光检测器制造技术

本发明专利技术的光检测器包括基板和膜体，该膜体以与基板的表面之间形成空隙的方式被支承于基板的表面上，膜体包括：隔着沿着线延伸的间隙彼此相对的第1配线层和第2配线层；具有依赖于温度的电阻的电阻层，电阻层分别与第1配线层和第2配线层电连接；与基板的表面相对的光吸收层；和配置于第1配线层和第2配线层各自与光吸收层之间的隔离层，光吸收层包括：第1区域，其在从基板的厚度方向观察时，在第1配线层的与第2配线层相反的一侧扩展；和第2区域，其在从基板的厚度方向观察时，在第2配线层的与第1配线层相反的一侧扩展。

Photodetector

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光检测器
本专利技术的一个方式涉及一种光检测器。
技术介绍
作为光检测器，已知有如下所记载的光检测器：其具有基板、和以与基板的表面之间形成空隙的方式支承于基板的表面上的膜体，膜体包括隔着间隙而彼此相对的一对配线层、和具有依存于温度的电阻的电阻层(例如参照专利文献1)。在专利文献1记载的装置中，相当于一对配线层的一对电极在除间隙外的膜体的整个区域扩展，利用该一对电极进行光吸收。现有技术文献专利文献专利文献1：美国专利第6426539号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题然而，如专利文献1所记载的装置，当一对配线层在除间隙外的膜体的整个区域扩展，则由于光吸收所产生的热容易在配线层传递而散逸至基板侧，因此灵敏度的提高有限。因此，本专利技术的一个方式的目的在于，提供一种能够谋求灵敏度的提高的光检测器。解决课题的技术手段本专利技术的一个方式的光检测器，其包括基板和膜体，该膜体以与基板的表面之间形成空隙的方式被支承于基板的表面上，膜体包括：隔着沿着线延伸的间隙彼此相对的第1配线层和第2配线层；具有依赖于温度的电阻的电阻层，电阻层分别与第1配线层和第2配线层电连接；与基板的表面相对的光吸收层；和配置于第1配线层和第2配线层各自与光吸收层之间的隔离层，光吸收层包括：第1区域，其在从基板的厚度方向观察时，在第1配线层的与第2配线层相反的一侧扩展；和第2区域，其在从基板的厚度方向观察时，在第2配线层的与第1配线层相反的一侧扩展。在该光检测器中，在从基板的厚度方向观察时，光吸收层的第1区域在第1配线层的与第2配线层相反的一侧扩展，光吸收层的第2区域在第2配线层的与第1配线层相反的一侧扩展。即，在从基板的厚度方向观察时，光吸收层的第1区域不与第1配线层重叠，光吸收层的第2区域不与第2配线层重叠。由此，实现在光吸收层的第1区域和第2区域的充分的光吸收。并且，在第1配线层和第2配线层各自与光吸收层之间配置有隔离层。由此，抑制在光吸收层中产生的热在第1配线层和第2配线层传递而散逸至基板侧这样的情形，该热借助隔离层充分传递至电阻层。由此，根据该光检测器，可谋求灵敏度的提高。本专利技术的一方式的光检测器中，也能够还包括配置于基板的表面且与光吸收层构成光谐振构造的光反射层。根据该构成，能够实现对应于光吸收层与光反射层的距离的波长带中的光吸收。在本专利技术的一方式的光检测器中，在从基板的厚度方向观察时，第1配线层和第2配线层的面积之和也能够小于第1区域和第2区域的面积之和。根据该构成，在光吸收层的第1区域和第2区域中能够进一步实现充分的光吸收，且进一步抑制在光吸收层中产生的热在第1配线层和第2配线层传递而散逸至基板侧这样的情形，因此能够谋求灵敏度的进一步提高。在本专利技术的一方式的光检测器中，在从基板的厚度方向观察时，第1配线层和第2配线层的面积之和也能够小于第1区域和第2区域各自的面积。根据该构成，在光吸收层的第1区域和第2区域中能够实现充分的光吸收，并且进一步抑制在光吸收层中产生的热在第1配线层和第2配线层传递而散逸至基板侧这样的情形，因此能够谋灵敏度的进一步提高。在本专利技术的一方式的光检测器中，在从基板的厚度方向观察时，沿线的方向上的第1配线层和第2配线层各自的长度，也能够大于与线垂直的方向上的第1配线层和第2配线层各自的宽度。根据该构成，能够增长间隙的长度，谋求灵敏度的进一步提高。在本专利技术的一方式的光检测器中，隔离层的厚度也能够大于第1配线层、第2配线层、电阻层和光吸收层各自的厚度。根据该构成，由于进一步抑制在光吸收层中产生的热在第1配线层和第2配线层传递而散逸至基板侧这样的情形，因此能够谋求灵敏度的进一步提高。专利技术效果根据本专利技术的一方式，能够提供一种能够谋求灵敏度的提高的光检测器。附图说明图1是一个实施方式的光检测器的俯视图。图2是图1的光检测器的像素部的俯视图。图3是图2的像素部的光检测元件的立体图。图4是图3的光检测元件的俯视图。图5是图3的光检测元件的截面图。图6是表示光谐振构造的原理的图。图7是变化例的光检测元件的俯视图。图8是变化例的光检测元件的截面图。图9是变化例的光检测元件的截面图。图10是变化例的光检测元件的截面图。图11是变化例的光检测元件的截面图。