细胞膜片的培养装置和制备方法制造方法及图纸

本公开提供了一种细胞膜片的培养装置和制备方法，涉及细胞培养技术领域。细胞膜片的培养装置包括半导体制冷器件、以及被配置为培养细胞膜片的一个或多个培养容器。半导体制冷器件包括第一绝缘基板、第二绝缘基板、以及设置在所述第一绝缘基板和所述第二绝缘基板之间的至少一个半导体热电偶。所述一个或多个培养容器设置在所述第一绝缘基板远离所述第二绝缘基板的一侧。

Culture device and preparation method of cell membrane

【技术实现步骤摘要】
细胞膜片的培养装置和制备方法
本公开涉及细胞培养
，尤其涉及一种细胞膜片的培养装置和制备方法。
技术介绍
细胞膜片是细胞分泌的外基质与细胞连接形成的一种膜片状组织。细胞膜片的细胞密度高、细胞分布均匀、且质地均一，可以用于皮肤、软骨、角膜、心肌等器官或组织的修复。
技术实现思路
相关技术中，细胞膜片可以利用涂覆有温敏高分子层的温敏培养皿来制备得到。在制备细胞膜片时，需要调节温敏培养皿的温度。有鉴于此，本公开实施例提供了如下技术方案。根据本公开实施例的一方面，提供一种细胞膜片的培养装置，包括：半导体制冷器件、以及被配置为培养细胞膜片的一个或多个培养容器。半导体制冷器件包括第一绝缘基板、第二绝缘基板、以及设置在所述第一绝缘基板和所述第二绝缘基板之间的至少一个半导体热电偶。所述一个或多个培养容器设置在所述第一绝缘基板远离所述第二绝缘基板的一侧。在一些实施例中，所述半导体制冷器件还包括：导热部件，设置在所述第一绝缘基板远离所述第二绝缘基板的一侧，所述导热部件上设置有所述一个或多个培养容器。在一些实施例中，所述导热部件具有一个或多个凹槽，一个凹槽中设置有一个培养容器。在一些实施例中，所述第一绝缘基板在第二绝缘基板上的投影在所述导热部件在所述第二绝缘基板上的投影之内。在一些实施例中，至少一个所述培养容器的底部远离所述第一绝缘基板的一面上设置有温敏高分子层，所述温敏高分子层的表面能随着温度的变化而单调变化。在一些实施例中，所述温敏高分子层的表面能随着温度的升高而升高。在一些实施例中，所述至少一个半导体热电偶包括N个半导体热电偶，N为大于或等于2的整数，其中：每个半导体热电偶包括导电类型不同的第一半导体部和第二半导体部，所述第一半导体部和第二半导体部中的每一个均包括相对设置的第一面和第二面，所述第一面比所述第二面更靠近所述第一绝缘基板，所述第一半导体部的第一面和所述第二半导体的第一面通过第一金属件连接，并且第i个半导体热电偶的第一半导体部的第二面和第i+1个半导体热电偶的第二半导体部的第二面通过第二金属件连接，其中，1≤i≤N-1。在一些实施例中，所述半导体制冷器件还包括第一开关、第一电源和第二电源，其中：所述第一电源的第一极通过第三金属件与第1个半导体热电偶的第二半导体部的第二面连接，所述第一电源的第二极被配置为通过所述第一开关和第四金属件与第N个半导体热电偶的第一半导体部的第二面连接；所述第二电源的第二极通过所述第三金属件与第1个半导体热电偶的第二半导体部的第二面连接，所述第二电源的第一极被配置为通过所述第一开关和所述第四金属件与第N个半导体热电偶的第一半导体部第二面连接；所述第一开关被配置为响应于用户操作，与所述第一电源的第二极和所述第二电源的第一极中的一个连接；其中，所述第一极和所述第二极中的一个为正极、另一个为负极。在一些实施例中，所述半导体制冷器件还包括：温度监测部件，被配置为监测所述第一绝缘基板的温度；控制器，被配置为根据所述第一绝缘基板的温度控制所述第一开关的状态。在一些实施例中，所述控制器被配置为：在所述第一绝缘基板的温度在预设温度范围内的情况下，控制所述第一开关闭合；在所述第一绝缘基板的温度不在所述预设温度范围内的情况下，控制所述第一开关断开，或者，控制所述第一开关由与所述第一电源的第二极和所述第二电源的第一极中的一个连接切换到与所述第一电源的第二极和所述第二电源的第一极中的另一个连接。在一些实施例中，所述半导体制冷器件还包括：第二开关，连接在所述第一电源与N个半导体热电偶之间，并且，连接在所述第二电源与N个半导体热电偶之间；所述控制器被配置为：在所述第一绝缘基板的温度在预设温度范围内的情况下，控制所述第二开关闭合；在所述第一绝缘基板的温度不在所述预设温度范围内的情况下，控制所述第一开关和所述第二开关中的至少一个断开。在一些实施例中，所述半导体制冷器件还包括：分压可调元件，连接在所述第一电源与N个半导体热电偶之间，并且，连接在所述第二电源与N个半导体热电偶之间。在一些实施例中，所述半导体制冷器件还包括：散热部件，设置在所述第二绝缘基板远离所述第一绝缘基板的一侧。在一些实施例中，所述半导体制冷器与所述一个或多个培养容器分体地设置。根据本公开实施例的另一方面，提供一种基于上述任意一个实施例所述的细胞膜片培养装置的细胞膜片的制备方法，所述细胞膜片的制备方法包括：将半导体制冷器件的第一绝缘基板的温度调节到第一温度，以使得所述培养容器中的多个细胞形成吸附于温敏高分子层的细胞膜片；和将所述第一绝缘基板的温度调节到与所述第一温度不同的第二温度，以使得所述细胞膜片与所述温敏高分子层分离。在一些实施例中，所述第二温度低于所述第一温度。本公开实施例提供的细胞膜片的培养装置包括半导体制冷器件。利用半导体制冷器件来调节培养容器的温度，一方面，减轻了环境温度对培养容器的温度的影响，对培养容器的温度的调节更加准确；另一方面，半导体制冷器件的制冷或制热速度快，对培养容器的温度的调节更快；再一方面，半导体制冷器件易于小型化，细胞膜片的培养装置可以用于超净台或生物安全柜等需要进行细胞操作而空间有限的场景。通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征、方面及其优点将会变得清楚。附图说明附图构成本说明书的一部分，其描述了本公开的示例性实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理，在附图中：图1是示出根据本公开一个实施例的细胞膜片的培养装置的结构示意图；图2是示出根据本公开一个实现方式的半导体制冷器件的结构示意图；图3是示出根据本公开另一个实现方式的半导体制冷器件的结构示意图；图4是是示出根据本公开又一个实现方式的半导体制冷器件的结构示意图；图5是示出根据本公开再一个实现方式的半导体制冷器件的结构示意图；图6是示出根据本公开一个实施例的细胞膜片的制备方法的流程示意图。应当明白，附图中所示出的各个部分的尺寸并不必然是按照实际的比例关系绘制的。此外，相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。对示例性实施例的描述仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。本公开可以以许多不同的形式实现，不限于这里所述的实施例。提供这些实施例是为了使本公开透彻且完整，并且向本领域技术人员充分表达本公开的范围。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、材料的组分、数字表达式和数值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指在该词前的要素涵盖在该词后列举的要素，并不排除也涵盖其他要素的可能。“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。在本公开中，当描述到特定部件位于第一部件和第二部件之间时，在该特定部件与第一部件或第二部件之间可以存在居间部件，也可以不存在居间部件。当描述到特定部件连接其它部件时，该特定部件可以与所述其它部件直接连接而不具有居间部件，也可以不与所述其它部件直接连接而具有居间部件。本公开使用的所有术语(包括技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种细胞膜片的培养装置，包括：半导体制冷器件，包括：第一绝缘基板，第二绝缘基板，和至少一个半导体热电偶，设置在所述第一绝缘基板和所述第二绝缘基板之间；和一个或多个培养容器，被配置为培养细胞膜片，设置在所述第一绝缘基板远离所述第二绝缘基板的一侧。

【技术特征摘要】
1.一种细胞膜片的培养装置，包括：半导体制冷器件，包括：第一绝缘基板，第二绝缘基板，和至少一个半导体热电偶，设置在所述第一绝缘基板和所述第二绝缘基板之间；和一个或多个培养容器，被配置为培养细胞膜片，设置在所述第一绝缘基板远离所述第二绝缘基板的一侧。2.根据权利要求1所述的细胞膜片的培养装置，其中，所述半导体制冷器件还包括：导热部件，设置在所述第一绝缘基板远离所述第二绝缘基板的一侧，所述导热部件上设置有所述一个或多个培养容器。3.根据权利要求2所述的细胞膜片的培养装置，其中，所述导热部件具有一个或多个凹槽，一个凹槽中设置有一个培养容器。4.根据权利要求2所述的细胞膜片的培养装置，其中，所述第一绝缘基板在第二绝缘基板上的投影在所述导热部件在所述第二绝缘基板上的投影之内。5.根据权利要求1所述的细胞膜片的培养装置，其中，至少一个所述培养容器的底部远离所述第一绝缘基板的一面上设置有温敏高分子层，所述温敏高分子层的表面能随着温度的变化而单调变化。6.根据权利要求5所述的细胞膜片的培养装置，其中，所述温敏高分子层的表面能随着温度的升高而升高。7.根据权利要求1-6任意一项所述的细胞膜片的培养装置，其中，所述至少一个半导体热电偶包括N个半导体热电偶，N为大于或等于2的整数，其中：每个半导体热电偶包括导电类型不同的第一半导体部和第二半导体部，所述第一半导体部和第二半导体部中的每一个均包括相对设置的第一面和第二面，所述第一面比所述第二面更靠近所述第一绝缘基板，所述第一半导体部的第一面和所述第二半导体的第一面通过第一金属件连接，并且第i个半导体热电偶的第一半导体部的第二面和第i+1个半导体热电偶的第二半导体部的第二面通过第二金属件连接，其中，1≤i≤N-1。8.根据权利要求7所述的细胞膜片的培养装置，其中，所述半导体制冷器件还包括第一开关、第一电源和第二电源，其中：所述第一电源的第一极通过第三金属件与第1个半导体热电偶的第二半导体部的第二面连接，所述第一电源的第二极被配置为通过所述第一开关和第四金属件与第N个半导体热电偶的第一半导体部的第二面连接；所述第二电源的第二极通过所述第三金属件与第1个半导体热电偶的第二半导体部的第二面连接，所述第二电源的第一极被配置为通过所述第一开关和所述第四金属件与第N个半导体热电偶的第一半导体部第...

【专利技术属性】
技术研发人员：高爽，靳新，王娟，赵玉菲，谭玉琴，李志生，常德华，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11