驱动装置制造方法及图纸

驱动装置(1)对串联地介在于从直流电源(2)到负荷(3)的电源供给路径中且以相互的寄生二极管为逆向的方式连接的开闭用MOS晶体管(Q1)和保护用MOS晶体管(Q2)的驱动进行控制，具备驱动部(5)和逆接保护控制部(6)。上述驱动部经由连接于上述直流电源的高电位侧端子的高电位侧电源线(L1)和连接于上述直流电源的低电位侧端子的低电位侧电源线(L2)接受上述直流电源电源供给，驱动上述开闭用MOS晶体管和上述保护用MOS晶体管。当上述高电位侧电源线与上述低电位侧电源线的电位关系为与正常的关系逆转的关系时，上述逆接保护控制部执行与上述驱动部的驱动无关地强制地断开驱动上述保护用MOS晶体管而将上述电源供给路径中流动的电流切断的保护动作。

Driving device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】驱动装置相关申请的相互参照本申请基于2016年12月1日提出申请的日本专利申请第2016－234094号，在此引用其全部内容。
本公开涉及对串联地介在于从直流电源至负荷的电源供给路径中的开闭用MOS晶体管及保护用MOS晶体管的驱动进行控制的驱动装置。
技术介绍
在对例如马达等的驱动进行控制的驱动装置中，如果发生作为电源的电池的正侧端子及负侧端子被逆向连接的状态(以下称作逆连接)，则流经过大的逆向的电流，从而有可能导致晶体管等的电路元件的故障。在专利文献1中，公开了如下结构：为了将电路元件从这样的逆向的电流保护而设置有保护用的MOS晶体管，该保护用的MOS晶体管以其寄生二极管的朝向与原本设置的电源切断用的MOS晶体管相反的方式连接。在此情况下，能够通过保护用的MOS晶体管的寄生二极管将逆向的电流切断。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2016－127364号公报
技术实现思路
但是，在上述的以往技术的结构中，如果向负荷供给的电源和向驱动装置供给的电源没有被分离，则有可能不能将逆连接时流过的电流切断。这是因为，在逆连接时，如果对于驱动电路也不正常地进行电源供给，则不能对保护用的MOS晶体管进行控制，有可能保护用的MOS晶体管成为导通的状态而不能将逆向的电流切断。本公开的目的是提供一种能够将在逆连接时流经的电流可靠地切断的驱动装置。在本公开的第一技术方案中，驱动装置对串联地介在于从直流电源到负荷的电源供给路径中并且以相互的寄生二极管为逆向的方式连接的开闭用MOS晶体管及保护用MOS晶体管的驱动进行控制。驱动装置具备对开闭用MOS晶体管及保护用MOS晶体管进行驱动的驱动部。驱动部经由连接在直流电源的高电位侧端子的高电位侧电源线及连接在直流电源的低电位侧端子的低电位侧电源线从直流电源接受电源供给而动作。在上述结构中，向负荷供给的电源和向驱动部供给的电源相同。因此，在直流电源被逆连接的情况下，驱动部不被正常地进行电源供给，所以不能对保护用MOS晶体管进行控制。如果这样，则不进行由驱动部进行的保护用MOS晶体管的控制，保护用MOS晶体管被维持导通的状态，不能将逆向的电流切断。因此，驱动装置还具备逆接保护控制部。在高电位侧电源线及低电位侧电源线的电位关系成为与正常的关系逆转的关系的情况下，逆接保护控制部与驱动部所进行的驱动无关地执行将保护用MOS晶体管强制地断开驱动、将流到电源供给路径中的电流切断的保护动作。在上述结构中，如果发生直流电源的逆连接，则高电位侧电源线及低电位侧电源线的电位关系成为与正常的关系逆转的关系，所以执行由逆接保护控制部进行的保护动作。由此，即使驱动部没有正常地动作，保护用MOS晶体管也被断开驱动，起因于逆连接而发生的逆向的电流流动的路径被切断。因而，根据上述结构，能够得到能够将在逆连接时流动的电流确实地切断的优良的效果。附图说明关于本公开的上述目的及其他的目的、特征及优点，一边参照附图一边通过下述详细的记述会变得更明确。图1是示意地表示有关第1实施方式的驱动装置及其驱动对象的结构的图。图2是表示有关第1实施方式的驱动装置及其驱动对象的具体的结构例的图。图3是示意地表示有关第1实施方式的通常时的各晶体管的栅极电压的图。图4是示意地表示有关第1实施方式的逆连接时的各晶体管的栅极电压的图。图5是表示有关第2实施方式的驱动装置及其驱动对象的具体的结构例的图。图6是表示有关第3实施方式的驱动装置及其驱动对象的具体的结构例的图。具体实施方式以下，参照附图对多个实施方式进行说明。另外，在各实施方式中对于实质上相同的结构赋予相同的标号而省略说明。(第1实施方式)以下，参照图1～图4对第1实施方式进行说明。图1所示的驱动装置1对串联地介在于从直流电源2到负荷3的电源供给路径中的晶体管Q1、Q2的驱动进行控制，其构成为半导体集成电路(IC)。直流电源2例如是车载的电池，在其高电位侧端子上连接着高电位侧电源线L1(以下，省略作电源线L1)，在其低电位侧端子连接着低电位侧电源线L2(以下，省略作电源线L2)。晶体管Q1、Q2都是N沟道型MOS晶体管，在漏极－源极间具备以源极侧为阳极而连接的寄生二极管(体二极管)。晶体管Q1的漏极连接在电源线L1，其源极连接在晶体管Q2的源极上。晶体管Q2的漏极经由负荷3连接在电源线L2上。这样，晶体管Q1、Q2以相互的寄生二极管为逆向的方式被连接。在本实施方式中，晶体管Q1相当于开闭用MOS晶体管，晶体管Q2相当于保护用MOS晶体管。驱动装置1的端子P1以逆方向经由二极管D1而连接在电源线L1上。驱动装置1的端子P2、P3分别连接在电源线L1、L2上。驱动装置1具备控制部4、驱动部5及逆接保护控制部6。控制部4及驱动部5从直流电源2经由端子P1、P3接受电源供给而动作。驱动部5按照从控制部4给出的控制信号，生成用来对晶体管Q1、Q2进行驱动的栅极驱动信号。这些栅极驱动信号经由端子P4、P5被向晶体管Q1、Q2的各栅极分别给出。控制部4如以下这样对驱动部5的动作进行控制。即，在进行向负荷3的通电时，控制部4对驱动部5的动作进行控制，以使晶体管Q1、Q2双方被导通驱动。在电源线L1及L2的电位关系成为与正常的关系逆转的关系的情况下，逆接保护控制部6执行与驱动部5所进行的驱动无关地将晶体管Q2强制地断开驱动而将在从直流电源2到负荷3的电源供给路径中流动的电流切断的保护动作。逆接保护控制部6具备电位关系检测部7及电位固定部8作为用来实现这样的保护动作的结构。电位关系检测部7经由端子P2、P3被施加电源线L1、L2的各电压。电位关系检测部7将上述各电压分压，基于其分压电压，检测电源线L1、L2的电位关系。在没有发生直流电源2的逆连接的正常情况时，电源线L1、L2的电位关系为下述(1)式所示的关系。其中，设电源线L1及L2的各电位分别为L1及L2。L1>L2…(1)此外，在发生了直流电源2的逆连接的逆连接时，电源线L1、L2的电位关系成为下述(2)式所示的关系。L1<L2…(2)在以下的说明中，将上述(1)式所示的关系称作“正常的关系”，将上述(2)式所示的关系称作“逆转的关系”。电位关系检测部7检测电源线L1、L2的电位关系是“正常的关系”及“逆转的关系”的哪种，向电位固定部8给出表示其检测结果的信号。在被从电位关系检测部7给出表示电源线L1、L2的电位关系是逆转的关系的信号的情况下，电位固定部8将晶体管Q2的栅极电位固定为电源线L1的电位。详细情况后述，但通过如上所述，实现了上述的保护动作。作为具有这样的功能的驱动装置1的具体的结构，例如可以采用图2所示那样的结构。在图2中，例示了负荷3包括马达M及对马达M进行驱动的驱动电路的情况。在此情况下，上述驱动电路构成为包括4个晶体管Q3～Q6的H电桥电路。晶体管Q3～Q6都是N沟道型MOS晶体管，在漏极－源极间具有以源极侧为阳极而连接的寄生二极管。在此情况下，晶体管Q3、Q4的相互连接节点N1连接在马达M的一方的端子上，晶体管Q5、Q6的相互连接节点N2连接在马达M的另一方的端子上。此外，晶体管Q3、Q5的相互连接节点N3连接在晶体管Q2的漏极上，晶体管Q4、Q6的相互连接节点N4连接在电源线L2上。驱动装置1具备对这样的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种驱动装置(1、21、31)，对串联地介在于从直流电源(2)到负荷(3)的电源供给路径中、且以相互的寄生二极管为逆向的方式连接的开闭用MOS晶体管(Q1)及保护用MOS晶体管(Q2、Q31)的驱动进行控制，上述驱动装置具备：驱动部(5)，经由连接在上述直流电源的高电位侧端子的高电位侧电源线(L1)及连接在上述直流电源的低电位侧端子的低电位侧电源线(L2)从上述直流电源接受电源供给而动作，对上述开闭用MOS晶体管及上述保护用MOS晶体管进行驱动；以及逆接保护控制部(6、22、32)，在上述高电位侧电源线及上述低电位侧电源线的电位关系为与正常的关系逆转的关系的情况下，执行与上述驱动部所进行的驱动无关地将上述保护用MOS晶体管强制地进行断开驱动从而将上述电源供给路径中流动的电流切断的保护动作。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.01 JP 2016-2340941.一种驱动装置(1、21、31)，对串联地介在于从直流电源(2)到负荷(3)的电源供给路径中、且以相互的寄生二极管为逆向的方式连接的开闭用MOS晶体管(Q1)及保护用MOS晶体管(Q2、Q31)的驱动进行控制，上述驱动装置具备：驱动部(5)，经由连接在上述直流电源的高电位侧端子的高电位侧电源线(L1)及连接在上述直流电源的低电位侧端子的低电位侧电源线(L2)从上述直流电源接受电源供给而动作，对上述开闭用MOS晶体管及上述保护用MOS晶体管进行驱动；以及逆接保护控制部(6、22、32)，在上述高电位侧电源线及上述低电位侧电源线的电位关系为与正常的关系逆转的关系的情况下，执行与上述驱动部所进行的驱动无关地将上述保护用MOS晶体管强制地进行断开驱动从而将上述电源供给路径中流动的电流切断的保护动作。2.如权利要求1所述的驱动装置，上述逆接保护控制部具备电位关系检测部(7)，该电位关系检测部将上述高电位侧电源线及上述低电位侧电源线之间的电压分压、基于该分压电压来检测上述高电位侧电源线及上述低电位侧电源线的电位关系；上述逆接保护控制部基于上述电位关系检测部的检测结果执行上述保护动作。3.如权利要求2所述的驱动装置，上述保护用MOS晶体管(Q2)是N沟道型；上述逆接保护控制部具备电位固定部(8、23)，在由上述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：川本辉，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：日本,JP