半导体器件、发光器件芯片、光学打印头和图像形成设备制造技术

本发明专利技术涉及半导体器件、发光器件芯片、光学打印头和图像形成设备。半导体器件1000包括：发光晶闸管10，其包括第一导电类型的第一半导体层1040、第二导电类型的第二半导体层1030、第一导电类型的第三半导体层1020和第二导电类型的第四半导体层1010；以及第一至第三电极61A、51G和41K。第一半导体层1040包括第一层1043、具有比第二半导体层1030和第三半导体层1020的带隙BGng和BGpg宽的带隙BGcl1的第二层1042、以及具有比第二半导体层1030和第三半导体层1020的杂质浓度IMng和IMpg高的杂质浓度IMac1并且具有比第二半导体层1030和第三半导体层1020的带隙BGng和BGpg窄或与其相等的带隙BGac1的第三层1041。

Semiconductor Devices, Light Emitting Device Chips, Optical Printing Heads and Image Forming Equipment

【技术实现步骤摘要】
半导体器件、发光器件芯片、光学打印头和图像形成设备
本专利技术涉及包括发光晶闸管的半导体器件、包括布置在基板部分上的该半导体器件的发光器件芯片、包括该发光器件芯片的光学打印头、以及包括该光学打印头的图像形成设备。
技术介绍
常规地，用于通过电子照相过程在打印介质上形成图像的图像形成设备是普遍的。在图像形成设备中，通过利用从包括布置成一行的多个发光器件的光学打印头发出的光照射感光鼓的表面来在表面上形成静电潜像，通过对静电潜像进行显影来形成显影剂图像，并且将显影剂图像转印到打印介质上并定影。作为包括在光学打印头中的发光器件，作为三端发光器件的发光晶闸管是公知的（例如，参见日本专利申请公开号2010-239084）。
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，常规的发光晶闸管需要更优异的发光性能。本专利技术的目的是提供包括具有优异发光性能的发光晶闸管的半导体器件、包括布置在基板部分上的该半导体器件的发光器件芯片、包括该发光器件芯片的光学打印头和包括该光学打印头的图像形成设备。用于解决问题的方法根据本专利技术的一个方面的半导体器件包括：发光晶闸管，其包括第一导电类型的第一半导体层、与第一半导体层相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括发光晶闸管，所述发光晶闸管包括：第一导电类型的第一半导体层；与第一半导体层相邻布置的第二导电类型的第二半导体层；与第二半导体层相邻布置的第一导电类型的第三半导体层；以及与第三半导体层相邻布置的第二导电类型的第四半导体层；其中第一半导体层包括：第一层；具有比第二半导体层的第二带隙和第三半导体层的第三带隙宽的第一带隙的第二层；以及具有比第二半导体层的第二杂质浓度和第三半导体层的第三杂质浓度高的第一杂质浓度的第三层，所述第三层具有比第二半导体层的第二带隙和第三半导体层的第三带隙窄或与其相等的第四带隙。

【技术特征摘要】
2017.12.19 JP 2017-2427091.一种半导体器件，包括发光晶闸管，所述发光晶闸管包括：第一导电类型的第一半导体层；与第一半导体层相邻布置的第二导电类型的第二半导体层；与第二半导体层相邻布置的第一导电类型的第三半导体层；以及与第三半导体层相邻布置的第二导电类型的第四半导体层；其中第一半导体层包括：第一层；具有比第二半导体层的第二带隙和第三半导体层的第三带隙宽的第一带隙的第二层；以及具有比第二半导体层的第二杂质浓度和第三半导体层的第三杂质浓度高的第一杂质浓度的第三层，所述第三层具有比第二半导体层的第二带隙和第三半导体层的第三带隙窄或与其相等的第四带隙。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中第二层布置在第一层和第三层之间，并且第三层与第二层相邻布置。3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中第三层是AlGaAs层，其Al组分比在0.14至0.18的范围内，并且第二半导体层和第三半导体层是AlGaAs层，其Al组分比在0.14至0.3的范围内。4.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中第二层是降低从第二半导体层通过第三层朝向第二层移动的载流子的载流子迁移率的阻隔层。5.根据权利要求1或2所述的半导体器件，还包括：与第一半导体层电连接的第一电极；与第二半导体层或第三半导体层电连接的第二电极；以及与第四半导体层电连接的第三电极，其中第一层与第一电极电连接。6.根据权利要求1或2所述的半导体器件，还包括：与第一半导体层电连接的第一电极；与第二半导体层或第三半导体层电连接的第二电极；以及与第四半导体层电连接的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷川兼一，川田宽人，
申请(专利权)人：日本冲信息株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP