有机发光显示设备制造技术

提供了一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括：薄膜晶体管，包括有源层、栅电极、源电极、漏电极、位于有源层和栅电极之间的第一绝缘层以及位于栅电极与源电极和漏电极之间的第二绝缘层；焊盘电极，包括与源电极和漏电极位于同一层上的第一焊盘层和位于第一焊盘层上的第二焊盘层；第三绝缘层，覆盖源电极和漏电极以及焊盘电极的端部；像素电极，包括位于第三绝缘层中的开口中的半透射导电层；保护层，位于像素电极和第一绝缘层之间；第四绝缘层，在与形成在第三绝缘层中的开口相对应的位置中具有开口，第四绝缘层覆盖焊盘电极的端部；发射层，位于像素电极上；以及相对电极，位于发射层上。

Organic Light Emitting Display Equipment

【技术实现步骤摘要】
有机发光显示设备本申请是申请日为2014年5月30日，申请号为201410238986.6，专利技术名称为“有机发光显示设备”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术的实施例涉及一种有机发光显示设备和一种制造该有机发光显示设备的方法。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)显示设备通常包括空穴注入电极、电子注入电极和形成在空穴注入电极和电子注入电极之间的有机发光层。OLED显示设备是当从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子在有机发光层中复合至其后逐渐消失的激发态来发光。与其他类型的显示装置相比，由于其诸如功耗相对低、亮度相对高以及响应速度相对快的高质量特性，OLED显示设备作为下一代显示器而备受关注。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种具有优异的显示质量的有机发光显示设备和一种制造该有机发光显示设备的方法。根据本专利技术的一方面，提供了一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括：薄膜晶体管，包括有源层、栅电极、源电极、漏电极、位于有源层和栅电极之间的第一绝缘层以及位于栅电极与源电极和漏电极之间的第二绝缘层；焊盘电极，包括与源电极和漏电极位于同一层上的第一焊盘层和位于第一焊盘层上的第二焊盘层；第三绝缘层，覆盖源电极和漏电极以及焊盘电极的端部；像素电极，包括位于第三绝缘层中的开口中的半透射导电层；保护层，位于像素电极和第一绝缘层之间；第四绝缘层，在与形成在第三绝缘层中的开口相对应的位置中具有开口，第四绝缘层覆盖焊盘电极的端部；发射层，位于像素电极上；以及相对电极，位于发射层上。保护层可以包括与第二焊盘层的材料相同的材料。第二焊盘层可以包括透明导电氧化物。透明导电氧化物可以包括从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)组成的组中选择的一种或更多种。保护层的厚度可以在至的范围内。源电极和栅电极可以具有电子迁移率不同的多个异质导电层的堆叠结构。源电极和漏电极可以包括包含钼的层和包含铝的层。源电极和漏电极可以包括第一金属层和位于第一金属层上的第二金属层。所述有机发光显示设备还可以包括：电容器，包括与有源层位于同一层上的第一电极和与栅电极位于同一层上的第二电极。电容器的第一电极可以包括利用离子杂质掺杂的半导体材料。电容器的第二电极可以包括透明导电氧化物。电容器还可以包括与源电极和漏电极位于同一层上的第三电极。所述有机发光显示设备还可以包括：像素电极接触单元，通过形成在第三绝缘层中的接触孔电结合在像素电极与源电极和漏电极中的一个之间，其中，像素电极接触单元可以包括：第一接触层，包括与源电极和漏电极的材料相同的材料；第二接触层，包括与第二焊盘层的材料相同的材料；以及第三接触层，位于第一绝缘层和第二绝缘层中并包括与电容器的第二电极的材料相同的材料，其中，第一接触层通过形成在第二绝缘层中的接触孔电结合到第三接触层。像素电极接触单元还可以包括位于第一绝缘层和第三绝缘层之间并包括与栅电极的材料相同的材料的第四接触层。所述有机发光显示设备还可以包括：电容器，包括与栅电极位于同一层上的第一电极和与源电极和漏电极位于同一层上的第二电极。电容器的第一电极可以包括与栅电极的材料相同的材料。电容器的第二电极可以包括与源电极和漏电极的材料相同的材料。第二绝缘层可以设置在第一电极和第二电极之间，第二电极可以设置在形成在第二绝缘层中的沟槽中。第一焊盘层可以包括与源电极和漏电极的材料相同的材料。半透射导电层可以包括银(Ag)或银合金。第一透明导电氧化物层可以进一步堆叠在像素电极和保护层之间。第二透明导电氧化物层可以进一步堆叠在像素电极的上部上。第二绝缘层中的开口、第三绝缘层中的开口和第四绝缘层中的开口彼此叠置，其中，第三绝缘层中的开口的宽度比形成在第四绝缘层中的开口的宽度大，并且比形成在第二绝缘层中的开口的宽度小。像素电极的端部可以在形成在第三绝缘层中的开口的顶端上。附图说明通过参照附图详细地描述本专利技术的示例性实施例，本专利技术的实施例的上述和其他特征和方面将变得更清楚，其中：图1是示出根据本专利技术的实施例的有机发光显示设备的示意性平面图；图2是示出根据本专利技术的实施例的有机发光显示设备的焊盘和像素的一部分的示意性剖视图；图3A至图3I是示出根据本专利技术的实施例的制造图1的有机发光显示设备的方法的示意性剖视图；图4是示出根据本专利技术的实施例的在相同的条件下在涂覆保护层之前和之后有机发光显示设备的暗点缺陷的数量的曲线图；图5是示出相对于保护层的厚度的y彩色坐标与蓝色发射层的效率之间的关系的曲线图；图6是示出根据对比示例的有机发光显示设备的示意性平面图；图7A至图7I是示出根据对比示例的制造图6的有机发光显示设备的方法的示意性剖视图；图8是示出根据本专利技术的另一实施例的有机发光显示设备的焊盘和像素的一部分的示意性剖视图；图9A至图9I是示出根据本专利技术的另一实施例的制造图8的有机发光显示设备的方法的示意性剖视图；以及图10是示出根据本专利技术的另一实施例的有机发光显示设备的焊盘和像素的一部分的示意性剖视图。具体实施方式现在将参照附图更充分地描述本专利技术的实施例，从而使本领域普通技术人员能够没有任何困难地执行本专利技术。然而，本专利技术可以以许多不同的形式来实施并且不应被解释为局限于这里阐述的实施例；相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底的和完整的，并将向本领域普通技术人员充分地传达本专利技术的构思。此外，省略附图中与具体实施方式无关的部件，以确保本专利技术的清楚性。在附图中同样的附图标记表示同样的元件。在各个实施例中，在第一实施例中示例性地解释了由相同的附图标记表示的具有相同结构的元件，将在其他实施例中解释与第一实施例中的结构不同的结构。此外，为了便于解释，随意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度，因此元件的尺寸和厚度不限于所示出的那些。在附图中为了清晰起见，放大了各个层和区域。在附图中，为了易于解释，夸大了一些层和区域的厚度。另外将理解的是，当层、膜、区域或板被称为“在”另一层、膜、区域或板“上”时，其可以直接在所述另一层、膜、区域或板上，或者其之间也可以存在中间的层、膜、区域或板。除非上下文另外指出，否则词语“包括”或诸如“包含”或“具有”的变形被理解为是指“包括但不限于”，从而也可以包括没有明确提及的其他元件。另外，将理解的是，术语“上”包括“上方”和“下方”两个方向，而不限于沿重力方向的“上方”。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和所有组合。当诸如“……中的至少一个(种)”的表述与一系列元件(要素)一起使用时，修饰整个系列的元件(要素)，而不是仅修饰所述系列中的单个元件(要素)。图1是示出根据本专利技术的实施例的有机发光显示设备1的示意性平面图。图2是示出根据本专利技术的实施例的有机发光显示设备1的多个焊盘PAD和多个像素P的一部分的示意性剖视图。参照图1，包括多个像素P并显示图像的显示区DA设置在根据本专利技术的实施例的有机发光显示设备1的基板10上。显示区DA形成在密封线SL中并且包括沿着密封线SL密封显示区DA的密封构件(未示出)。参照图2，包括至少一个有机发射层121的像素区PXL1、包括至少一个薄膜晶体管的晶体管区TR1、包括至少一个电容器的电容器区CAP1以及焊本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括：薄膜晶体管，包括有源层、栅电极、源电极、漏电极、位于有源层和栅电极之间的第一绝缘层以及位于栅电极与源电极和漏电极之间的第二绝缘层；焊盘电极，包括第一焊盘层和位于第一焊盘层上的第二焊盘层，第一焊盘层与源电极和漏电极在同一层上；第三绝缘层，覆盖源电极和漏电极以及焊盘电极的端部；像素电极，包括位于第三绝缘层中的开口中的半透射导电层；保护层，位于像素电极和第一绝缘层之间；第四绝缘层，在与形成在第三绝缘层中的开口相对应的位置中具有开口；发射层，位于像素电极上；以及相对电极，位于发射层上。

【技术特征摘要】
2013.05.30 KR 10-2013-0062114;2014.05.13 KR 10-2011.一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括：薄膜晶体管，包括有源层、栅电极、源电极、漏电极、位于有源层和栅电极之间的第一绝缘层以及位于栅电极与源电极和漏电极之间的第二绝缘层；焊盘电极，包括第一焊盘层和位于第一焊盘层上的第二焊盘层，第一焊盘层与源电极和漏电极在同一层上；第三绝缘层，覆盖源电极和漏电极以及焊盘电极的端部；像素电极，包括位于第三绝缘层中的开口中的半透射导电层；保护层，位于像素电极和第一绝缘层之间；第四绝缘层，在与形成在第三绝缘层中的开口相对应的位置中具有开口；发射层，位于像素电极上；以及相对电极，位于发射层上。2.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，保护层包括与第二焊盘层的材料相同的材料。3.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，第二焊盘层包括透明导电氧化物。4.如权利要求3所述的有机发光显示设备，其中，透明导电氧化物包括从由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓和氧化铝锌组成的组中选择的一种或更多种。5.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，保护层的厚度在至的范围内。6.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，源电极和漏电极具有电子迁移率不同的多个异质导电层的堆叠结构。7.如权利要求6所述的有机发光显示设备，其中，源电极和漏电极包括包含钼的层和包含铝的层。8.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，源电极和漏电极包括第一金属层和位于第一金属层上的第二金属层。9.如权利要求1所述的有机发光显示设备，所述有机发光显示设备还包括：电容器，包括第一电极和第二电极，第一电极与有源层在同一层上，第二电极与栅电极在同一层上。10.如权利要求9所述的有机发光显示设备，其中，电容器的第一电极包括利用离子杂质掺杂的半导体材料。11.如权利要求9所述的有机发光显示设备，其中，电容器的第二电极包括透明导电氧化物。12.如权利要求9所述的有机发光显示设备，其中，电容器还包括第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳春基，朴鲜，李律圭，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR