柔性印刷基板用铜箔、使用其的覆铜层叠体、柔性印刷基板、和电子设备制造技术

技术编号:21738590 阅读:21 留言:0更新日期:2019-07-31 20:20
[课题]提供蚀刻性优异的柔性印刷基板用铜箔、使用其的覆铜层叠体、柔性印刷基板、和电子设备。[解决手段]柔性印刷基板用铜箔,其是包含99.0质量%以上的Cu、余量的不可避免的杂质的铜箔,平均晶粒直径为0.5~4.0μm,铜箔表面的X射线衍射强度I(220)/I0(220)所表示的集合度为1.3以上且低于7.0,电导率为80%以上。

Copper foil for flexible printed substrates, copper-clad laminates using them, flexible printed substrates, and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
柔性印刷基板用铜箔、使用其的覆铜层叠体、柔性印刷基板、和电子设备
本专利技术涉及适合于在柔性印刷基板等配线部件中使用的铜箔、使用其的覆铜层叠体、柔性配线板、和电子设备。
技术介绍
柔性印刷基板(柔性配线板,以下称为“FPC”)由于具有柔性,因此广泛用于电子电路的弯折部、移动部。例如,在HDD、DVD和CD-ROM等盘相关设备的移动部、折叠式移动电话机的弯折部等中,使用FPC。FPC通过对将层叠铜箔和树脂层叠而得到的CopperCladLaminate(覆铜层叠体,以下称为CCL)进行蚀刻而形成配线、并在其上通过被称为覆盖膜的树脂层覆盖而得到。将覆盖膜进行覆盖之前的阶段中,作为用于提高铜箔与覆盖膜的密合性的表面改性步骤的一环,进行铜箔表面的蚀刻。此外,为了减少铜箔的厚度而提高弯曲性,有时进行减壁蚀刻。然而,伴随电子设备的小型、薄型、高性能化,要求FPC的电路宽度、间隔宽度的微细化(例如20~30μm左右)。如果FPC的电路微细化,则通过蚀刻而形成电路时,存在蚀刻因子、电路直线性容易劣化的问题(专利文献1、2)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2017-141501号公报专利文献2:日本特开2017-179390号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而,现有技术中,作为改善蚀刻性的方案而进行了将平均晶粒直径等最优化,但微细电路的形成中的蚀刻性方面还存在改善的余地。本专利技术为了解决上述课题而进行,目的在于,提供蚀刻性优异的柔性印刷基板用铜箔、使用其的覆铜层叠体、柔性印刷基板、和电子设备。用于解决问题的手段本专利技术人等进行多种研究的结果发现,<;220>方位的蚀刻速度大。特别地,利用氯化铜蚀刻剂的蚀刻中,不存在因方位而导致的蚀刻速度的差异。因此,通过增多<220>方位的晶粒,成功地进一步提高蚀刻性(特别是软蚀刻性和蚀刻因子)。即,本专利技术的柔性印刷基板用铜箔是包含99.0质量%以上的Cu、余量的不可避免的杂质的压延铜箔,平均晶粒直径为0.5~4.0μm、铜箔表面的X射线衍射强度I(220)/I0(220)所表示的集合度为1.3以上且低于7.0,电导率为80%以上。本专利技术的柔性印刷基板用铜箔优选包含JIS-H3100(C1100)中规定的韧铜(Tough-Pitchcopper)或JIS-H3100(C1020)的无氧铜。本专利技术的柔性印刷基板用铜箔优选进一步作为添加元素而含有总计0.7质量%以下的选自P、Ag、Si、Ge、Al、Ga、Zn、Sn和Sb中的至少1种或2种以上。本专利技术的柔性印刷基板用铜箔中,优选在300℃×30min退火(其中,升温速度为100℃/min~300℃/min)后,前述平均晶粒直径为0.5~4.0μm,前述集合度为1.3以上且低于7.0,前述电导率为80%以上。本专利技术的覆铜层叠体是将前述柔性印刷基板用铜箔和树脂层层叠而得到的。本专利技术的柔性印刷基板是在前述覆铜层叠体中的前述铜箔上形成电路而得到的。本专利技术的电子设备是使用前述柔性印刷基板而得到的。专利技术效果根据本专利技术,可以得到蚀刻性(特别是软蚀刻性和蚀刻因子)优异的柔性印刷基板用铜箔。附图说明图1是示出蚀刻因子EF的测定方法的图。图2是示出蚀刻因子EF的测定方法的另一个图。具体实施方式以下,针对本专利技术所涉及的铜箔的实施方式进行说明。应予说明,本专利技术中,%在没有特别说明的情况下表示质量%。首先,针对蚀刻性中的软蚀刻性和蚀刻因子EF,进行说明。软蚀刻性是表示由铜箔表面与阻蚀剂的密合性引起的通过蚀刻而得到的电路的精度的指标,阻蚀剂的密合性越良好且阻蚀剂越追随铜箔表面,则越抑制了蚀刻液侵入两者间从而电路部分缺损的缺陷,在铜箔整面上得到均匀的电路图案从而提高收率。