一种阵列型MEMS气体传感器制造技术

一种阵列型MEMS气体传感器，包括基底、位于基底上端的电控机构、位于电控机构上端且与所述电控机构电路互联的传感平台及位于传感平台上端的气体传感器阵列，所述气体传感器阵列包括一个以上的气体传感器，所述气体传感器阵列上设有气体渗透型薄膜；所述气体传感器与所述传感平台之间设有一个隔热腔；所述电控机构及所述传感平台通过单片集成工艺与所述基底一体化制成。

An array type of MEMS gas sensor

【技术实现步骤摘要】
一种阵列型MEMS气体传感器
本专利技术涉及一种气体传感器，尤其涉及一种阵列型MEMS气体传感器。
技术介绍
气体传感器是一种将某种气体体积分数转化成对应电信号的转换器，随着微器件应用范围不断扩大，对气体传感器的微型化和集成化、低功耗和低成本、高精度和长寿命、多功能和智能化提出了更高的要求。微结构和集成电路的一体化集成可以很好的满足上述要求。
技术实现思路
本专利技术根据现有技术的特点，提供一种阵列型MEMS气体传感器。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种阵列型MEMS气体传感器，包括基底、位于基底上端的电控机构、位于电控机构上端且与所述电控机构电路互联的传感平台及位于传感平台上端的气体传感器阵列，所述气体传感器阵列包括一个以上的气体传感器，所述气体传感器阵列上设有气体渗透型薄膜。作为本专利技术的进一步优化，所述气体传感器与所述传感平台之间设有一个隔热腔。作为本专利技术的进一步优化，所述电控机构及所述传感平台通过单片集成工艺与所述基底一体化制成。作为本专利技术的进一步优化，所述气体传感器为半导体气体传感器、电化学气体传感器、催化燃烧式气体传感器、热导式气体传感器、红外线气体传感器中的一种或两种以上的组合。作为本专利技术的进一步优化，所述传感平台为MEMS传感平台。作为本专利技术的进一步优化，所述气体渗透型薄膜为二氧化硅材质。所述电控机构为集成在基底上的微处理器单元。本专利技术的有益效果是：本专利技术生产工艺简单，制作成本低，本专利技术创建了一种新的芯片集成方式，集不同气体传感器为一个基底，可以探测不同气体参数，也可以根据不同气体，选择不同的气体传感器，从而降低了使用成本；在气体传感器与传感平台之间的隔热腔，可以在提高散热的同时，提高气体传感器的感应精度。附图说明图1为本专利技术的结构示意图；其中，1、基底；2、电控机构；3、传感平台；4、气体传感器阵列；5、气体传感器；6、气体渗透型薄膜；7、隔热腔。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。一种阵列型MEMS气体传感器5，包括基底1、位于基底1上端的电控机构2、位于电控机构2上端且与所述电控机构2电路互联的传感平台3及位于传感平台3上端的气体传感器阵列4，所述气体传感器阵列4包括一个以上的气体传感器5，所述气体传感器阵列4上设有气体渗透型薄膜6。所述气体传感器5与所述传感平台3之间设有一个隔热腔7。所述电控机构2及所述传感平台3通过单片集成工艺与所述基底1一体化制成。所述气体传感器5为半导体气体传感器5、电化学气体传感器5、催化燃烧式气体传感器5、热导式气体传感器5、红外线气体传感器5中的一种或两种以上的组合。所述传感平台3为MEMS传感平台3。所述气体渗透型薄膜6为二氧化硅材质。所述电控机构2为集成在基底1上的微处理器单元。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列型MEMS气体传感器，其特征在于：包括基底、位于基底上端的电控机构、位于电控机构上端且与所述电控机构电路互联的传感平台及位于传感平台上端的气体传感器阵列，所述气体传感器阵列包括一个以上的气体传感器，所述气体传感器阵列上设有气体渗透型薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种阵列型MEMS气体传感器，其特征在于：包括基底、位于基底上端的电控机构、位于电控机构上端且与所述电控机构电路互联的传感平台及位于传感平台上端的气体传感器阵列，所述气体传感器阵列包括一个以上的气体传感器，所述气体传感器阵列上设有气体渗透型薄膜。2.根据权利要求1所述的一种阵列型MEMS气体传感器，其特征在于：所述气体传感器与所述传感平台之间设有一个隔热腔。3.根据权利要求1所述的一种阵列型MEMS气体传感器，其特征在于：所述电控机构及所述传感平台通过单片集成工艺与所述基底一体化制成。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙书敏，
申请(专利权)人：烟台博昊信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37