不含N-H且富含Si的全氢聚硅氮烷组合物，其合成及应用制造技术

披露了不含N‑H、不含C且富含Si的固体或液体全氢聚硅氮烷组合物，其包含具有下式的单元：[‑N(SiH3)x(SiH2‑)y]，其中x＝0、1或2且y＝0、1或2，并且x+y＝2；且x＝0、1或2且y＝1、2或3，并且x+y＝3。还披露了合成方法及其应用。

Composition, synthesis and application of N-H-free and Si-rich all-hydrogen polysiloxane

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】不含N-H且富含Si的全氢聚硅氮烷组合物，其合成及应用相关申请的交叉引用本申请要求于2016年12月11日提交的美国临时申请号62/432,592以及于2017年7月27日提交的美国申请号15/661,412的权益，两者均通过引用以其全部内容结合在此用于所有目的。
披露了不含N-H、不含C且富含Si的固体或液体全氢聚硅氮烷组合物，其包含具有下式的单元：[-N(SiH3)x(SiH2-)y]，其中当x+y＝2时，x＝0、1或2且y＝0、1或2；并且当x+y＝3时，x＝0、1或2且y＝1、2或3。还披露了合成方法及其应用。
技术介绍
全氢聚硅氮烷(PHPS)为仅含有Si、H及N的分子、低聚物或聚合物，其特征为重复的-SiHx-NH-单元(x＝0至2)并且硅原子仅键合至N或H原子。已使用并描述了制备PHPS的若干种方法。参见例如Gaul的美国专利号4,395,460；Seyferth等人的美国专利号4,482,669；Nakahara等人的美国专利号5,905,130；Abel等人的美国专利号6,329,487；及Isoda等人，J.ofInorganicandOrganometallic本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种不含N‑H、不含C且富含Si的全氢聚硅氮烷组合物，其具有在从大约332道尔顿至大约100,000道尔顿范围内的分子量并且包含具有下式的不含N‑H的重复单元：[‑N(SiH3)x(SiH2‑)y]，其中x＝0、1或2且y＝0、1或2，并且x+y＝2；且x＝0、1或2且y＝1、2或3，并且x+y＝3。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.11 US 62/432,592;2017.07.27 US 15/661,4121.一种不含N-H、不含C且富含Si的全氢聚硅氮烷组合物，其具有在从大约332道尔顿至大约100,000道尔顿范围内的分子量并且包含具有下式的不含N-H的重复单元：[-N(SiH3)x(SiH2-)y]，其中x＝0、1或2且y＝0、1或2，并且x+y＝2；且x＝0、1或2且y＝1、2或3，并且x+y＝3。2.如权利要求1所述的不含N-H、不含C且富含Si的全氢聚硅氮烷组合物，该组合物具有在从大约1.5:1至大约2.5:1范围内的Si:N比率。3.如权利要求1所述的不含N-H、不含C且富含Si的全氢聚硅氮烷组合物，该组合物具有在从大约17,000至大约80,000、优选地从大约20,000至大约50,000范围内的平均分子量Mn。4.如权利要求1所述的不含N-H、不含C且富含Si的全氢聚硅氮烷组合物，该组合物不具有-Si(-)(H)-并且具有在从大约1至大约5、优选地从大约3.5至大约4.5范围内的SiH2:SiH3比率。5.如权利要求1至4中任一项所述的不含N-H、不含C且富含Si的全氢聚硅氮烷组合物，该组合物在标准温度和压力下为液体。6.一种旋涂含Si膜形成组合物，其包含不含N-H、不含C且富含Si的全氢聚硅氮烷组合物，该全氢聚硅氮烷组合物具有在从大约332道尔顿至大约100,000道尔顿范围内的分子量并且包含具有下式的不含N-H的重复单元：[-N(SiH3)x(...

【专利技术属性】
技术研发人员：安东尼奥·桑切斯，根纳迪·伊多，马尼什·坎德尔沃，科尔·里特，张鹏，让马克·吉拉尔，万志文，格伦·库肯贝塞尔，大卫·奥尔班，肖恩·克里根，里诺·佩萨雷西，马修·达米安·斯蒂芬斯，王洋，纪尧姆·哈森，
申请(专利权)人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司，
类型：发明
国别省市：法国,FR