基板处理装置和温度控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置和温度控制方法，对喷淋板和基底构件相分别地进行温度控制。基板处理装置(10)具有喷淋头(40)，所述喷淋头以与用于载置基板(S)的载置台(30)相向的方式配置在处理容器(20)内，用于喷出处理气体。喷淋头具有：喷淋板(41)，其以与载置台相向的方式配置，在所述喷淋板设置有加热器(50)，并且形成有用于向处理容器内喷出处理气体的多个气孔(43)；以及基底构件(42)，其与喷淋板的背面侧接合，该背面是与所述喷淋板的同载置台相向的面相向的面，在所述基底构件设置有流路(60)，并且形成有用于向多个气孔供给处理气体的空间。

Substrate Processing Unit and Temperature Control Method

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和温度控制方法
本专利技术的各种方面和实施方式涉及一种基板处理装置和温度控制方法。
技术介绍
以往以来，已知一种对配置在处理容器内的玻璃基板等基板供给处理气体来进行蚀刻处理等的基板处理的基板处理装置。作为这样的基板处理装置，例如已知一种等离子体处理装置。等离子体处理装置使以与基板相向的方式配置的喷淋头喷出处理气体，施加高频电力来使处理气体等离子体化，由此进行蚀刻处理。另外，在等离子体处理装置中，当在蚀刻处理等中在喷淋头的表面产生堆积物时，成为微粒的产生源。因此，已知一种使喷淋头为高温以防产生堆积物的技术。例如，在专利文献1中提出有如下一种构造：将喷淋头设为将形成有气体扩散空间的基底构件与形成有用于喷出处理气体的多个气孔的喷淋板接合而成的结构，并且在基底构件形成冷却器流路来进行喷淋头的温度控制。专利文献1：日本特开2008-177428号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在专利文献1所记载的构造中，在基底构件与喷淋板之间存在气体扩散空间，因此在喷淋板表面的温度控制这方面不够充分。另外，在为了使不产生堆积物而使整体为高温的情况下，喷淋头整体成为高温而膨胀，有时发生故障。例如在喷淋头整体膨胀的情况下，保持喷淋头的保持构件的密封件有时无法再维持真空。另外，在蚀刻金属膜的情况下，将氯等卤素气体作为处理气体来进行等离子体处理。在该情况下，对由铝等构成的基底构件实施铝阳极化处理，使得针对卤素气体的耐腐蚀性提高。在蚀刻金属膜的情况下，也能够通过使喷淋板为高温来抑制堆积物，但当基底构件的耐酸铝成为高温时，产生裂纹使得耐腐蚀性明显下降。因此，在金属膜蚀刻中难以同时实现针对喷淋板表面的堆积物抑制以及基底构件的耐腐蚀性。用于解决问题的方案在一个实施方式中，所公开的基板处理装置具有喷淋头，所述喷淋头以与用于载置基板的载置台相向的方式配置在处理容器内，用于喷出处理气体。喷淋头具有：喷淋板，其以与载置台相向的方式配置，在该喷淋板设置有加热单元，并且形成有用于向处理容器内喷出处理气体的多个气孔；以及基底构件，其与喷淋板的背面侧接合，该背面是与所述喷淋板的同载置台相向的面相向的面，在该基底构件设置有温度调整单元，并且形成有用于向所述多个气孔供给处理气体的空间。专利技术的效果根据公开的基板处理装置的一个方式，起到能够对喷淋板和基底构件分别进行温度控制的效果。附图说明图1是概要性地表示实施方式所涉及的基板处理装置的图。图2A是表示第一实施方式所涉及的喷淋板的下表面侧的俯视图。图2B是表示第一实施方式所涉及的喷淋板的截面的截面图。图3A是表示向加热器供给电力的供电系统的结构的截面图。图3B是表示向加热器供给电力的供电系统的结构的俯视图。图4是说明绝缘膜蚀刻的处理条件的一例的图。图5是说明金属层蚀刻的处理条件的一例的图。图6是表示第二实施方式所涉及的喷淋板的下表面侧的俯视图。图7是概要性地表示第三实施方式所涉及的喷淋头的结构的图。附图标记说明10：基板处理装置；20：处理容器；21：容器主体；22：上盖；30：载置台；31：支承部；40：喷淋头；41：喷淋板；42：基底构件；43：气孔；46：气体扩散空间；47：保持构件；50：加热器；50a：端子部；51：供电端子；52：连接器；53：加热器电源；60；流路；70：分割板；72：连接器；80：加热板；81；盖板；90：控制部；S：基板。具体实施方式下面，参照附图来详细地说明本申请所公开的基板处理装置和温度控制方法的实施方式。此外，在各附图中对相同或相当的部分标注相同的标记。另外，所公开的专利技术不限定于本实施方式。各实施方式在处理内容不相矛盾的范围内能够适当地进行组合。(第一实施方式)[基板处理装置的结构]对实施方式所涉及的基板处理装置10的结构进行说明。图1是概要性地表示实施方式所涉及的基板处理装置的图。基板处理装置10为对基板进行规定的基板处理的装置。在本实施方式中，以将基板处理装置10设为对基板进行等离子体蚀刻的等离子体处理装置的情况为例进行说明。下面，关于基板处理装置10，主要图示与本专利技术关联的部分的结构来进行说明。在图1中概要性地示出基板处理装置10的纵截面的构造。基板处理装置10具备方筒形状的处理容器20，在该处理容器20的内部对基板S实施蚀刻处理。该基板S例如为使用于FPD(FlatPanelDisplay：平板显示器)等的方形的玻璃基板。例如，基板S在为第十代的基板尺寸的情况下，形成为一边为2880mm、另一边为3080mm左右的大小的矩形状。因此，基板处理装置10与基板S的尺寸对应地变得大型化。处理容器20的平面形状构成为矩形状，并且具备顶板部开口的容器主体21和以将该容器主体21的顶板开口部封闭的方式设置的上盖22。容器主体21和上盖22由铝、不锈钢等金属构成，并且分别接地。在容器主体21内的下部设置有用于载置基板S的载置台30。载置台30被配置在容器主体21内的底部的支承部31支承为水平。载置台30由铝、不锈钢等金属构成，从未图示的高频电力供给构件供给高频电力，该载置台30对基板S施加偏置电力来进行规定的等离子体处理。另外，容器主体21的侧壁下部经由排气通路32而与例如由真空泵等构成的真空排气单元连接。真空排气单元构成为：从后述的控制部90接受控制信号，由此真空排气单元响应于该信号对处理容器20内进行真空排气，来将处理容器20内维持为期望的真空度。另外，在处理容器20的载置台30的上方设置有用于向基板S供给处理气体的喷淋头40。喷淋头40具备以与载置台30相向的方式设置的喷淋板41以及支承喷淋板41的基底构件42。喷淋板41以与基板S相向的方式配置，在喷淋板41形成有用于向处理容器20内喷出处理气体的多个气孔43。图2A是表示第一实施方式所涉及的喷淋板的下表面侧的俯视图。图2B是表示第一实施方式所涉及的喷淋板的截面的截面图。图2B表示图2A的A-A线的位置处的截面。如图2A所示，喷淋板41形成为方板状，在喷淋板41的中央部分41a沿厚度方向开设有多个气孔43。在中央部分41a，气孔43沿着基板S的边以规定的间隔排列成矩阵状。另外，在喷淋板41的包围中央部分41a的周边部分41b开设有多个贯通孔44。喷淋板41通过在各贯通孔44中插入的螺丝45而固定于基底构件42。针对喷淋板41设置有能够将喷淋板41加热至期望的温度的加热单元。例如，喷淋板41构成为在内部埋设有加热器50的加热板。加热器50以如下方式弯折地配置在中央部分41a内：在气孔43之间通过，并且配置位置以规定的间隔遍布中央部分41a内地进行配置。在图2A中示出加热器50的配置的一例。此外，加热器50也可以不埋设在喷淋板41中。例如，加热器50也可以设置在喷淋板41的背面。例如，也可以在喷淋板41的基底构件42侧以与喷淋板41接触的方式配置设置有加热器50的加热器单元。加热器50与设置在处理容器20的外部的后述的加热器电源电连接，通过从加热器电源供给的电力而发热。图3A是表示向加热器供给电力的供电系统的结构的截面图。图3B是表示向加热器供给电力的供电系统的结构的俯视图。在喷淋板41的周边部设置有使加热器50的端部露出的端子部50a。另外，在上盖22的侧壁中的与端子部50a的位置对应的位置形成有供电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，具有喷淋头，所述喷淋头以与用于载置基板的载置台相向的方式配置在处理容器内，用于喷出处理气体，所述基板处理装置的特征在于，所述喷淋头具有：喷淋板，其以与所述载置台相向的方式配置，在所述喷淋板设置有加热单元，并且形成有用于向所述处理容器内喷出所述处理气体的多个气孔；以及基底构件，其与所述喷淋板的背面侧接合，该背面是与所述喷淋板的同所述载置台相向的面相向的面，在所述基底构件设置有温度调整单元，并且形成有用于向所述多个气孔供给所述处理气体的空间。

【技术特征摘要】
2017.12.22 JP 2017-2467801.一种基板处理装置，具有喷淋头，所述喷淋头以与用于载置基板的载置台相向的方式配置在处理容器内，用于喷出处理气体，所述基板处理装置的特征在于，所述喷淋头具有：喷淋板，其以与所述载置台相向的方式配置，在所述喷淋板设置有加热单元，并且形成有用于向所述处理容器内喷出所述处理气体的多个气孔；以及基底构件，其与所述喷淋板的背面侧接合，该背面是与所述喷淋板的同所述载置台相向的面相向的面，在所述基底构件设置有温度调整单元，并且形成有用于向所述多个气孔供给所述处理气体的空间。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述加热单元为在内部埋设有加热器的加热板，所述喷淋板至少由所述加热板构成。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，从具有导电性的外壳的供电端子向所述加热器供给电力，所述供电端子设置于所述处理容器的壁面，且与电力供给部连接，所述供电端子的外壳与被设为接地电位的构件接触。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述温度调整单元为使流动性热介质向形成于所述基底构件的内部的流路循环的热介质循环系统。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述喷淋板由分别设置有所述加热单元的多个分割板构成，所述多个分割板的加热器...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中诚治，里吉务，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP