便携式低场磁共振成像方法和设备技术

根据一些方面，提供了一种低场磁共振成像系统。该低场磁共振成像系统包括磁性系统和电力系统，所述磁性系统具有多个磁性部件，所述多个磁性部件被配置成产生用于执行磁共振成像的磁场，所述磁性系统包括：Bo磁体，其被配置成产生用于磁共振成像系统的在小于.2特斯拉(T)的低场强下的Bo场；多个梯度线圈，其被配置成：当被操作时，生成磁场以提供磁共振信号的空间编码；以及至少一个射频线圈，其被配置成：当被操作时，将射频信号发送到磁共振成像系统的视场并对从视场发射的磁共振信号做出响应。所述电力系统包括：一个或更多个电力部件，其被配置成向磁性系统提供电力以操作磁共振成像系统以执行图像获取；以及电力连接器，其被配置成连接至单相插座以接收市电并将市电输送到电力系统以提供操作磁共振成像系统所需的电力。根据一些方面，电力系统在图像获取期间使用小于1.6千瓦的平均值来操作低场磁共振成像系统。

Portable low field magnetic resonance imaging method and equipment

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】便携式低场磁共振成像方法和设备背景磁共振成像(MRI)为许多应用提供重要的成像模式，并且广泛用于临床和研究环境中以产生人体内部的图像。一般地，MRI基于检测磁共振(MR)信号，MR信号是由原子响应于所施加的电磁场引起的状态变化而发出的电磁波。例如，核磁共振(NMR)技术涉及在被成像的对象中的原子(例如，人体组织中的原子)的核自旋的重新对准或弛豫时检测从受激原子的核发射的MR信号。可以处理检测到的MR信号以产生图像，该图像在医学应用的背景下使得能够研究内部结构和/或体内的生物过程以用于诊断、治疗和/或研究目的。MRI由于在没有其他模式的安全性考虑(例如，不需要使主体暴露于电离辐射例如X射线，或不需要将放射性物质引入身体)的情况下产生具有相对高分辨率和对比度的非侵入性图像的能力而为生物成像提供了吸引人的成像模式。另外，MRI特别好地适合于提供软组织对比，可以利用软组织对比来对其他成像模式不能令人满意地成像的主题进行成像。此外，MR技术能够捕获关于其他模式不能获取的结构和/或生物过程的信息。然而，MRI存在许多缺点：对于给定的成像应用，可能涉及设备的相对高的成本、有限的可用性和/或难以获得对临床MRI扫描仪的访问和/或图像获取过程长。临床MRI的趋势是增加MRI扫描仪的场强，以改善扫描时间、图像分辨率和图像对比度中的一个或更多个，这转而继续提高成本。绝大多数安装的MRI扫描仪在1.5特斯拉(T)或3特斯拉(T)下操作，特斯拉(T)指的是主磁场B0的场强。临床MRI扫描仪的粗略成本估计约为每特斯拉一百万美元，这还没有将操作这样的MRI扫描仪所涉及的大量操作成本、服务成本和维护成本计算在内。另外，常规的高场MRI系统通常需要大的超导磁体和相关联的电子器件以生成对象(例如，患者)被成像的强均匀静磁场(B0)。这样的系统的大小是相当大的，其中典型的MRI装置包括用于磁体、电子器件、热管理系统和控制台区域的多个房间。MRI系统的大小和费用通常将其使用限制到具有足够的空间以及购买和维护MRI系统的资源的机构，例如医院和学术研究中心。高场MRI系统的高成本和大量空间需求导致MRI扫描仪的可用性有限。照此，如下面进一步详细讨论的，经常存在MRI扫描将是有益的临床情况，但是由于上面讨论的限制中的一个或更多个限制，MRI扫描是不实际的或不可能的。
技术实现思路
一些实施方式包括低场磁共振成像系统，该低场磁共振成像系统包括磁性系统，所述磁性系统具有多个磁性部件，所述多个磁性部件被配置成产生用于执行磁共振成像的磁场，所述磁性系统包括：B0磁体，其被配置成产生用于磁共振成像系统的在小于.2特斯拉(T)的低场强下的B0场；多个梯度线圈，其被配置成：当被操作时，生成磁场以提供磁共振信号的空间编码；以及至少一个射频线圈，其被配置成：当被操作时，将射频信号发送到磁共振成像系统的视场并对从视场发射的磁共振信号做出响应。低场磁共振系统还包括电力系统，所述电力系统包括：一个或更多个电力部件，其被配置成向磁性系统提供电力以操作磁共振成像系统以执行图像获取；以及电力连接器，其被配置成连接至单相插座以接收市电并将市电输送到电力系统以提供操作磁共振成像系统所需的电力。一些实施方式包括低场磁共振成像系统，该低场磁共振成像系统包括磁性系统和电力系统，所述磁性系统具有多个磁性部件，所述多个磁性部件被配置成产生用于执行磁共振成像的磁场，所述磁性系统包括：B0磁体，其被配置成产生用于磁共振成像系统的在小于.2特斯拉(T)的低场强下的B0场；多个梯度线圈，其被配置成：当被操作时，生成磁场以提供发射的磁共振信号的空间编码；以及至少一个射频线圈，其被配置成：当被操作时，将射频信号发送到磁共振成像系统的视场并对从视场发射的磁共振信号做出响应。电力系统包括一个或更多个电力部件，所述一个或更多个电力部件被配置成向磁性系统提供电力以操作磁共振成像系统以执行图像获取，其中，电力系统在图像获取期间使用小于5千瓦的平均值来操作低场磁共振成像系统。一些实施方式包括低场磁共振成像系统，该低场磁共振成像系统包括磁性系统，所述磁性系统具有多个磁性部件，所述多个磁性部件被配置成产生用于执行磁共振成像的磁场，所述磁性系统包括：B0磁体，其被配置成产生用于磁共振成像系统的B0场；多个梯度线圈，其被配置成：当被操作时，生成磁场以提供发射的磁共振信号的空间编码；以及至少一个射频线圈，其被配置成：当被操作时，将射频信号发送到磁共振成像系统的视场并对从视场发射的磁共振信号做出响应。低场磁共振成像系统还包括电力系统，所述电力系统包括一个或更多个电力部件，所述一个或更多个电力部件被配置成向磁性系统提供电力以操作磁共振成像系统以执行图像获取，其中，电力系统在图像获取期间使用小于1.6千瓦的平均值来操作低场磁共振成像系统。一些实施方式包括便携式磁共振成像系统，该便携式磁共振成像系统包括磁性系统，所述磁性系统具有多个磁性部件，所述多个磁性部件被配置成产生用于执行磁共振成像的磁场，所述磁性系统包括：永B0磁体，其被配置成产生用于磁共振成像系统的B0场；以及多个梯度线圈，其被配置成：当被操作时，生成磁场以提供发射的磁共振信号的空间编码。便携式磁共振成像系统还包括：电力系统，其包括一个或更多个电力部件，所述一个或更多个电力部件被配置成向磁性系统提供电力以操作磁共振成像系统以执行图像获取；以及基座，其支承磁性系统并容纳电力系统，基座包括至少一个运输机构，所述至少一个运输机构允许便携式磁共振成像系统被运送到不同位置。一些实施方式包括便携式磁共振成像系统，该便携式磁共振成像系统包括磁性系统，所述磁性系统具有多个磁性部件，所述多个磁性部件被配置成产生用于执行磁共振成像的磁场，所述磁性系统包括：永B0磁体，其被配置成产生用于磁共振成像系统的B0场；多个梯度线圈，其被配置成：当被操作时，生成磁场以提供发射的磁共振信号的空间编码；以及至少一个射频发送线圈。便携式磁共振成像系统还包括：电力系统，其包括一个或更多个电力部件，所述一个或更多个电力部件被配置成向磁性系统提供电力以操作磁共振成像系统以执行图像获取；以及基座，其支承磁性系统并容纳电力系统，基座具有小于或等于约50英寸的最大水平尺寸。一些实施方式包括便携式磁共振成像系统，该便携式磁共振成像系统包括磁性系统，所述磁性系统具有多个磁性部件，所述多个磁性部件被配置成产生用于执行磁共振成像的磁场，所述磁性系统包括：永B0磁体，其被配置成产生用于磁共振成像系统的B0场；多个梯度线圈，其被配置成：当被操作时，生成磁场以提供发射的磁共振信号的空间编码；以及至少一个射频发送线圈。便携式磁共振成像系统还包括：电力系统，其包括一个或更多个电力部件，所述一个或更多个电力部件被配置成向磁性系统提供电力以操作磁共振成像系统以执行图像获取；以及基座，其支承磁性系统并容纳电力系统，其中，便携式磁共振成像系统的重量小于1500磅。一些实施方式包括低场磁共振成像系统，该低场磁共振成像系统包括磁性系统，所述磁性系统具有多个磁性部件，所述多个磁性部件被配置成产生用于执行磁共振成像的磁场，所述磁性系统包括：永B0磁体，其被配置成产生具有小于或等于约.1T的场强的B0场；以及多个梯度线圈，其被配置成：当被操作时，生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低场磁共振成像系统，包括：磁性系统，其具有多个磁性部件，所述多个磁性部件被配置成产生用于执行磁共振成像的磁场，所述磁性系统包括：B0磁体，其被配置成产生用于所述磁共振成像系统的在小于.2特斯拉(T)的场强下的B0磁场；多个梯度线圈，其被配置成：当被操作时，生成磁场以提供磁共振信号的空间编码；以及至少一个射频线圈，其被配置成：当被操作时，将射频信号发送到所述磁共振成像系统的视场并对从所述视场发射的磁共振信号做出响应；电力系统，其包括：一个或更多个电力部件，其被配置成：向所述磁性系统提供电力以操作所述磁共振成像系统以执行图像获取；以及电力连接器，其被配置成：连接至单相插座以接收市电并将所述市电输送到所述电力系统，以提供操作所述磁共振成像系统所需的电力。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.22 US 62/425,465;2017.06.30 US 15/640,3691.一种低场磁共振成像系统，包括：磁性系统，其具有多个磁性部件，所述多个磁性部件被配置成产生用于执行磁共振成像的磁场，所述磁性系统包括：B0磁体，其被配置成产生用于所述磁共振成像系统的在小于.2特斯拉(T)的场强下的B0磁场；多个梯度线圈，其被配置成：当被操作时，生成磁场以提供磁共振信号的空间编码；以及至少一个射频线圈，其被配置成：当被操作时，将射频信号发送到所述磁共振成像系统的视场并对从所述视场发射的磁共振信号做出响应；电力系统，其包括：一个或更多个电力部件，其被配置成：向所述磁性系统提供电力以操作所述磁共振成像系统以执行图像获取；以及电力连接器，其被配置成：连接至单相插座以接收市电并将所述市电输送到所述电力系统，以提供操作所述磁共振成像系统所需的电力。2.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力连接器被配置成连接至提供约110伏特与120伏特之间并且额定电流至少为30安培的单相插座，并且其中，所述电力系统能够根据由所述单相插座提供的电力提供用以操作所述磁共振成像系统的电力。3.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力连接器被配置成连接至提供约110伏特与120伏特之间并且额定电流至少为20安培的单相插座，并且其中，所述电力系统能够根据由所述单相插座提供的电力提供用以操作所述磁共振成像系统的电力。4.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力连接器被配置成连接至提供约110伏特与120伏特之间并且额定电流至少为15安培的单相插座，并且其中，所述电力系统能够根据由所述单相插座提供的电力提供用以操作所述磁共振成像系统的电力。5.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力连接器被配置成连接至提供约220伏特与240伏特之间并且额定电流至少为30安培的单相插座，并且其中，所述电力系统能够根据由所述单相插座提供的电力提供用以操作所述磁共振成像系统的电力。6.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力连接器被配置成连接至提供约220伏特与240伏特之间并且额定电流至少为20安培的单相插座，并且其中，所述电力系统能够根据由所述单相插座提供的电力提供用以操作所述磁共振成像系统的电力。7.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力连接器被配置成连接至提供约220伏特与240伏特之间并且额定电流至少为15安培的单相插座，并且其中，所述电力系统能够根据由所述单相插座提供的电力提供用以操作所述磁共振成像系统的电力。8.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力连接器被配置成连接至提供约220伏特与240伏特之间并且额定电流至少为12安培的单相插座，并且其中，所述电力系统能够根据由所述单相插座提供的电力提供用以操作所述磁共振成像系统的电力。9.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力系统包括至少一个电源，所述至少一个电源被配置成从壁式插座接收在85伏特与250伏特之间的范围内、在约50赫兹至60赫兹下的交流(AC)电力，并且将所述AC电力转换为直流(DC)电力以操作所述磁共振成像系统。10.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力系统包括被配置成从单相壁式插座接收AC电力的至少一个电源。11.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力系统在图像获取期间使用小于3千瓦的平均值来操作所述低场磁共振成像系统。12.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力系统在图像获取期间使用小于2千瓦的平均值来操作所述低场磁共振成像系统。13.根据权利要求1所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力系统在图像获取期间使用小于1千瓦的平均值来操作所述低场磁共振成像系统。14.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力系统在图像获取期间使用小于750瓦的平均值来操作所述低场磁共振成像系统。15.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述B0磁体被配置成产生用于所述磁共振成像系统的在小于.1T且大于或等于约20mT的极低场强下的B0场。16.根据权利要求1所述的低场磁共振成像系统，其中，所述B0磁体被配置成产生用于所述磁共振成像系统的在小于.1T且大于或等于约50mT的极低场强下的B0场。17.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述B0磁体被配置成产生用于所述磁共振成像系统的在小于或等于约50mT且大于或等于约20mT的极低场强下的B0场。18.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述B0磁体被配置成产生用于所述磁共振成像系统的在小于或等于约20mT且大于或等于约10mT的极低场强下的B0场。19.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述一个或更多个电力部件包括：第一功率放大器，其用于向第一梯度线圈提供电力；第二功率放大器，其用于向第二梯度线圈提供电力；以及第三功率放大器，其用于向第三梯度线圈提供电力，所述第一功率放大器、所述第二功率放大器和所述第三功率放大器一起形成用于所述低场磁共振系统的梯度系统，并且其中，所述梯度系统在图像获取期间使用小于或等于约1千瓦的平均值。20.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述梯度系统在图像获取期间使用小于或等于约500瓦的平均值。21.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述梯度系统在图像获取期间使用小于或等于约200瓦的平均值。22.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述梯度系统在图像获取期间使用小于或等于约100瓦的平均值。23.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，还包括基座，所述基座支承所述B0磁体、所述第一梯度线圈、所述第二梯度线圈和所述第三梯度线圈，并且容纳所述第一功率放大器、所述第二功率放大器和所述第三功率放大器。24.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述一个或更多个电力部件包括第一功率放大器以向至少一个射频线圈提供电力以形成用于所述低场磁共振系统的射频发送系统，并且其中，所述射频发送系统在图像获取期间使用小于或等于约250瓦的平均值。25.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述射频发送系统在图像获取期间使用小于或等于约100瓦的平均值。26.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述射频发送系统在图像获取期间使用小于或等于约50瓦的平均值。27.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，还包括运输机构，所述运输机构允许所述低场磁共振成像系统被运送到期望位置。28.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述低场磁共振成像系统具有小于或等于约50英寸的最大水平尺寸。29.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述低场磁共振成像系统具有小于或等于约40英寸的最大水平尺寸。30.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述低场磁共振成像系统具有小于或等于约35英寸的最大水平尺寸。31.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述低场磁共振成像系统具有小于或等于约30英寸的最大水平尺寸。32.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述低场磁共振成像系统的重量小于1500磅。33.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述低场磁共振成像系统的重量小于1000磅。34.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述低场磁共振成像系统具有5高斯线，所述5高斯线具有小于或等于5英尺的最大尺寸。35.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述低场磁共振成像系统具有5高斯线，所述5高斯线具有小于或等于4英尺的最大尺寸。36.一种低场磁共振成像系统，包括：磁性系统，其具有多个磁性部件，所述多个磁性部件被配置成产生用于执行磁共振成像的磁场，所述磁性系统包括：B0磁体，其被配置成产生用于所述磁共振成像系统的在小于.2特斯拉(T)的低场强下的B0场；多个梯度线圈，其被配置成：当被操作时，生成磁场以提供发射的磁共振信号的空间编码；以及至少一个射频线圈，其被配置成：当被操作时，将射频信号发送到所述磁共振成像系统的视场并对从所述视场发射的磁共振信号做出响应；以及电力系统，其包括一个或更多个电力部件，所述一个或更多个电力部件被配置成向所述磁性系统提供电力以操作所述磁共振成像系统以执行图像获取，其中，所述电力系统在图像获取期间使用小于5千瓦的平均值来操作所述低场磁共振成像系统。37.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，包括电力连接器，所述电力连接器被配置成：连接至单相插座以接收市电并将所述市电输送到所述电力系统以提供操作所述磁共振成像系统所需的电力。38.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力连接器被配置成连接至提供约220伏特与240伏特之间并且额定电流至少为30安培的单相插座，并且其中，所述电力系统能够根据由所述单相插座提供的电力提供用以操作所述磁共振成像系统的电力。39.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力系统在图像获取期间使用小于3千瓦的平均值来操作所述低场磁共振成像系统。40.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力连接器被配置成连接至提供约110伏特与120伏特之间并且额定电流至少为30安培的单相插座，并且其中，所述电力系统能够根据由所述单相插座提供的电力提供用以操作所述磁共振成像系统的电力。41.