一种修饰TiO2纳米管阵列薄膜的磁控溅射装置制造方法及图纸

技术编号:21602947 阅读:18 留言:0更新日期:2019-07-13 17:23
一种修饰TiO2纳米管阵列薄膜的磁控溅射装置,包括壳体,所述壳体内有壳体为边界围成有一工作腔,在所述壳体工作腔内由上至下依次间隔设有第一磁铁、靶材、基板以及调节基板位置的调节装置,所述调节装置安装于基板的底部,所述调节装置包括设置在工作腔底部的电机,所述电机的输出轴端连接有旋转板,所述旋转板上设有第二金属板、第二磁铁和若干个气缸,所述第二磁铁设置在若干个气缸形成的内侧且位于第二金属板的上端面上,若干个气缸的活塞杆端连接有基板,它具有成本低、效率高的优点,并且在镀膜过程中镀膜均匀克服了因镀膜不均匀导致的质量不合格的问题。

A Magnetron Sputtering Device for Modifying Titanium Dioxide Nanotube Array Films

【技术实现步骤摘要】
一种修饰TiO2纳米管阵列薄膜的磁控溅射装置
本技术涉及磁控溅射
,尤其涉及一种修饰TiO2纳米管阵列薄膜的磁控溅射装置。
技术介绍
TiO2薄膜由于其高度的透明度和优良的光催化性能,被广泛应用在光电转换、光催化降解、分解水制氢、太阳能电池、生物医药等领域。由于生产出的TiO2薄膜在不进行修复的情况下其光电性能和光催化性能并不那么优良,所以一般在TiO2生产之后对其表面进行镀膜来改进其光电性能和光催化性能。目前,TiO2最常用的镀膜方法是磁控溅射法。磁控溅射法是在高真空充入适量的氩气,在阴极(柱状靶或平面靶)和阳极(镀膜室壁)之间设有电场和磁场,在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电,使氩气发生电离。氩离子被阴极加速并轰击阴极靶表面,将靶材表面原子溅射出来沉积在基底表面上形成薄膜。但是现有的TiO2薄膜在溅射完成后TiO2薄膜厚度均匀性差,并且在后续的处理中工艺复杂,导致工作效率低。需要说明的是,上述内容属于专利技术人的技术认知范畴,并不必然构成现有技术。
技术实现思路
本技术提供了一种修饰TiO2纳米管阵列薄膜的磁控溅射装置,其具有成本低、效率高的优点,并且在镀膜过程中镀膜均匀克服了因镀膜不均匀导致的质量不合格的问题,解决了现有技术中的问题。本技术为解决上述技术问题所采用的技术方案是:一种修饰TiO2纳米管阵列薄膜的磁控溅射装置,包括壳体,所述壳体内有壳体为边界围成有一工作腔,在所述壳体上工作腔内由上至下依次间隔设有第一磁铁、靶材、基板以及调节基板位置的调节装置,所述调节装置安装于基板的底部。所述调节装置包括设置在壳体底部的电机,所述电机的输出轴端连接有旋转板,所述旋转板上设有第二金属板、第二磁铁和若干个气缸,所述第二磁铁设置在若干个气缸形成的内侧且位于第二金属板的上端面上,若干个气缸的活塞杆端连接有基板,所述第一磁铁设置于壳体顶端的第一金属板上,所述第一金属板和第二金属板分别与电源连接。所述第一磁铁和第二磁铁分别由若干个条状磁铁组成。所述靶材设置在壳体上的隔板上。所述第一磁铁和第二磁铁分别由三个条形状磁铁组成。所述壳体上还设有进气口和抽气口。所述气缸设置两个并对称设置在旋转板上。本技术的有益效果:采用本技术方案克服了镀膜不均匀的现象,并且具有成本低、效率高的优点。具体体现如下,1、本技术设计简单,在结构上减少了不必要的部分,在一定程度上节约了成本。2、本技术通过在基板上设置调节装置可以在镀膜的过程中调节基板与靶材之间的距离,进而调节镀膜的均匀性,提高产品质量。3、通过本技术将修复了TiO2薄膜的光电性能,满足了在各方面应用过程中的性能。附图说明图1为本技术的主视图。图2为本技术的A-A截面剖视图。图中,1、壳体,2、电机,3、旋转板,4、第二金属板,5、第二磁铁,6、基板,7、气缸,8、靶材,9、隔板,10、第一磁铁,11、第一金属板,12、电源,13、进气口,14、抽气口。具体实施方式为能清楚说明本方案的技术特点,下面通过具体实施方式并结合附图,对本技术进行详细阐述。如图1-2所示,一种修饰TiO2纳米管阵列薄膜的磁控溅射装置,包括壳体1,所述壳体1内有壳体1为边界围成有一工作腔,工作腔为一个封闭的空间,其上设有还设有能够实现反应气体的进气口13和抽气口14的,在壳体1上工作腔内由上至下依次间隔设有第一磁铁10、靶材8、基板6以及调节基板6位置的调节装置,靶材8可以选择Au、Ag、Cu、Pt等,基板6可以采用玻璃、陶瓷等,所述调节装置安装于基板6的底部。所谓调节装置包括设置在壳体1底部的电机2,电机2的输出轴端连接有旋转板3,在旋转板3上设有第二金属板4、第二磁铁5和两个气缸7,第二磁铁5设置在若干个气缸7形成的内侧且位于第二金属板4的上端面上,两个气缸7的活塞杆端连接有基板6。在第一磁铁10和第二磁铁5之间形成磁场,并且在第一金属板11和第二金属板4之间形成较强的电场,反应气体不断轰击靶材8,靶材8上的游离出的离子在磁场和电场作用下溅射到设置在基板6上的待镀膜件进行镀膜,通过设置旋转板3可以在进行溅射的过程中旋转基板6,使涂覆的更加均匀,并且在旋转板上对称设置两气缸7可以调节基板6与靶材8之间的距离进行调节基板6上待镀膜件的镀膜均匀性。第一磁铁10设置于壳体1顶端的第一金属板11上,第一金属板11和第二金属板4分别与电源12连接,将第一金属板11与第二金属板4与电源12连接可以形成较强的电场来实现靶材8对基板6上待镀膜件的溅射。第一磁铁10和第二磁铁5分别由三个条状磁铁组成,第一磁铁10与第二磁铁5为磁性相吸的磁铁,由第一磁铁10和第二磁铁5形成磁场使靶材8对基板6待镀膜件进行溅射。靶材8设置在壳体1上的隔板9上,支撑靶材8设置在第一磁铁10与第二磁铁5之间形成能够对基板6待镀膜件进行溅射的位置。第一磁铁10和第二磁铁5分别由三个条形状磁铁组成,设置成多个条状磁铁可以形成较密集和且较均匀的磁场,能够促进基板6待镀膜件溅射的均匀性。所述气缸7设置两个并对称设置在旋转板3上,这样能够保证受力平衡,避免旋转板3受力不平衡导致旋转不平稳的现象。采用本技术方案克服了镀膜不均匀的现象,并且具有成本低、效率高的优点。由于本技术设计简单,在结构上减少了不必要的部分,在一定程度上节约了成本。另外,本技术通过在基板上设置调节装置可以在镀膜的过程中调节基板6与靶材8之间的距离,进而调节镀膜的均匀性,提高产品质量。同时,通过本技术将修复了TiO2薄膜的光电性能,满足了在各方面应用过程中的性能。上述具体实施方式不能作为对本技术保护范围的限制,对于本
的技术人员来说,对本技术实施方式所做出的任何替代改进或变换均落在本技术的保护范围内。本技术未详述之处,均为本
技术人员的公知技术。本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种修饰TiO2纳米管阵列薄膜的磁控溅射装置,其特征在于:包括壳体,所述壳体内有壳体为边界围成有一工作腔,在所述壳体上工作腔内由上至下依次间隔设有第一磁铁、靶材、基板以及调节基板位置的调节装置,所述调节装置安装于基板的底部。

【技术特征摘要】
1.一种修饰TiO2纳米管阵列薄膜的磁控溅射装置,其特征在于:包括壳体,所述壳体内有壳体为边界围成有一工作腔,在所述壳体上工作腔内由上至下依次间隔设有第一磁铁、靶材、基板以及调节基板位置的调节装置,所述调节装置安装于基板的底部。2.根据权利要求1所述的一种修饰TiO2纳米管阵列薄膜的磁控溅射装置,其特征在于:所述调节装置包括设置在壳体底部的电机,所述电机的输出轴端连接有旋转板,所述旋转板上设有第二金属板、第二磁铁和若干个气缸,所述第二磁铁设置在若干个气缸形成的内侧且位于第二金属板的上端面上,若干个气缸的活塞杆端连接有基板。3.根据权利要求1所述的一种修饰TiO2纳米管阵列薄膜的磁控溅射装置,其特征在于:所述第一磁铁设置于壳体顶端的第一金属板上...

【专利技术属性】
技术研发人员:王辉徐卫平周琱玉
申请(专利权)人:太原科技大学
类型:新型
国别省市:山西,14

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