利于长寿花生长的栽培基质及栽培方法技术

本发明专利技术公开了一种利于长寿花生长的栽培基质，所述的栽培基质的各组分为红土、椰糠、珍珠岩，各组分基质经前期处理后按如下体积比例配制，椰糠：珍珠岩:红土=4:2：0‑4，该基质在定植后第30天开始追肥，且每隔20天追肥一次。此外本发明专利技术还提供一种利于长寿花生长的栽培方法，包括以下步骤：基质填充、扦插、苗期管理、成品期管理。本发明专利技术提供的栽培基质，配料简单易得，能为长寿花的生长提供丰富的有机质和氮磷钾以及微量元素，使得长寿花在分枝生长期、现蕾期和开花期的生长情况都有显著提高。在栽培过程中，控制合理的温度和湿度。同时不需专门育苗，插穗直接插入花盆，一次成花，缩短生长周期，降低生产成本。

Substrate and cultivation method for longevity peanut growth

【技术实现步骤摘要】
利于长寿花生长的栽培基质及栽培方法
本专利技术涉及种植领域，具体涉及利于长寿花生长的栽培基质及栽培方法。
技术介绍
长寿花(KalanchoeBlossfeldiana)又叫矮生伽蓝菜、寿星花、假川莲，属景天科、伽蓝菜属，为多年生常绿短日照多浆植物，原产地马达加斯加。长寿花株高10～30cm，茎直立，叶片密集繁茂，花朵密集，圣诞节前后开花，花期长，是冬春季节理想的室内盆栽花卉，用来布置窗台、书桌、茶几等十分适宜；用于公共场所的花坛、花境布置，整体观赏效果也极佳。由于名字吉利，也是赠送长辈的佳品。此外,长寿花还有吸收甲醛净化空气的功效,受到越来越多家庭的喜爱，市场发展前景较好。在长寿花的栽培中，通常将长寿花植入栽培基质中进行栽培，而不同栽培基质及其栽培方法对长寿花的生长也有所影响，因此有必要探索一种利于长寿花生长的栽培基质和栽培方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在研究出一种利于长寿花生长的栽培基质及栽培方法，使得长寿花在生长期、现蕾期和开花期能较好的生长,同时不需专门育苗，插穗直接插入花盆，一次成花，缩短生长周期，降低生产成本。为解决上述的技术问题，本专利技术采用以下技术方案：利于长寿花生长的栽培基质，所述的栽培基质的各组分为红土、椰糠、珍珠岩，各组分基质经前期处理后按如下体积比例配制，椰糠：珍珠岩:红土＝4:2：0-4，该基质在定植后第30天开始追肥，且每隔20天追肥一次。作为优选的，所述的栽培基质的各个组分体积比为:椰糠：珍珠岩：红土＝4:2:0。进一步的，所述的栽培基质中施加的肥料为水溶性肥料，肥料中氮、磷、钾比例为1:1:1。进一步的，基质前期处理包括将基质进行浸泡处理，并用熟石灰将基质pH值调整到5.5～6.0，基质泡水需要完全浸透，其程度为用手轻捏基质能流出水。此外，本专利技术还提供一种利于长寿花生长的栽培方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、基质填充：基质经处理后填充到花盆中，填充过程中保证基质的疏松性，基质填充好后需浇透水份；S2、扦插：将准备好的枝条顶芽作为插穗，插条的合适长度为5～7cm，扦插时将下部叶片除去，将该茎节直接扦插到装好基质的花盆中，扦插时需保证插穗与基质紧密接触，扦插好后再进行浇水；S3、苗期管理：将花盆放至蔽荫处或盖上遮阳网，温度保持在20℃－25℃之间，待插穗生根后，将其移至全日照条件下或撤去遮阳网，温度保持在18℃－22℃之间；S4、成品期管理：在长寿花生长旺盛阶段时，夜温保持在14.7℃～16℃、昼温19.1℃～21.3℃，湿度控制在75-85％，在此期间保证充足的光照，在摘心2周后对植株喷施生长调节剂。进一步的，控制温度所采用的设备为雾化降温和天然气加温系统。进一步的，步骤S4中所使用的生长调节剂为矮壮素或多效唑，施用的方法可以叶面喷施或土壤浇灌。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术提供的栽培基质，配料简单易得，能为长寿花的生长提供丰富的有机质和氮磷钾以及微量元素，对基质进行前期处理和装盆时保证合理的疏松性，以使得栽培长寿花时，根系能有适宜生长的PH和保证了根系的透气性和吸水能力，通过本专利技术提供的栽培基质，使得长寿花在分枝生长期、现蕾期和开花期的生长情况都有显著提高。同时不需专门育苗，插穗直接插入花盆，一次成花，缩短生长周期，降低生产成本。在栽培过程中，控制合理的温度和湿度，避免温度过高、昼夜温差过大对植株造成伤害和由于湿度的不合理导致真菌感染，在长寿花生长旺盛阶段喷施生长调节剂，防止长寿花徒长影响其质量。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。实施例1本专利技术提供一种利于长寿花生长的栽培基质，该栽培基质的各组分为红土、椰糠、珍珠岩，各组分基质经前期处理后按如下体积比例配制，椰糠：珍珠岩:红土＝4:2：0-4，该基质在定植后第30天开始追肥，且每隔20天追肥一次。所施加的肥料为水溶性肥料，肥料中氮、磷、钾比例为1:1:1。基质前期处理包括将基质进行浸泡处理，并用熟石灰将基质pH值调整到5.5～6.0，基质泡水需要完全浸透，其程度为用手轻捏基质能流出水。实施例2本专利技术提供一种利于长寿花生长的栽培基质，该栽培基质的各组分为红土、椰糠、珍珠岩，为了进行比较长寿花的生长情况，选出最优的基质的配比方案，根据上述实施例提供5中基质配比和常规红土栽培对照组。配比如下表所示：组别椰糠珍珠岩红土T1421T2422T3423T4424T5420CK1001为减小样本的误差，每个组别种植7株，重复6次，共294株长寿花，且每个组别选择光照、温度、湿度较均匀的大棚，随机选择长寿花种植地块(避免靠近大棚边缘地带，消除边缘效应的影响)，均匀划分为六个小区，每个小区种植49盆长寿花。通过以上不同红土和基质配比对长寿花生长和开花的影响，可看出：无土栽培T5种植的长寿花植株长势好，花朵数量多、枝叶茂盛品质好；土壤栽培配方T1、T2、T3、T4表现良好，但土壤栽培方法质量大，不便于运输，难以实现规模化、集约化、自动化生产。而T5能够实现大规模商业化生产，省力省工，易于管理，盆栽质量轻。T1、T2、T3、T4、T5的长寿花生长和开花指标明显优于常规红土栽培CK，总体来看，T1、T2、T3、T4、T5都有利于长寿花的生长。实施例3在上述实施例的基础上，本专利技术还提供一种利于长寿花生长的栽培方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、基质填充：基质经处理后填充到花盆中，填充过程中保证基质的疏松性，以盆子填满、基质填充疏松为宜，基质过紧会影响到根系的透气性和吸水能力，基质填充好后需浇透水份；S2、扦插：将准备好的枝条顶芽作为插穗，插条的合适长度为5～7cm，扦插时将下部叶片除去，将该茎节插入到基质中，扦插时需保证插穗与基质紧密接触，扦插好后再进行浇水，且各花盆之间的摆放需保持一定的间距；S3、苗期管理：将花盆放至蔽荫处或盖上遮阳网，温度保持在20℃－25℃，一般扦插后2周，长寿花便可生根了，只是根系还不很发达，生根前切不可使生根基质干透，待插穗生根后，将其移至全日照条件下或撤去遮阳网，温度保持在18℃－22℃之间，生根后需控制浇水量和施肥量，施肥的浓度不宜过高；S4、成品期管理：在长寿花生长旺盛阶段时，夜温保持在14.7℃～16℃、昼温19.1℃～21.3℃，长寿花在短日照处理早期比晚期对高夜温更为敏感，此时可以在晚上7点后覆盖黑布，次日晚一点揭开可以较大程度上避免延迟开花，湿度控制在75-85％，在此期间保证充足的光照，在摘心2周后对植株喷施生长调节剂，所使用的生长调节剂为矮壮素或多效唑，施用的方法可以叶面喷施或土壤浇灌。在以上步骤中控制温度所采用的设备为雾化降温和天然气加温系统。尽管这里参照本专利技术的多个解释性实施例对本专利技术进行了描述，但是，应该理解，本领域技术人员可以设计出很多其他的修改和实施方式，这些修改和实施方式将落在本申请公开的原则范围和精神之内。更具体地说，在本申请公开的权利要求的范围内，可以对主题组合布局的组成部件或布局进行多种变形和改进。除了对组成部件或布局进行的变形和改进外，对于本领域技术人员来说，其他的用途也将是明显的。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.利于长寿花生长的栽培基质，其特征在于，所述的栽培基质的各组分为红土、椰糠、珍珠岩，各组分基质经前期处理后按如下体积比例配制，椰糠：珍珠岩:红土=4:2：0‑4，该基质在定植后第30天开始追肥，且每隔20天追肥一次。

【技术特征摘要】
1.利于长寿花生长的栽培基质，其特征在于，所述的栽培基质的各组分为红土、椰糠、珍珠岩，各组分基质经前期处理后按如下体积比例配制，椰糠：珍珠岩:红土=4:2：0-4，该基质在定植后第30天开始追肥，且每隔20天追肥一次。2.根据权利要求1所述的利于长寿花生长的栽培基质，其特征在于：所述的栽培基质的各个组分体积比为:椰糠：珍珠岩：红土=4:2:0。3.根据权利要求1所述的利于长寿花生长的栽培基质，其特征在于：所述的栽培基质中施加的肥料为水溶性肥料，肥料中氮、磷、钾比例为1:1:1。4.根据权利要求1所述的利于长寿花生长的栽培基质，其特征在于：基质前期处理包括将基质进行浸泡处理，并用熟石灰将基质pH值调整到5.5～6.0，基质泡水需要完全浸透，其程度为用手轻捏基质能流出水。5.利于长寿花生长的栽培方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、基质填充：基质经处理后填充到花盆中，填充过程中保证基质的疏...

【专利技术属性】
技术研发人员：桂敏，李进昆，李绅崇，苏艳，卢珍红，莫锡君，周旭红，龙江，
申请(专利权)人：云南省农业科学院花卉研究所，
类型：发明
国别省市：云南,53