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力连接器被配置成连接至提供约220伏特与240伏特之间并且额定电流至少为20安培的单相插座，并且其中，所述电力系统能够根据由所述单相插座提供的电力提供用以操作所述磁共振成像系统的电力。42.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力连接器被配置成连接至提供约220伏特与240伏特之间并且额定电流至少为15安培的单相插座，并且其中，所述电力系统能够根据由所述单相插座提供的电力提供用以操作所述磁共振成像系统的电力。43.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力系统在图像获取期间使用小于2千瓦的平均值来操作所述低场磁共振成像系统。44.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力连接器被配置成连接至提供约110伏特与120伏特之间并且额定电流至少为20安培的单相插座，并且其中，所述电力系统能够根据由所述单相插座提供的电力提供用以操作所述磁共振成像系统的电力。45.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力连接器被配置成连接至提供约220伏特与240伏特之间并且额定电流至少为12安培的单相插座，并且其中，所述电力系统能够根据由所述单相插座提供的电力提供用以操作所述磁共振成像系统的电力。46.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力系统在图像获取期间使用小于1千瓦的平均值来操作所述低场磁共振成像系统。47.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力连接器被配置成连接至提供约110伏特与120伏特之间并且额定电流至少为15安培的单相插座，并且其中，所述电力系统能够根据由所述单相插座提供的电力提供用以操作所述磁共振成像系统的电力。48.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力系统包括至少一个电源，所述至少一个电源被配置成从壁式插座接收在85伏特与250伏特之间的范围内、在约50赫兹至60赫兹下的交流(AC)电力，并且将所述AC电力转换为直流(DC)电力以操作所述磁共振成像系统。49.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力系统包括被配置成从单相壁式插座接收AC电力的至少一个电源。50.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述B0磁体被配置成产生用于所述磁共振成像系统的在小于.1T且大于或等于约20mT的极低场强下的B0场。51.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述B0磁体被配置成产生用于所述磁共振成像系统的在小于.1T且大于或等于约50mT的极低场强下的B0场。52.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述B0磁体被配置成产生用于所述磁共振成像系统的在小于或等于50mT且大于或等于约20mT的极低场强下的B0场。53.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述B0磁体被配置成产生用于所述磁共振成像系统的在小于或等于20mT且大于或等于约10mT的极低场强下的B0场。54.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述一个或更多个电力部件包括：第一功率放大器，其用于向第一梯度线圈提供电力；第二功率放大器，其用于向第二梯度线圈提供电力；以及第三功率放大器，其用于向第三梯度线圈提供电力，所述第一功率放大器、所述第二功率放大器和所述第三功率放大器一起形成用于所述低场磁共振系统的梯度系统，并且其中，所述梯度系统在图像获取期间使用小于或等于约1千瓦的平均值。55.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述梯度系统在图像获取期间使用小于或等于约500瓦的平均值。56.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述梯度系统在图像获取期间使用小于或等于约200瓦的平均值。57.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述梯度系统在图像获取期间使用小于或等于约100瓦的平均值。58.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，还包括基座，所述基座支承所述B0磁体、所述第一梯度线圈、所述第二梯度线圈和所述第三梯度线圈，并且容纳所述第一功率放大器、所述第二功率放大器和所述第三功率放大器。59.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述一个或更多个电力部件包括第一功率放大器以向至少一个射频线圈提供电力以形成用于所述低场磁共振系统的射频发送系统，并且其中，所述射频发送系统在图像获取期间使用小于或等于约250瓦的平均值。60.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述射频发送系统在图像获取期间使用小于或等于约100瓦的平均值。61.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述射频发送系统在图像获取期间使用小于或等于约50瓦的平均值。62.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，还包括运输机构，所述运输机构允许所述低场磁共振成像系统被运送到期望位置。63.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述低场磁共振成像系统具有小于或等于约50英寸的最大水平尺寸。64.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述低场磁共振成像系统具有小于或等于约40英寸的最大水平尺寸。65.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述低场磁共振成像系统具有小于或等于约35英寸的最大水平尺寸。66.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述低场磁共振成像系统具有小于或等于约30英寸的最大水平尺寸。67.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述低场磁共振成像系统的重量小于1500磅。68.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述低场磁共振成像系统的重量小于1000磅。69.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述低场磁共振成像系统具有5高斯线，所述5高斯线具有小于或等于5英尺的最大尺寸。70.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述低场磁共振成像系统具有5高斯线，所述5高斯线具有小于或等于4英尺的最大尺寸。71.一种低场磁共振成像系统，包括：磁性系统，其具有多个磁性部件，所述多个磁性部件被配置成产生用于执行磁共振成像的磁场，所述磁性系统包括：B0磁体，其被配置成产生用于所述磁共振成像系统的B0场；多个梯度线圈，其被配置成：当被操作时，生成磁场以提供发射的磁共振信号的空间编码；以及至少一个射频线圈，其被配置成：当被操作时，将射频信号发送到所述磁共振成像系统的视场并对从所述视场发射的磁共振信号做出响应；以及电力系统，其包括一个或更多个电力部件，所述一个或更多个电力部件被配置成向所述磁性系统提供电力以操作所述磁共振成像系统以执行图像获取，其中，所述电力系统在图像获取期间使用小于1.6千瓦的平均值来操作所述低场磁共振成像系统。72.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，包括电力连接器，所述电力连接器被配置成：连接至单相插座以接收市电并将所述市电输送到所述电力系统以提供操作所述磁共振成像系统所需的电力。73.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述磁共振成像系统经由接收市电的单个电力连接器被操作。74.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力连接器被配置成连接至提供约110伏特与120伏特之间并且额定电流至少为15安培的单相插座，并且其中，所述电力系统能够根据由所述单相插座提供的电力提供用以操作所述磁共振成像系统的电力。75.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力连接器被配置成连接至提供约220伏特与240伏特之间并且额定电流至少为12安培的单相插座，并且其中，所述电力系统能够根据由所述单相插座提供的电力提供用以操作所述磁共振成像系统的电力。76.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述B0磁体包括至少一个永磁体，所述至少一个永磁体被配置成产生小于或等于约.1T且大于或等于约40mT的B0场。77.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力系统包括至少一个电源，所述至少一个电源被配置成从壁式插座接收在85伏特与250伏特之间的范围内、在约50赫兹至60赫兹下的交流(AC)电力，并且将所述AC电力转换为直流(DC)电力以操作所述磁共振成像系统。78.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力系统包括被配置成从单相壁式插座接收AC电力的至少一个电源。79.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述一个或更多个电力部件包括：第一功率放大器，其用于向第一梯度线圈提供电力；第二功率放大器，其用于向第二梯度线圈提供电力；以及第三功率放大器，其用于向第三梯度线圈提供电力，所述第一功率放大器、所述第二功率放大器和所述第三功率放大器一起形成用于所述低场磁共振系统的梯度系统，并且其中，所述梯度系统在图像获取期间使用小于或等于约1千瓦的平均值。80.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述梯度系统在图像获取期间使用小于或等于约500瓦的平均值。81.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述梯度系统在图像获取期间使用小于或等于约200瓦的平均值。82.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述梯度系统在图像获取期间使用小于或等于约100瓦的平均值。83.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，还包括基座，所述基座支承所述B0磁体、所述第一梯度线圈、所述第二梯度线圈和所述第三梯度线圈，并且容纳所述第一功率放大器、所述第二功率放大器和所述第三功率放大器。84.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述一个或更多个电力部件包括第一功率放大器以向至少一个射频线圈提供电力以形成用于所述低场磁共振系统的射频发送系统，并且其中，所述射频发送系统在图像获取期间使用小于或等于约250瓦的平均值。85.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述射频发送系统在图像获取期间使用小于或等于约100瓦的平均值。86.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述射频发送系统在图像获取期间使用小于或等于约50瓦的平均值。87.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，还包括运输机构，所述运输机构允许所述低场磁共振成像系统被运送到期望位置。88.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力系统在图像获取期间使用小于1千瓦的平均值来操作所述低场磁共振成像系统。89.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述电力系统在图像获取期间使用小于750瓦的平均值来操作所述低场磁共振成像系统。90.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述低场磁共振成像系统具有小于或等于约50英寸的最大水平尺寸。91.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述低场磁共振成像系统具有小于或等于约40英寸的最大水平尺寸。92.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述低场磁共振成像系统具有小于或等于约35英寸的最大水平尺寸。93.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述低场磁共振成像系统具有小于或等于约30英寸的最大水平尺寸。94.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述低场磁共振成像系统的重量小于1500磅。95.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述低场磁共振成像系统的重量小于1000磅。96.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述低场磁共振成像系统具有5高斯线，所述5高斯线具有小于或等于5英尺的最大尺寸。97.根据前述权利要求中任一项所述的低场磁共振成像系统，其中，所述低场磁共振成像系统具有5高斯线，所述5高斯线具有小于或等于4英尺的最大尺寸。98.一种便携式磁共振成像系统，包括：B0磁体，其被配置成产生用于所述磁共振成像系统的成像区域的B0磁场；噪声降低系统，其被配置成检测和抑制所述便携式磁共振成像系统的操作环境中的至少一些电磁噪声；以及电磁屏蔽，其被设置成减弱所述便携式磁共振成像系统的操作环境中的电磁噪声中的至少一些电磁噪声，所述电磁屏蔽被布置成屏蔽所述便携式磁共振成像系统的成像区域的一部分。99.根据前述权利要求中任一项所述的便携式磁共振成像系统，其中，所述电磁屏蔽被布置成屏蔽所述磁共振成像系统的小于百分之七十五的成像区域。100.根据前述权利要求中任一项所述的便携式磁共振成像系统，其中，所述电磁屏蔽被布置成屏蔽所述磁共振成像系统的小于百分之五十的成像区域。101.根据前述权利要求中任一项所述的便携式磁共振成像系统，其中，所述电磁屏蔽被布置成屏蔽所述磁共振成像系统的小于百分之二十五的成像区域。102.根据前述权利要求中任一项所述的便携式磁共振成像系统，其中，所述电磁屏蔽被布置成屏蔽所述磁共振成像系统的小于百分之十的成像区域。103.根据前述权利要求中任一项所述的便携式磁共振成像系统，还包括用于至少所述B0磁体的壳体，其中，所述电磁屏蔽包括至少一个电磁屏蔽结构，所述至少一个电磁屏蔽结构可调节地耦接至所述壳体以屏蔽所述成像区域。104.根据前述权利要求中任一项所述的便携式磁共振成像系统，其中，所述至少一个电磁屏蔽结构是可调节的，以在所述成像区域的至少百分之七十五与百分之五十之间的范围内进行屏蔽。105.根据前述权利要求中任一项所述的便携式磁共振成像系统，其中，所述至少一个电磁屏蔽结构是可调节的，以在所述成像区域的至少百分之七十五与百分之二十五之间的范围内的范围内进行屏蔽。106.根据前述权利要求中任一项所述的便携式磁共振成像系统，其中，所述至少一个电磁屏蔽结构是可调节的，以在所述成像区域的至少百分之五十与百分之二十五之间的范围内进行屏蔽。107.根据前述权利要求中任一项所述的便携式磁共振成像系统，其中，所述至少一个电磁屏蔽结构包括耦接至所述壳体的多个可移动屏蔽件。108.根据前述权利要求中任一项所述的便携式磁共振成像系统，其中，所述多个可移动屏蔽件能够独立于彼此被移动，以允许所述成像区域的屏蔽量被改变。109.根据前述权利要求中任一项所述的便携式磁共振成像系统，其中，所述噪声降低系统被配置成：响应于所述至少一个电磁屏蔽结构的不同布置而动态地抑制和/或补偿所述电磁噪声中的至少一些电磁噪声。110.根据前述权利要求中任一项所述的便携式磁共振成像系统，其中，所述至少一个射频线圈包括多个射频线圈，并且其中，所述便携式磁共振成像系统包括至少一个去耦电路，所述至少一个去耦电路耦接至所述多个射频线圈中的至少一个射频线圈以减少穿过所述多个射频线圈中的所述至少一个射频线圈的电流的量。111.根据前述权利要求中任一项所述的便携式磁共振成像系统，其中，所述至少一个去耦电路包括槽路，所述槽路限制流过所述多个射频线圈中的所述至少一个射频线圈的电流。112.根据前述权利要求中任一项所述的便携式磁共振成像系统，其中，所述至少一个去耦电路包括：第一槽路，其被配置成限制流过所述多个射频线圈中的所述至少一个射频线圈的电流；第二槽路，其被配置成限制流过所述多个射频线圈中的所述至少一个射频线圈的电流；以及发送/接收开关，其在发送周期期间将所述第一槽路耦接至所述多个射频线圈中的所述至少一个射频线圈并且在接收周期期间将所述第二槽路耦接至所述多个射频线圈中的所述至少一个射频线圈。113.根据前述权利要求中任一项所述的便携式磁共振成像系统，其中，所述第一槽路和所述第二槽路共享至少一个电路部件。114.根据前述权利要求中任一项所述的便携式磁共振成像系统，其中，所述至少一个去耦电路包括电感器，所述电感器经由反馈电路与所述多个射频线圈中的所述至少一个射频线圈并联地耦接，以减少流过所述多个射频线圈中的所述至少一个射频线圈的电流的量。115.根据前述权利要求中任一项所述的便携式磁共振成像系统，其中，所述至少一个射频线圈包括至少一个主射频线圈和至少一个辅助射频线圈，并且其中，所述至少一个去耦电路包括第一去耦电路和第二去耦电路，所述第一去耦电路耦接至所述至少一个主频率线圈，所述第二去耦电路耦接至所述至少一个辅助线圈。116.根据前述权利要求中任一项所述的便携式磁共振成像系统，其中，所述第一去耦电路和所述第二去耦电路具有不同的类型。117.根据前述权利要求中任一项所述的便携式磁共振成像系统，其中，所述第一去耦电路和所述第二去耦电路具有相同的类型。118.根据前述权利要求中任一项所述的便携式磁共振成像系统，其中，所述B0磁体被配置成产生在小于或等于约.2T且大于或等于约.1T的强度下的B0场。119.根据前述权利要求中任一项所述的便携式磁共振成像系统，其中，所述B0磁体被配置成产生在小于或等于约.1T且大于或等于约50mT的强度下的B0场。120.根据前述权利要求中任一项所述的便携式磁共振成像系统，其中，所述B0磁体被配置成产生在小于或等于约50mT且大于或等于约20mT的强度下的B0场。121.根据前述权利要求中任一项所述的便携式磁共振成像系统，其中，所述B0磁体被配置成产生在小于或等于约20mT且大于或等于约10mT的强度下的B0场。122.根据前述权利要求中任一项所述的便携式磁共振成像系统，其中，所述电磁屏蔽包括至少一个传导条，所述至少一个传导条连接所述磁共振成像系统的上部和下部以形成至少一个传导回路。123.根据前述权利要求中任一项所述的便携式磁共振成像系统，其中，所述便携式磁共振成像系统还包括至少一个铁磁部件，所述至少一个铁磁部件被配置成捕获和引导由所述B0磁体生成的...

【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔·斯蒂芬·普尔，锡德里克·胡贡，哈德里安·A·迪福内，托德·雷亚里克，劳拉·萨科利克，杰里米·克里斯托弗·乔丹，克里斯托弗·托马斯·麦克纳尔蒂，乔纳森·M·罗思伯格，小阿兰·B·卡策，威廉姆·J·米莱斯基，
申请(专利权)人：海珀菲纳研究股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US