一种二硫化钨单层薄膜材料及其制备方法技术

本文公开了一种二硫化钨单层薄膜材料及其制备方法，其特征在于，包括硫粉、三氧化钨和氯化盐利用化学气相沉积法在通氩气的条件下进行反应，所述的氯化盐与三氧化钨的质量比为1～2:25。通过使用氯化盐辅助制备二硫化钨薄膜，可以有效的制备出单层的薄膜，并且提高了光致发光强度。该实验方法工艺比较简单，环境友好的，并且是廉价的，适合大规模生产。制备的二硫化钨薄膜可以应用于光电器件领域，具备较高的使用价值。

A Tungsten Disulfide Monolayer Film Material and Its Preparation Method

【技术实现步骤摘要】
一种二硫化钨单层薄膜材料及其制备方法
本专利技术属于纳米材料领域，具体涉及一种二硫化钨单层薄膜材料及其制备方法。
技术介绍
过渡金属硫族化合物在工业生产、科学研究等方面有着重要应用。二硫化钨为半导体材料，近年来人们发现，当二硫化钨由体材料转变为单层材料时，其带隙会由间接带隙转变为直接带隙并具有柔性等特点，因此在薄膜器件、光电器件等领域拥有巨大的应用潜力。过渡金属硫族属化物(TMDCs)单层材料，具有1-2eV的可调直接带隙，类石墨烯的晶体结构，因此基于该系列的材料可以组装成性能优良的平面薄膜晶体管、发光晶体管、光探测器、太阳能电池等器件。其中大部分的研究集中在MoS2的制备与应用，相比而言WS2的研究较少。单层WS2具有大约1.95eV的直接带隙，具有较高的迁移率，可以制备为高开关比的场效应管、高响应度的异质结光探测器等器件。为了能够在科研、半导体领域有所应用，制备高结晶大面积的WS2材料无疑是研究的重点也是基础。目前，人们利用机械剥离、水热法等方法进行WS2单层材料的制备，但这些方法存在着晶体面积小、层数不可控的缺点。因此，寻找高质量、层数可控和大面积生长WS2的方法和技术成为WS本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二硫化钨单层薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括硫粉、三氧化钨和氯化盐利用化学气相沉积法在通氩气的条件下进行反应，所述的氯化盐与三氧化钨的质量比为1～2:25。

【技术特征摘要】
1.一种二硫化钨单层薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括硫粉、三氧化钨和氯化盐利用化学气相沉积法在通氩气的条件下进行反应，所述的氯化盐与三氧化钨的质量比为1～2:25。2.如权利要求1所述的二硫化钨单层薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述的氯化盐包括氯化钠、氯化钾或氯化锂。3.如权利要求1所述的二硫化钨单层薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述的三氧化钨与硫粉的质量比1:3～4。4.如权利要求1所述的二硫化钨单层薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述的氩气的流速50～60sccm。5.如权利要求1所述的二硫化钨单层薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述的反应温度为850～860℃。6.如权利要求1所述的二硫化钨单层薄膜材料的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟庆远，贠江妮，黄任静，张艳妮，余润伟，杨芷，陈旭辉，
申请(专利权)人：西北大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61