蚀刻因子EF是通过蚀刻而形成的电路的截面形状的指标,EF越高,则通过蚀刻而形成的电路的截面变得越锐利,因此在将电路微细化时电路图案的精度提高。即使软蚀刻性良好,蚀刻因子EF差时,尽管在铜箔整面上得到均匀的电路图案而收率提高,但将电路微细化时电路图案的精度降低。相反,即使蚀刻因子EF良好,软蚀刻性差时,尽管将电路微细化时电路图案的精度提高,但(由于蚀刻液容易侵入铜箔表面与阻蚀剂间),因此发生电路部分缺损的缺陷,无法在铜箔整面上得到均匀的电路图案,收率降低。<组成>本专利技术所涉及的铜箔包含99.0质量%以上的Cu、余量的不可避免的杂质。本专利技术的实施例中,通过将铜箔的最终冷轧前的晶粒直径微细化,在冷轧中促进了铜箔的位错的蓄积,在再结晶时使再结晶粒变得微细。此外,如果在冷轧的最终遍中使应变速度极端变高,则在再结晶时再结晶粒沿着特定的方位取向,即抑制了{200}面集合度,且能够提高{220}面集合度,蚀刻性提高。此外,为了将铜箔的再结晶后的晶粒微细化,在反复进行退火和压延的步骤整体中,优选将最终退火后进行的最终冷轧前的晶粒直径设为5μm以上且20μm以下。具体而言,如果调整最终退火的温度、和最终退火前的冷轧的加工度,则能够控制上述粒径。最终退火的温度根据铜箔的制造条件而变化,没有限定,设为例如300~400℃即可。此外,最终退火前的冷轧的加工度也没有限定,例如将加工度η设为1.6~3.0即可。加工度η将最终退火前的即将冷轧前的材料的厚度记作A0、最终退火前的刚冷轧后的材料的厚度设为A1,用η=ln(A0/A1)表示。最终冷轧前的晶粒直径大于20μm时,加工时的位错的交缠变小,应变的蓄积变少,因此在再结晶后应变未被释放,存在晶粒的微细化变得不充分的倾向。最终冷轧前的晶粒直径小于5μm时,加工时的位错的交缠在铜箔的几乎全部区域中发生而无法进行该程度以上的交缠,铜箔的再结晶时再结晶粒微细化的效果饱和。因此,将最终冷轧前的晶粒直径的下限设为5μm。此外,作为添加元素,如果相对于上述组成含有总计0.7质量%以下的选自P、Ag、Si、Ge、Al、Ga、Zn、Sn和Sb中的至少1种或2种以上,则能够将再结晶粒微细化。上述添加元素在冷轧时增加位错的交缠的频率,因此能够使再结晶粒微细化。如果总计含有大于0.7质量%的上述添加元素,则电导率降低,有时不适合作为柔性基板用铜箔,因此将0.7质量%设为上限。上述添加元素的含量的下限没有特别限制,例如对各元素而言控制为小于0.0005质量%在工业上是困难的,因此可以将各元素的含量的下限设为0.0005质量%。本专利技术所涉及的铜箔可以设为包含JIS-H3100(C1100)中规定的韧铜(TPC)或JIS-H3100(C1020)的无氧铜(OFC)的组成。此外,可以设为相对于上述TPC或OFC含有P而得到的组成。<平均晶粒直径>铜箔的平均晶粒直径为0.5~4.0μm。如果平均晶粒直径低于0.5μm,则强度变得过高,弯曲刚性变大,回弹性变大,从而不适合于柔性印刷基板用途。如果平均晶粒直径大于4.0μm,则软蚀刻性劣化。平均晶粒直径的测定为了避免误差,对箔表面,在100μm×100μm的视野内观察3个以上的视野而进行。箔表面的观察可以使用SIM(ScanningIonMicroscope,扫描离子显微镜)或SEM(ScanningElectronMicroscope,扫描电子显微镜),基于JIS-H0501而求出平均晶粒直径。但是,孪晶视为单独的晶粒而测定。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.柔性印刷基板用铜箔,其是包含99.0质量%以上的Cu、余量的不可避免的杂质的铜箔,平均晶粒直径为0.5~4.0μm、铜箔表面的X射线衍射强度I(220)/I0(220)所表示的集合度为1.3以上且低于7.0,电导率为80%以上。

【技术特征摘要】
2018.01.22 JP 2018-0081171.柔性印刷基板用铜箔,其是包含99.0质量%以上的Cu、余量的不可避免的杂质的铜箔,平均晶粒直径为0.5~4.0μm、铜箔表面的X射线衍射强度I(220)/I0(220)所表示的集合度为1.3以上且低于7.0,电导率为80%以上。2.根据权利要求1所述的柔性印刷基板用铜箔,其包含JIS-H3100(C1100)中规定的韧铜或JIS-H3100(C1020)的无氧铜。3.根据权利要求1或2所述的柔性印刷基板用铜箔,其中,作为添加元素,还含有总计0...

【专利技术属性】
技术研发人员:石野裕士
申请(专利权)人:捷客斯金属株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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