显示设备制造技术

本申请涉及一种显示设备。该显示设备包括：第一薄膜晶体管，包括第一半导体；第一电极层，位于第一半导体上方并且与第一半导体的沟道区重叠；数据线，位于第一电极层上方；第四薄膜晶体管，包括第四半导体，第四半导体的一端连接至第一电极层，且第四半导体的另一端连接至初始化电压线；以及屏蔽层，位于数据线和第四半导体之间的层中并且与第四半导体的第一沟道区和第四沟道区之间的部分重叠。

Display device

【技术实现步骤摘要】
显示设备分案申请声明本申请是于2015年8月3日提交的、专利技术名称为“显示设备”的第201510468235.8号专利技术专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请要求于2014年8月5日提交于韩国知识产权局的第10-2014-0100700号韩国专利申请的优先权及权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
本专利技术的实施方式涉及显示设备。
技术介绍
在有机发光显示设备中，薄膜晶体管(TFT)可位于每个(子)像素中以控制每个(子)像素的亮度。这种TFT根据接收到的数据信号控制(子)像素的亮度。然而，一般的显示设备的(子)像素中实现的亮度可与取决于接收到的数据信号的亮度不同。因此，显示在一般显示设备上的图像会具有恶化的品质。
技术实现思路
本专利技术的一个或多个实施方式包括用于防止显示图像的品质恶化的显示设备。附加的方面将部分地记载于下面的描述中，并且将部分地通过描述而变得明确或者可通过当前的实施方式的实践而习得。根据本专利技术的一些实施方式，显示设备包括具有源电极、漏电极和栅电极的薄膜晶体管、位于不同于源电极、漏电极和栅电极的层中并且配置成传送数据信号的数据线、以及位于数据线与薄膜晶体管的部件之间的屏蔽层。屏蔽层可位于源电极与数据线之间、漏电极与数据线之间、或者栅电极与数据线之间中的至少一处。显示设备还可包括存储电容器，该存储电容器包括第一存储电容器板和第二存储电容器板，第二存储电容器板与第一存储电容器板重叠并且位于第一存储电容器板上方，数据线可位于第二存储电容器板上方的层中，第二存储电容器板可包括屏蔽层，并且屏蔽层可在栅电极与数据线之间延伸或者在数据线下方延伸。第一存储电容器板可电耦合至栅电极。第一存储电容器板和栅电极可形成为一体。栅电极可包括第一栅电极和第二栅电极，屏蔽层可位于数据线与位于薄膜晶体管的第一栅电极与第二栅电极之间的部件之间。显示设备还可包括存储电容器，存储电容器包括第一存储电容器板和第二存储电容器板，第二存储电容器板与第一存储电容器板重叠并且位于第一存储电容器板上方，数据线可位于第二存储电容器板上方的层中，以及第二存储电容器板可包括屏蔽层，并且在数据线与部件之间、薄膜晶体管的第一栅电极和第二栅电极之间、或者在数据线下方中的至少一处延伸。显示设备还可包括驱动薄膜晶体管，驱动薄膜晶体管包括电耦合至第一存储电容器板的驱动栅电极以及电耦合至源电极的驱动漏电极，并且第一存储电容器板可电耦合至漏电极。显示设备还可包括：存储电容器，存储电容器包括第一存储电容器板和第二存储电容器板，第二存储电容器板与第一存储电容器板重叠并且位于第一存储电容器板上方；以及初始化电压线，配置成向电耦合至第一存储电容器板的驱动薄膜晶体管的驱动栅电极传送初始化电压，初始化电压线可位于与第二存储电容器板相同的层中，漏电极可电耦合至第一存储电容器板，并且源电极可电耦合至初始化电压线，数据线可位于第二存储电容器板上方的层中，并且屏蔽层可与初始化电压线集成并且在数据线与部件之间、薄膜晶体管的第一栅电极和第二栅电极之间的部件上方、或者在数据线下方中的至少一处延伸。根据本专利技术的一些实施方式，显示设备包括薄膜晶体管、数据线、存储电容器、以及初始化电压线，其中，薄膜晶体管包括源电极、漏电极和栅电极，数据线位于与源电极、漏电极和栅电极不同的层中并且数据线配置成传送数据信号，存储电容器包括电耦合至漏电极的第一存储电容器板以及位于不同于第一存储电容器板的层中并且与第一存储电容器板重叠的第二存储电容器板，初始化电压线配置成向电耦合至第一存储电容器板的驱动薄膜晶体管的驱动栅电极传送初始化电压并且电耦合至源电极，其中，栅电极包括第一栅电极和第二栅电极，第一栅电极和第二栅电极中的一个至少部分地位于薄膜晶体管的第一栅电极与第二栅电极之间的部件与数据线之间。第一栅电极和第二栅电极中的一个可在数据线下方或上方延伸。根据本专利技术的一些实施方式，显示设备包括具有源电极、漏电极和栅电极的薄膜晶体管、位于与源电极、漏电极和栅电极不同的层中并且配置成传送控制信号的控制信号线、以及位于控制信号线与薄膜晶体管的部件之间的屏蔽层。附图说明通过结合附图的实施方式的以下描述，这些方面和/或其他方面将变得明确且更容易理解，在附图中：图1是根据本专利技术实施方式的有机发光显示设备的(子)像素的电路图；图2是示意性示出根据本专利技术实施方式的图1的(子)像素中的多个薄膜晶体管(TFT)和电容器的位置的示意图；图3至图6是按照各个层来示出图2的多个TFT和电容器的部件的示意图；图7是沿图2的线VII-VII取得的剖视图；图8是根据本专利技术一些实施方式的有机发光显示设备的剖视图；图9是沿图2的线IX-IX取得的剖视图；图10是沿图2的线X-X取得的剖视图；图11是示出根据本专利技术另一实施方式的有机发光显示设备的(子)像素中的多个TFT和电容器的位置的示意图；以及图12是沿图11的线XII-XII取得的剖视图。具体实施方式通过参考下面的对于实施方式以及附图的详细描述，可更加容易理解本专利技术的一个或多个实施方式的方面和特征以及实现其的方法。由此，本实施方式可具有不同的形式，并且不应被解释为受限于本文中所记载的描述。相反，这些实施方式被提供以便本公开将是更加透彻且完整，并且将本实施方式的概念更加全面地传递给本领域的普通技术人员，并且本专利技术将仅通过随附的权利要求书及其等同物来限定。在下文中，将在下面参照附图对本专利技术的一个或多个实施方式进行更加详细的描述。与附图编号无关地，相同或相对应的那些部件赋予相同的参考编号，并且省略冗余的解释。应理解，当层、区域或部件被称为“形成在”另一层、区域或部件“上”时，其可直接或间接地形成在另一层、区域或部件上。即，例如，可存在有中间层、区域或部件。为了解释的便利起见，附图中的元件的大小可被夸大。换言之，因为为了解释的便利起见部件在附图中的大小和厚度是被任意示出的，所以下面的实施方式并不限于此。在下面的示例中，x-轴线、y-轴线和z-轴线并不限于直角坐标系的三个轴线，并且可被解释成更宽泛的含义。例如，x-轴线、y-轴线和z-轴线可彼此垂直，或者可表示并不彼此垂直的不同的方向。如本文中所使用，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任意和所有组合。图1是根据本专利技术一些实施方式的有机发光显示设备的(子)像素的等效电路图。如图1中所示，根据实施方式的有机发光显示设备的(子)像素包括多个信号线、耦合至多个信号线的多个薄膜晶体管(TFT)、存储电容器Cst、以及有机发光器件OLED。此处，多个信号线可由多个(子)像素共享。多个TFT包括驱动TFTT1、开关TFTT2、补偿TFTT3、初始化TFTT4、操作控制TFTT5、以及发射控制TFTT6。多个信号线包括传送扫描信号Sn的扫描线121、向初始化TFTT4传送先前扫描信号Sn-1的先前扫描线122、向操作控制TFTT5和发射控制TFTT6传送发射控制信号En的发射控制线123、与扫描线121交叉并且传送数据信号Dm的数据线171、传送驱动电压ELVDD并且几乎与数据线171平行布置的驱动电压线172、以及传送用于初始化驱动TFTT1的初始化电压Vint的初始化电压线124。驱动TFTT1的栅电极G1耦合至存储电容器Cst的第一存储电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.显示设备，包括：第一薄膜晶体管，包括第一半导体；第一电极层，位于所述第一半导体上方并且与所述第一半导体的沟道区重叠；数据线，位于所述第一电极层上方；第四薄膜晶体管，包括第四半导体，所述第四半导体的一端连接至所述第一电极层，且所述第四半导体的另一端连接至初始化电压线；以及屏蔽层，位于所述数据线和所述第四半导体之间的层中并且与所述第四半导体的第一沟道区和第四沟道区之间的部分重叠。

