一种高集成度光保护开关制造技术

本发明专利技术属于光通信技术领域，公开了一种高集成度光保护开关，包括：主路探测单元、备路探测单元、分束器、光开关切换单元、出射端光纤准直器；主路探测单元包括主路入射光纤准直器、第一会聚透镜、主路端口光探测芯片；备路探测单元包括备路入射光纤准直器、第二会聚透镜、备路端口光探测芯片。本发明专利技术解决了现有技术中光保护开关的制作周期长、插入损耗高、封装体积大的问题，具有制作周期短、插入损耗低、封装体积小等优点。

A High Integration Photoprotective Switch

【技术实现步骤摘要】
一种高集成度光保护开关
本专利技术涉及光通信
，尤其涉及一种高集成度光保护开关。
技术介绍
1x2光开关被广泛的应用于光线路保护(OpticalLineProtect)系统中,在具体应用时一般会在1x2光开关器件的端口上各配置一个分光探测器(TAPPD)来对主路和备路进行光功率检测，以实现系统根据线路实时光功率水平来进行主-备自动倒换。目前，在工艺上采用把分立器件通过熔接和盘纤等工序组合在一起来做成光保护功能模块的方式来实现，如图1所示，但这种方案存在制作周期长、插入损耗高、封装体积大等缺点。
技术实现思路
本申请实施例通过提供一种高集成度光保护开关，解决了现有技术中光保护开关的制作周期长、插入损耗高、封装体积大的问题。本申请实施例提供一种高集成度光保护开关，包括：主路探测单元、备路探测单元、分束器、光开关切换单元、出射端光纤准直器；所述主路探测单元包括主路入射光纤准直器、第一会聚透镜、主路端口光探测芯片；所述备路探测单元包括备路入射光纤准直器、第二会聚透镜、备路端口光探测芯片；第一光信号从所述主路入射光纤准直器输入，经过所述分束器后，反射的光信号经过所述第一会聚透镜聚焦到所述主路本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高集成度光保护开关，其特征在于，包括：主路探测单元、备路探测单元、分束器、光开关切换单元、出射端光纤准直器；所述主路探测单元包括主路入射光纤准直器、第一会聚透镜、主路端口光探测芯片；所述备路探测单元包括备路入射光纤准直器、第二会聚透镜、备路端口光探测芯片；第一光信号从所述主路入射光纤准直器输入，经过所述分束器后，反射的光信号经过所述第一会聚透镜聚焦到所述主路端口光探测芯片上，所述主路端口光探测芯片获得第一探测信息；第二光信号从所述备路入射光纤准直器输入，经过所述分束器后，反射的光信号经过所述第二会聚透镜聚焦到所述备路端口光探测芯片上，所述备路端口光探测芯片获得第二探测信息；所述光开关切...

【技术特征摘要】
1.一种高集成度光保护开关，其特征在于，包括：主路探测单元、备路探测单元、分束器、光开关切换单元、出射端光纤准直器；所述主路探测单元包括主路入射光纤准直器、第一会聚透镜、主路端口光探测芯片；所述备路探测单元包括备路入射光纤准直器、第二会聚透镜、备路端口光探测芯片；第一光信号从所述主路入射光纤准直器输入，经过所述分束器后，反射的光信号经过所述第一会聚透镜聚焦到所述主路端口光探测芯片上，所述主路端口光探测芯片获得第一探测信息；第二光信号从所述备路入射光纤准直器输入，经过所述分束器后，反射的光信号经过所述第二会聚透镜聚焦到所述备路端口光探测芯片上，所述备路端口光探测芯片获得第二探测信息；所述光开关切换单元用于根据所述第一探测信息、所述第二探测信息切入主路光路或备路光路，并输出第三光信号；所述第三光信号通过所述出射端光纤准直器输出；其中，所述主路光路为所述第一光信号经过所述分束器后透射的光信号光路，所述备路光路为所述第二光信号经过所述分束器后透射的光信号光路。2.根据权利要求1所述的高集成度光保护开关，其特征在于，所述光开关切换单元包括斜方棱镜、连接杆、继电器；所述连接杆的一端粘接固定所述斜方棱镜，所述连接杆的另一端固定在所述继电器上；所述继电器根据所述第一探测信息、所述第二探测信息带动所述斜方棱镜切入主路光路或备路光路。3.根据权利要求2所述的高集成度光保护开关，其特征在于，还包括：陶瓷垫块；所述陶瓷垫块的表面区域镀有金属化镀层，所述主路端口探测芯片、所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宁，肖清明，王敏，
申请(专利权)人：武汉光迅科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42