石墨烯基材半导电缓冲阻水带及其制作方法技术

技术编号:21819783 阅读:31 留言:0更新日期:2019-08-10 14:02
本发明专利技术涉及一种石墨烯基材半导电缓冲阻水带,解决了现有技术的不足,其特征在于,包括蓬松棉基材和无纺布基材,所述蓬松棉基材为浸涂半导电胶后烘干制成的蓬松棉,所述无纺布基材为浸涂半导电胶后烘干制成的无纺布,所述蓬松棉基材的表面涂覆有半导电胶层,所述无纺布基材的表面涂设有石墨烯阻水粉层,所述蓬松棉基材与无纺布基材粘合。

Semiconductive Buffer Water-Blocking Zone of Graphene Substrate and Its Fabrication Method

【技术实现步骤摘要】
石墨烯基材半导电缓冲阻水带及其制作方法
本专利技术属于电缆制作领域,一种用于超高压电缆缓冲层的石墨烯基材半导电缓冲阻水带及制作方法。
技术介绍
高压、超高压交联电缆有金属套结构的,需要在金属套和绝缘线芯之间增设缓冲层,缓冲层的作用是抵消电缆运行时绝缘热膨胀,保护绝缘线芯不受损伤。缓冲层材料通常采用半导电缓冲阻水带,确保绝缘屏蔽和金属套有良好的电气连接,避免容性放电,半导电缓冲阻水带遇水膨胀形成致密的胶体,电缆具有阻水功能。现有技术的缺陷和不足有两点:1、传统的半导电缓冲阻水带是由蓬松棉+无纺布基带组成,中间涂覆阻水粉,蓬松棉和无纺布在粘合过程中需要涂覆炭黑作为导电材料,其体积电阻率很大,绝缘屏蔽层与金属套之间经常出现放电;2、半导电缓冲阻水带的阻水粉涂覆在蓬松棉和基布之间,形成了一个绝缘层,严重影响半导电缓冲阻水带的导电性能。
技术实现思路
针对现有技术所存在的上述技术问题,本专利技术提供了一种其体积电阻率小,使用于超高压电缆缓冲层的石墨烯基材半导电缓冲阻水带。为解决上述技术问题,本专利技术所采取的技术方案为:一种石墨烯基材半导电缓冲阻水带,其特征在于,包括蓬松棉基材和无纺布基材,所述蓬本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种石墨烯基材半导电缓冲阻水带,其特征在于,包括蓬松棉基材和无纺布基材,所述蓬松棉基材为浸涂半导电胶后烘干制成的蓬松棉,所述无纺布基材为浸涂半导电胶后烘干制成的无纺布,所述蓬松棉基材的表面涂覆有半导电胶层,所述无纺布基材的表面涂设有石墨烯阻水粉层,所述蓬松棉基材与无纺布基材粘合。

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯基材半导电缓冲阻水带,其特征在于,包括蓬松棉基材和无纺布基材,所述蓬松棉基材为浸涂半导电胶后烘干制成的蓬松棉,所述无纺布基材为浸涂半导电胶后烘干制成的无纺布,所述蓬松棉基材的表面涂覆有半导电胶层,所述无纺布基材的表面涂设有石墨烯阻水粉层,所述蓬松棉基材与无纺布基材粘合。2.根据权利要求1所述的石墨烯基材半导电缓冲阻水带,其特征在于,蓬松棉基材表面涂覆的半导电胶层与石墨烯阻水粉层位置相对应。3.根据权利要求1所述的石墨烯基材半导电缓冲阻水带,其特征在于,所述石墨烯阻水粉层为通过喷涂或刮涂方式涂设在无纺布基材表面的石墨烯阻水粉层。4.一种石墨烯基材半导电缓冲阻水带的制作方法,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:王福志王雷松李金堂黄伟立闫超李勃润林荣茜
申请(专利权)人:浙江万马股份有限公司
类型:发明
国别省市:浙江,33

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