【技术特征摘要】
2014.08.05 KR 10-2014-01007001.显示设备，包括：第一薄膜晶体管，包括第一半导体；第一电极层，位于所述第一半导体上方并且与所述第一半导体的沟道区重叠；数据线，位于所述第一电极层上方；第四薄膜晶体管，包括第四半导体，所述第四半导体的一端连接至所述第一电极层，且所述第四半导体的另一端连接至初始化电压线；以及屏蔽层，位于所述数据线和所述第四半导体之间的层中并且与所述第四半导体的第一沟道区和第四沟道区之间的部分重叠。2.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述第四薄膜晶体管的栅电极包括位于同一层中的第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极与所述第四半导体的所述第一沟道区重叠，且所述第二栅电极与所述第四半导体的所述第四沟道区重叠，以及其中，所述第四薄膜晶体管的所述栅电极是与所述数据线交叉的扫描线的一部分且位于与所述第一电极层相同的层中。3.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述屏蔽层是所述初始化电压线的一部分。4.如权利要求1所述的显示设备，还包括：连接线，连接所述第四半导体的所述一端和所述第一电极层，并且位于与所述数据线相同的层中。5.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述屏蔽层是电屏蔽层。6.显示设备，包括：第一薄膜晶体管，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：金阳完，郭源奎，盧载斗，李在容，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR