本发明专利技术实现一种能够充分抑制源自制造过程的污染的、具有较高的可靠性的半导体激光器元件。半导体激光器元件(303)具有朝向其第一端延伸的光波导，光波导依次具有第一包覆层(2)、活性层(3)、第二包覆层(4)以及电极层(10)。在光波导的第二端从活性层(3)的一侧依次具有电介质膜(8)以及金属膜(9)的反射面横穿活性层(3)。
Semiconductor Laser Elements, Their Manufacturing Methods and Luminescent Devices
【技术实现步骤摘要】
半导体激光器元件、其制造方法以及发光装置
本专利技术涉及一种半导体激光器元件、其制造方法以及发光装置。
技术介绍
熟知半导体激光器用于光盘，但还已知有除此以外的用途。对于这样的半导体激光器的进一步的用途，已知有用于汽车中，更具体而言，包含蓝色激光器等前灯、以及红外激光器等用于自动驾驶的车间测量用装置。此外，对于半导体激光器的进一步的用途，已知有在显示器以及投影仪等显示装置中用作光源。对于这些进一步的用途，谋求较高的可靠性。作为所述半导体激光器的现有技术，已知有具有作为解理面或蚀刻镜面的射出面，在隔着光波导而与所述射出面对置的反射面附着Al、W或多层绝缘层(例如，参照专利文献1)。此外，作为所述半导体激光器的现有技术，已知有一种前端面通过劈开来形成，后端面通过ICP干蚀刻等来形成，该后端面被与p侧电极相同的金属多层膜或电介质多层膜覆盖的半导体激光器(例如，参照专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2000-031579号公报(2000年1月28日公开)专利文献2：国际公开第2005/053124号(2005年6月9日公开)
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题然而，从半导体激光器元件的可靠性的观点出发，上述那样的现有技术存在问题。例如，在专利文献1的技术中，当向反射面附着Al或W时，有时该反射面会成为泄漏路径，从而有时半导体激光器元件的可靠性下降。当由多层绝缘膜形成所述反射面时，有时源自作为该多层绝缘膜的材料的绝缘体的灰尘会附着于半导体激光器元件，从而有时半导体激光器元件的可靠性下降。此外，在专利文献2的技术中，当利用与p侧电极相同的金属多层膜覆盖后端面时，有时后端面会成为泄漏路径，从而有时半导体激光器元件的可靠性下降。当由电介质多层膜形成所述后端面时，有时源自作为电介质多层膜的材料的绝缘体的灰尘会附着于半导体激光器元件，从而有时半导体激光器元件的可靠性下降。如此，从抑制源自制造过程的制品污染的观点考虑，现有技术存在有研究的余地。本专利技术的一个方式的目的在于，实现一种能够充分抑制源自制造过程的污染的、具有较高的可靠性的半导体激光器元件。解决问题的方案为了解决上述的课题，本专利技术的第一方式的半导体激光器元件依次具有第一包覆层、活性层、第二包覆层以及电极层，其中，所述半导体激光器元件具有：光波导，其朝向所述半导体激光器元件的第一端的端面而从所述半导体激光器元件的第二端的端面的内侧延伸；及反射面，其横穿配置于所述光波导的所述第二端侧的端部的所述活性层，所述反射面从所述活性层的一侧依次具有电介质膜以及金属膜。此外，为了解决上述的课题，本专利技术的第二方式的半导体激光器元件的制造方法包含：在基板上，在依次具有第一包覆层、活性层以及第二包覆层的元件原材料的所述第二包覆层上形成从所述基板的第一端延伸至第二端的作为光波导的部分的工序；在作为所述光波导的部分的所述第二端侧的端部，形成在所述第二包覆层开口并且横穿所述活性层的凹部的工序；形成覆盖所述凹部的侧面的所述第一端侧的、所述活性层露出的部分的电介质膜的工序；形成覆盖所述电介质膜的金属膜的工序；及在作为所述光波导的部分的所述第二包覆层上形成电极层的工序。而且，为了解决所述的课题，本专利技术的第三方式的发光装置具有所述第一方式的半导体激光器元件。专利技术效果根据本专利技术的一个方式，源自半导体激光器元件的材料的灰尘的附着得以抑制，此外该灰尘可在制造过程中被去除。由此，根据本专利技术的所述的方式，能够实现能够充分抑制源自制造过程的污染的、具有较高的可靠性的半导体激光器元件。附图说明图1的(a)为示意地表示本专利技术的一个实施方式的半导体激光器元件的结构的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述半导体激光器元件的情况下的剖切面的结构的图。图2的(a)为示意地表示本专利技术的一个实施方式的半导体激光器元件的制造过程的第一工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。图3的(a)为示意地表示本专利技术的一个实施方式的半导体激光器元件的制造过程的第二工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。图4的(a)为示意地表示本专利技术的一个实施方式的半导体激光器元件的制造过程的第三工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。图5的(a)为示意地表示本专利技术的一个实施方式的半导体激光器元件的制造过程的第四工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。图6的(a)为示意地表示本专利技术的一个实施方式的半导体激光器元件的制造过程的第五工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。图7的(a)为示意地表示本专利技术的一个实施方式的半导体激光器元件的制造过程的第六工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。图8的(a)为示意地表示本专利技术的一个实施方式的半导体激光器元件的制造过程的第七工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。图9的(a)为示意地表示本专利技术的一个实施方式的半导体激光器元件的制造过程的第八工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。图10的(a)为示意地表示本专利技术的一个实施方式的半导体激光器元件的制造过程的第九工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。图11的(a)为示意地表示本专利技术的一个实施方式的半导体激光器元件的制造过程的向第十工序供给的制造物的立体图，(b)为示意地表示本专利技术的一个实施方式的半导体激光器元件的制造过程的第十一工序的制造物的立体图。图12为示意地表示本专利技术的一个实施方式的半导体激光器元件的制造过程的第十二工序的制造物的立体图。图13为示意地表示本专利技术的一个实施方式的发光装置的结构的立体图。图14的(a)为示意地表示以往的半导体激光器元件的一个示例的结构的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述半导体激光器元件的情况下的剖切面的结构的图。图15的(a)为示意地表示以往的半导体激光器元件的制造过程的第一工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。图16的(a)为示意地表示以往的半导体激光器元件的制造过程的第二工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。图17的(a)为示意地表示以往的半导体激光器元件的制造过程的第三工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。图18的(a)为示意地表示以往的半导体激光器元件的制造过程的第四工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。图19的(a)为示意地表示以往的半导体激光器元件的制造过程的第五工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体激光器元件，依次具有第一包覆层、活性层、第二包覆层以及电极层，所述半导体激光器元件的特征在于，具有：光波导，其朝向所述半导体激光器元件的第一端的端面而从所述半导体激光器元件的第二端的端面的内侧起延伸；及反射面，其横穿配置于所述光波导的所述第二端侧的端部的所述活性层，所述反射面从所述活性层的一侧依次具有电介质膜以及金属膜。
【技术特征摘要】
2018.01.18 JP 2018-0064961.一种半导体激光器元件，依次具有第一包覆层、活性层、第二包覆层以及电极层，所述半导体激光器元件的特征在于，具有：光波导，其朝向所述半导体激光器元件的第一端的端面而从所述半导体激光器元件的第二端的端面的内侧起延伸；及反射面，其横穿配置于所述光波导的所述第二端侧的端部的所述活性层，所述反射面从所述活性层的一侧依次具有电介质膜以及金属膜。2.根据权利要求1所述的半导体激光器元件，其特征在于，所述金属膜在俯视观察所述半导体激光器元件时，从所述反射面延伸至所述第二包覆层的一部分之上。3.根据权利要求1所述的半导体激光器元件，其特征在于，所述半导体激光器元件还在所述第二端的端面的内侧具有凹部，所述反射面为所述凹部的所述第一端侧的侧面。4.根据权利要求3所述的半导体激光器元件，其特征在于，所述金属膜在俯视观察所述半导体激光器元件时，从所述第二包覆层的所述反射面或所述凹部延伸至所述半导体激光器元件的外缘之间的位置。5.根据权利要求3所述的半导体激光器元件，其特征在于，所述凹部具有从所述第二包覆层至少达到所述第一包覆层的深度。6.根据权利要求1所述的半导体激光器元件，其特征在于，所述第一端的端面为解理面。7.根据权利要求1所述的半导体激光器元件，其特征在于，还具有覆盖所述第一端的端面的电介质膜。8.根据权利要求1所述的半导体激光器元件，其特征在于，还在所述光波导的两端部具有与所述光波导的中央部相比激光的吸收少的窗区域。9.根据权利要求1所述的半导体激光器元件，其特征在于，所述电极层还配置于所述金属膜上。10.根据权利要求9所述的半导体激光器元件，其特征在于，所述电极层从所述金属膜侧依次具有密接层以及保护层，所述保护层的材料为选自由Ti、W、Ta、Nb、Ni以及Pt构成的组中的至少一种材料。11.根据权利要求1所述的半导体激光器元件，其特征在于，所述金属膜的金属为选自由Au、Al以及Ag构成的组中的至少一种金属。12.一种半导体激光器元件的...
【专利技术属性】
技术研发人员：川上俊之，太田将之，川村亮太，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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