一种单色偏振式CIS及图像处理方法、存储介质技术

本申请实施例提供了一种单色偏振式CIS及图像处理方法、存储介质，该单色偏振式CIS包括：在预设方向排布至少一个光电二极管PD柱的亚波长像素单元，亚波长像素单元用于利用PD柱吸收预设波长的成像光信号在预设方向偏振的RGB单色光；与亚波长像素单元连接的图像处理器，用于利用RGB单色光确定出偏振信息，并基于偏振信息得到成像光信号对应的偏振图像。

A Monochromatic Polarization CIS and Its Image Processing Method and Storage Media

【技术实现步骤摘要】
一种单色偏振式CIS及图像处理方法、存储介质
本申请涉及图像处理领域，尤其涉及一种单色偏振式CIS及图像处理方法、存储介质。
技术介绍
互补金属氧化物半导体(CMOS，ComplementaryMetal-OxideSemiconductor)图像传感器(CIS，CMOSImageSensor)具有集成度高、功耗小、速度快和成本低等特点，在高分辨率像素产品方面应用广泛。CIS包括单色偏振和彩色偏振这两种形式，而单色偏振由于无需进行后期的色彩处理，使得单色偏振比彩色偏振的成像效率高，故，单色偏振在实际中的应用更为广泛。现有的单色偏振式CIS的结构如图1所示，包括微透镜阵列、偏振器阵列和像素阵列，其中，每个像素包括一个光电二极管(PD，PhotoDiode)结构，在PD结构上放置一个角度的偏振片，每四个像素分别放置了四个不同角度的偏振片，将每四个像素作为一个计算单元，通过不同方向偏振器之间的关联计算偏振程度和偏振方向，进而根据偏振程度和偏振方向得到偏振图像。然而，现有的单色偏振式CIS需要在四个PD柱上放置四个不同角度的偏振片，其中每个像素只能吸收一个角度的偏振光，当成像光信号的波长小于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单色偏振式互补金属氧化物半导体图像传感器CIS，其特征在于，所述单色偏振式CIS包括：在预设方向排布至少一个光电二极管PD柱的亚波长像素单元，所述亚波长像素单元用于利用PD柱吸收预设波长的成像光信号在所述预设方向偏振的RGB单色光；与所述亚波长像素单元连接的图像处理器，用于利用所述RGB单色光确定出偏振信息，并基于所述偏振信息得到所述成像光信号对应的偏振图像。

【技术特征摘要】
1.一种单色偏振式互补金属氧化物半导体图像传感器CIS，其特征在于，所述单色偏振式CIS包括：在预设方向排布至少一个光电二极管PD柱的亚波长像素单元，所述亚波长像素单元用于利用PD柱吸收预设波长的成像光信号在所述预设方向偏振的RGB单色光；与所述亚波长像素单元连接的图像处理器，用于利用所述RGB单色光确定出偏振信息，并基于所述偏振信息得到所述成像光信号对应的偏振图像。2.根据权利要求1所述的单色偏振式CIS，其特征在于，所述亚波长像素单元的像素尺寸小于所述预设波长。3.根据权利要求1所述的单色偏振式CIS，其特征在于，所述PD柱的尺寸是基于单色的共振波长和所述成像光信号的折射率确定的，所述PD柱的形状至少包括长方形、圆形、平行四边形和菱形。4.根据权利要求1或3所述的单色偏振式CIS，其特征在于，所述PD柱的尺寸度量级别为百纳米级，所述预设方向排布的至少一个PD柱的尺寸和形状相同。5.根据权利要求1所述的单色偏振式CIS，其特征在于，所述预设方向至少包括0度、45度、90度和135度。6.根据权利要求1所述的单色偏振式CIS，其特征在于，所述单色偏振式CIS还包括：与所述至少一个PD柱连接的读出电路，所述读出电路与所述图像处理器连接；所述至少一个PD柱，具体用于将所述RGB单色光转换为所述预设方向的电信号；所述读出电路，用于将所述预设方向的电信号转换为数字信号，得到R...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨鑫，
申请(专利权)人：OPPO广东移动通信有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44