金属层的材质为铜(Cu)。4.根据权利要求3所述的制作LTPSTFT基板的方法，其特征在于，所述第一次蚀刻为湿蚀刻，所述第二次蚀刻为干蚀刻。5.根据权利要求1所述的制作LTPSTFT基板的方法，其特征在于，所述步骤S6中对所述图案化多晶硅有源层所进行的离子植入是N型离子植入或P型离子植入。6.一种制作LTPSTFT基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：林钦遵，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44