一种全频扬声器及音频设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种全频扬声器，扬声器包括框架，其特征在于，框架包括内框架和外框架，内框架中部形成内置第一音圈和磁铁的第一空间，内框架和外框架之间形成内置第二音圈的第二空间；内框架中部设置有低音振膜覆盖于第一空间上，外框架中部设置有高音振膜覆盖于第二空间和低音振膜外侧。本实用新型专利技术通过上述设计，可以实现低音和高音双磁路采用同一磁铁，简化了扬声器模块，并达到全频重放的效果。本实用新型专利技术还公开了一种音频设备，该音频设备包括上述全频扬声器，节省了音频设备空间，并达到全频重放的效果。

A Full Frequency Speaker and Audio Equipment

【技术实现步骤摘要】
一种全频扬声器及音频设备
本技术涉及声学
，尤其涉及一种全频扬声器及音频设备。
技术介绍
随着现代科学技术的发展，智能音频设备越来越受用户欢迎，例如智能音箱成为家电影院、KTV等应用场景中必不可少的音频播放产品。现阶段，音频设备的扬声器结构较为复杂，且功能单一，例如很少会有扬声器可以实现全频段的良好重放，所以，现在的音频设备一般均会采用多个扬声器单体组成阵列，以实现信号全频段的重放。例如，采用一个低音扬声器和一个高音扬声器设置在同一音频设备上，低音音效依靠低音扬声器重放，高音音效依靠高音扬声器重放，中音音效则依靠二者叠加重放。由于多个扬声器同时设置会占据音频设备多个位置，显然会增加产品的尺寸，造成扬声器结构复杂，音频设备体积重量过大，空间利用率太低。
技术实现思路
本技术提供一种全频扬声器，可以实现低音和高音双磁路采用同一磁铁，简化了扬声器模块，并达到全频重放的效果；本技术提供一种音频设备，包括上述全频扬声器，节省了音频设备空间，并达到全频重放的效果。为了达到上述目的，本技术提供如下技术方案：一种全频扬声器，所述扬声器包括框架，所述框架包括内框架和外框架，所述内框架中部形成内置第一音圈和磁铁的第一空间，所述内框架和所述外框架之间形成内置第二音圈的第二空间；所述内框架中部设置有低音振膜覆盖于所述第一空间上，所述外框架中部设置有高音振膜覆盖于所述第二空间和所述低音振膜外侧。低音振膜和第一音圈、磁铁构成第一磁路，设置在低音振膜外侧的高音振膜和第二音圈、磁铁构成第二磁路，第一磁路和第二磁路共用同一磁铁，该结构设计，使得该扬声器可以实现优选地，所述内框架和所述外框架固定在同一导磁壳体上；所述导磁壳体包括导磁底壳和沿所述导磁底壳边缘设置的导磁壁壳，所述导磁壳体包括柱形立体结构设计。优选地，所述导磁底壳上设置有第一均压孔和第二均压孔，所述第一均压孔与所述第一空间对应设置，连通所述第一空间和外界，所述第二均压孔与所述第二空间对应设置，连通所述第二空间和外界。优选地，所述导磁底壳上还设置有4个焊点，所述4个焊点分别与所述第一音圈或第二音圈的正极或负极相连。优选地，所述内框架包括第一固定壁，所述第一固定壁一端与所述低音振膜两侧预设位置处相连，所述第一音圈固定于所述第一固定壁的外侧，所述第一固定壁将所述第一空间分成位于所述低音振膜和所述磁铁之间的第一主声腔和设置所述第一音圈的第一侧声腔，所述第一主声腔和所述第一侧声腔连通设置；所述外框架包括第二固定壁，所述第二固定壁一端与所述高音振膜两侧预设位置处相连，所述第二音圈固定于所述第二固定壁的外侧，所述第二固定壁将所述第二空间分成位于所述高音振膜和所述低音振膜之间的第二主声腔和设置所述第二音圈的第二侧声腔，所述第二主声腔和所述第二侧声腔连通设置。优选地，所述第一主声腔中部包括内置磁铁的磁腔，所述磁腔由上导磁板和下导磁板形成，所述磁铁设置于所述上导磁板和下导磁板之间，所述上导磁板固定于所述导磁壳体上。优选地，所述导磁板固定于所述导磁壳体的导磁底壳内侧。优选地，所述内框架还包括一端与所述低音振膜的边缘相连，另一端设置于所述导磁壳体上的第三固定壁；所述外框架还包括一端与所述高音振膜的边缘相连，另一端设置于所述导磁壳体上的第四固定壁。优选地，所述高音振膜包括球顶式振膜，所述球顶式振膜包括向所述扬声器外部凸起的弧形球面膜，所述弧形球面膜两侧预设位置处与所述第二固定壁一端相连，所述弧形球面膜两端边缘与所述第四固定壁一端相连，所述第二固定壁和所述第四固定壁之间构成所述高音振膜两侧的第二弧形膜，所述第二弧形膜和所述弧形球面膜一体设计。优选地，所述低音振膜包括向所述第一空间内部凸起一定距离的平面振膜，所述平面振膜两侧预设位置处与所述第一固定壁一端相连，所述低音振膜边缘与所述第三固定壁一端相连，所述第一固定壁和所述第三固定壁之间构成所述低音振膜两侧的第一弧形膜，所述第一弧形膜和所述平面振膜一体设计。优选地，所述向所述第一空间内部凸起一定距离的平面振膜外侧贴覆有配重层，所述配重层包括调音纸。本技术所申请的全频扬声器，采用低音振膜和第一音圈、磁铁在内框架的结构基础上构成第一磁路，高音振膜和第二音圈、磁铁在外框架的结构基础上构成第二磁路，可以通过控制电流方向或电流大小、开关等，第一磁路和第二磁路可以实现分别单独发声(例如低音音效或高音音效)、同时混合发声(例如中音音效)，使得双磁路共用同一磁铁，实现全频音效，替代了双音效并列扬声器的方案，简化了扬声器结构，节省了扬声器空间，更加有利于扬声器在音频设备里的应用。一种音频设备，所述音频设备包括上述的全频扬声器。通过采用该全频扬声器，实现了音频设备中的扬声器可以采用低音振膜和第一音圈、磁铁在内框架的结构基础上构成第一磁路，高音振膜和第二音圈、磁铁在外框架的结构基础上构成第二磁路，可以通过控制电流方向或电流大小、开关等，第一磁路和第二磁路可以实现分别单独发声(例如低音音效或高音音效)、同时混合发声(例如中音音效)，使得双磁路共用同一磁铁，实现全频音效，替代了双音效并列扬声器的方案，简化了音频设备结构，节省了音频设备空间，更加有利于智能音频设备的应用。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本技术一实施例的扬声器结构图；图2为本技术另一实施例的扬声器结构图；图3为本技术另一实施例的扬声器结构图；图4为本技术另一实施例的扬声器结构图；图5为本技术另一实施例的扬声器结构图；图6为本技术另一实施例的扬声器结构图；图7为本技术另一实施例的扬声器结构图；图8为本技术另一实施例的扬声器结构图；图9为本技术另一实施例的扬声器结构图。图1-9中：内框架100、第一音圈101、低音振膜102、内凹式振膜1021，第一弧形膜1022，调音纸1023、第一均压孔103、磁铁104、上导磁板1041、下导磁板1042、第一正极焊点A1、第一负极焊点A2、第一固定壁1001、第一空间105、第一主声腔1051、第一侧声腔1052、第三固定壁1002、外框架200、第二音圈201、高音振膜202、球顶式振膜2021，第二弧形膜2022，第二均压孔203、第二正极焊点B1、第二负极焊点B2、第二固定壁2001、第二空间205、第二主声腔2051、第二侧声腔2052、第四固定壁2002、导磁壳体300、导磁底壳301、导磁壁壳302；具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本说明书中各个实施例采用并列或者递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。还需要说明的是，在本文中，诸如第一和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种全频扬声器，所述扬声器包括框架，其特征在于，所述框架包括内框架和外框架，所述内框架中部形成内置第一音圈和磁铁的第一空间，所述内框架和所述外框架之间形成内置第二音圈的第二空间；所述内框架中部设置有低音振膜覆盖于所述第一空间上，所述外框架中部设置有高音振膜覆盖于所述第二空间和所述低音振膜外侧。

【技术特征摘要】
1.一种全频扬声器，所述扬声器包括框架，其特征在于，所述框架包括内框架和外框架，所述内框架中部形成内置第一音圈和磁铁的第一空间，所述内框架和所述外框架之间形成内置第二音圈的第二空间；所述内框架中部设置有低音振膜覆盖于所述第一空间上，所述外框架中部设置有高音振膜覆盖于所述第二空间和所述低音振膜外侧。2.根据权利要求1所述的全频扬声器，其特征在于，所述内框架和所述外框架固定在同一导磁壳体上；所述导磁壳体包括导磁底壳和沿所述导磁底壳边缘设置的导磁壁壳，所述导磁壳体包括柱形立体结构设计；所述导磁底壳上还设置有4个焊点，所述4个焊点分别与所述第一音圈或第二音圈的正极或负极相连。3.根据权利要求2所述的全频扬声器，其特征在于，所述导磁底壳上设置有第一均压孔和第二均压孔，所述第一均压孔与所述第一空间对应设置，连通所述第一空间和外界，所述第二均压孔与所述第二空间对应设置，连通所述第二空间和外界。4.根据权利要求2所述的全频扬声器，其特征在于，所述内框架包括第一固定壁，所述第一固定壁一端与所述低音振膜两侧预设位置处相连，所述第一音圈固定于所述第一固定壁的外侧，所述第一固定壁将所述第一空间分成位于所述低音振膜和所述磁铁之间的第一主声腔和设置所述第一音圈的第一侧声腔，所述第一主声腔和所述第一侧声腔连通设置；所述外框架包括第二固定壁，所述第二固定壁一端与所述高音振膜两侧预设位置处相连，所述第二音圈固定于所述第二固定壁的外侧，所述第二固定壁将所述第二空间分成位于所述高音振膜和所述低音振膜之间的第二主声腔和设置所述第二音圈的第二侧声腔，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡腾飞，
申请(专利权)人：歌尔科技有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37