图12是变化例的光检测元件的截面图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的优选实施方式进行详细说明。此外，对各图中相同或对应的部分标注相同的符号，省略重复说明。图1所示的光检测器1通过利用作为辐射热测量计的功能来检测光。该光例如为红外线。该光为红外线时，光检测器1用于红外成像器或热成像等。如图1所示，光检测器1包括基板2、像素部3和信号处理电路部4。基板2例如为Si基板。基板2的厚度例如为数百μm左右。像素部3和信号处理电路部4形成于基板2上，并彼此电连接。此外，信号处理电路部4也可以形成于基板2内。如图2所示，像素部3是由多个光检测元件10构成。多个光检测元件10配置为二维矩阵状。如图3所示，光检测元件10包括基板2(准确而言是基板2的一部分)、光反射层5、一对电极插头11、12和膜体20。光反射层5形成于基板2的表面2a。光反射层5与后述的光吸收层34相对，且与光吸收层34一起构成光谐振构造。光反射层5的厚度例如为数百nm左右。光反射层5的材料例如为相对于光(例如红外线)的反射率较大的金属材料(例如Al等)。一对电极插头11、12形成于基板2的表面2a上。各电极插头11、12形成为例如圆柱状。各电极插头11、12的高度例如为数μm左右。各电极插头11、12的材料例如为Ti等金属材料。一对电极插头11、12以在基板2的表面2a与膜体20之间形成空隙S的方式在基板2的表面2a上支承膜体20。膜体20与基板2的表面2a大致平行地配置。膜体20与基板2的表面2a的距离例如为数μm左右。如图3～图4所示，膜体20具有受光部21、一对电极部22、23、和一对梁部24、25。受光部21在从基板2的厚度方向(即，与基板2的表面2a垂直的方向)观察时，以避开各电极插头11、12的方式扩展。电极部22配置于电极插头11上。电极部23配置于电极插头12上。梁部24在受光部21的一侧沿着受光部21的外缘延伸。梁部25在受光部21的另一侧沿着受光部21的外缘延伸。梁部24的一端与电极部22连接，梁部24的另一端在电极部23附近的位置与受光部21连接。梁部25的一端与电极部23连接，梁部25的另一端在电极部22附近的位置与受光部21连接。膜体20在从基板2的厚度方向观察时例如呈矩形形状。一对电极部22、23分别设置于膜体20的对角。受光部21、一对电极部22、23和一对梁部24、25一体地形成。在受光部21与电极部22之间、以及受光部21与梁部24之间，连续地形成有缝隙20a。在受光部21与电极部23之间、以及受光部21与梁部25之间，连续地形成有缝隙20b。各梁部24、25的宽度例如为数μm左右，各梁部24、25的长度例如为数十μm左右。各缝隙20a、20b的宽度例如为数μm左右。图5是光检测元件10的截面图。图5的Ⅰ-Ⅰ、Ⅱ-Ⅱ、Ⅲ-Ⅲ、Ⅳ-Ⅳ、Ⅴ-Ⅴ分别为沿图4的Ⅰ-Ⅰ线、Ⅱ-Ⅱ线、Ⅲ-Ⅲ线、Ⅳ-Ⅳ线、Ⅴ-Ⅴ线的截面图。如图5所示，膜体20具有第1配线层31和第2配线层32、电阻层33、光吸收层34本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光检测器，其特征在于，包括：基板；和膜体，其以与所述基板的表面之间形成空隙的方式被支承于所述基板的所述表面上，所述膜体包括：隔着沿着线延伸的间隙彼此相对的第1配线层和第2配线层；具有依赖于温度的电阻的电阻层，所述电阻层分别与所述第1配线层和所述第2配线层电连接；与所述基板的表面相对的光吸收层；和配置于所述第1配线层和所述第2配线层各自与所述光吸收层之间的隔离层，所述光吸收层包括：第1区域，其在从所述基板的厚度方向观察时，在所述第1配线层的与所述第2配线层相反的一侧扩展；和第2区域，其在从所述基板的厚度方向观察时，在所述第2配线层的与所述第1配线层相反的一侧扩展。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.14 JP 2016-2424671.一种光检测器，其特征在于，包括：基板；和膜体，其以与所述基板的表面之间形成空隙的方式被支承于所述基板的所述表面上，所述膜体包括：隔着沿着线延伸的间隙彼此相对的第1配线层和第2配线层；具有依赖于温度的电阻的电阻层，所述电阻层分别与所述第1配线层和所述第2配线层电连接；与所述基板的表面相对的光吸收层；和配置于所述第1配线层和所述第2配线层各自与所述光吸收层之间的隔离层，所述光吸收层包括：第1区域，其在从所述基板的厚度方向观察时，在所述第1配线层的与所述第2配线层相反的一侧扩展；和第2区域，其在从所述基板的厚度方向观察时，在所述第2配线层的与所述第1配线层相反的一侧扩展。2.如权利要求1所述的光检测器，其特征在于：还包括配置于所述基板的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎理弘，柴山胜己，北浦隆介，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP