【技术实现步骤摘要】
一种锑化铟纳米线制备方法
本专利技术属于纳米材料自备
，具体涉及一种锑化铟纳米线制备方法。
技术介绍
近几年信息技术蓬勃发展，电子产品已经成为人们生活中不可或缺的部份。目前数据存储元件分为挥发性以及非挥发性内存二大类。挥发性存储元件是需要靠电流维持的内存，当供应电流中断后，所储存的数据便完全消失，大多制作成随机存储器，主要作为计算机应用程序临时数据的储存介质。而非挥发性内存不需要靠电流维持，储存在内存数据可以藉由通入电流进行改写，通常应用在只读存储器以及闪存。挥发性存储器因漏电而造成大量能量损失，而非挥发性存储器可改善漏电问题，使得非挥发性内存逐渐受到重视。因有机非挥发性存储器成本低、可用于穿戴式电子产品，引起科研人员极大的研究兴趣。有机非挥发性存储器的构造与记忆效应与浮栅组件相似，区别在于他是以半导体层、电荷储存层和介电层为主要组成结构。其记忆效应是利用外加偏压在电荷储存层产生对应电滞行为，以达到记忆效应。电荷储存层主要以纳米浮栅电介质或高分子聚合物作为电荷存储层材料，此层材料会受到内部纳米颗粒形貌、均匀性以及穿隧层中负载电场强度的影响。典型的纳米线被定义...
【技术保护点】
1.一种锑化铟纳米线制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将铟颗粒及锑粉末混合置于真空环境中加热，熔融后持续加热至混合均匀，冷却形成InSb块状金属；2)将InSb块状金属置于真空环境中进行加热至400℃保温24小时，冷却；3)利用纯铝片作为阳极氧化铝基板制备阳极氧化铝模板，所述的阳极氧化铝上有大小均一的纳米孔洞；4)把步骤(1)制备的InSb块状金属放在模具挤压内的阳极氧化铝模板上加热至InSb块状金属成熔融态，加压使熔融态锑化铟进入阳极氧化铝模板纳米孔内，冷却获得含有锑化铟纳米线的阳极氧化铝模板；5)对含有锑化铟纳米线的阳极氧化铝模板进行热处理，浸泡在铬酸与磷酸的混合...
【技术特征摘要】
1.一种锑化铟纳米线制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将铟颗粒及锑粉末混合置于真空环境中加热，熔融后持续加热至混合均匀，冷却形成InSb块状金属；2)将InSb块状金属置于真空环境中进行加热至400℃保温24小时，冷却；3)利用纯铝片作为阳极氧化铝基板制备阳极氧化铝模板，所述的阳极氧化铝上有大小均一的纳米孔洞；4)把步骤(1)制备的InSb块状金属放在模具挤压内的阳极氧化铝模板上加热至InSb块状金属成熔融态，加压使熔融态锑化铟进入阳极氧化铝模板纳米孔内，冷却获得含有锑化铟纳米线的阳极氧化铝模板；5)对含有锑化铟纳米线的阳极氧化铝模板进行热处理，浸泡在铬酸与磷酸的混合溶液中，用乙醇过滤即可获得锑化铟纳米线。2.根据权利要求1所述的一种锑化铟纳米线制备方法，其特征在于，步骤(1)和步骤(2)中所述的真空环境为气压小于10-3mmHg。3.根据权利要求1所述的一种锑化铟纳米线制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述的冷却具体为以50℃/H的速度冷却至室温。4.根据权利要求1所述的一种锑化铟纳米线制备...
【专利技术属性】
技术研发人员：林东，张小菊，王涛，林子琦，刘守法，
申请(专利权)人：西京学院，
类型：发明
国别省市：陕西,61
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