【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】聚合物、有机膜组成物以及形成图案的方法
本专利技术揭示一种聚合物、一种包含所述聚合物的有机膜组成物以及一种使用所述有机膜组成物形成图案的方法。
技术介绍
近年来，半导体行业已研发了具有数纳米至数十纳米大小的图案的超精细技术。此类超精细技术基本上需要有效微影技术。典型微影技术包含在半导体基板上提供材料层；在材料层上涂布光阻层；使光阻层暴露且显影以提供光阻图案；以及使用光阻图案作为遮罩而蚀刻材料层。如今，根据待形成的图案的小尺寸，难以仅通过上文所提及的典型微影技术来提供具有优良轮廓的精细图案。因此，可在材料层与光阻层之间形成称为硬质遮罩层(hardmasklayer)的层以提供精细图案。硬质遮罩层发挥中间层的作用以经由选择性蚀刻制程而将光阻层的精细图案转移至材料层。因此，硬质遮罩层需要具有诸如耐热性及抗蚀刻性的特征，以在多个蚀刻制程期间耐受。另一方面，近年来已表明旋涂式涂布法(spin-oncoating)可替代化学气相沉积(chemicalvapordeposition；CVD)法形成硬质遮罩层。旋涂式涂布法不仅可容易执行而且可改良间隙填充(gap-fill)特征及...
【技术保护点】
1.一种聚合物，包括：由化学式1表示的结构单元，及由化学式2表示的结构单元：[化学式1]
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.10 KR 10-2016-0149859;2017.04.28 KR 10-2011.一种聚合物，包括：由化学式1表示的结构单元，及由化学式2表示的结构单元：[化学式1][化学式2]其中，在化学式1及化学式2中，A1为由化学式X表示的部分，A2为经取代或未经取代的C6至C30芳环且具有不同于A1的结构，B1及B2独立地为经取代或未经取代的C6至C30芳环，以及*为键联点：[化学式X]其中，在化学式X中，Ar为经取代或未经取代的四边形环、经取代或未经取代的五边形环、经取代或未经取代的六边形环或其稠环(fusedring)，Ra为氢、羟基、卤素、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C2至C30烯基、经取代或未经取代的C2至C30炔基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C1至C30杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基或其组合，Za独立地为羟基、卤素、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C2至C30烯基、经取代或未经取代的C2至C30炔基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C1至C30杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基或其组合，以及m为0或1。2.根据权利要求1所述的聚合物，其中在化学式1及化学式2中，B1及B2独立地为族群1的经取代或未经取代的部分中的一者：[族群1]3.根据权利要求1所述的聚合物，其中在化学式1中，A1为族群2的部分中的一者：[族群2]其中，在族群2中，R1及R2独立地为氢、羟基、卤素、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C2至C30烯基、经取代或未经取代的C2至C30炔基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C1至C30杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基或其组合，其限制条件为，在族群2中，每一部分的氢独立地经以下基团置换或未经置换：羟基、卤素、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C2至C30烯基、经取代或未经取代的C2至C30炔基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C1至C30杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基或其组合。4.根据权利要求1所述的聚合物，其中在化学式2中，A2为族群1的经取代或未经取代的部分中的一者：[族群1]5.根据权利要求4所述的聚合物，其中A2经至少一个羟基取代。6.根据权利要求1所述的聚合物，其中在化学式1及化学式2中，B1及B2为经取代或未经取代的C6至C30芳环且具有相同结构。7.根据权利要求1所述的聚合物，其中重量平均分子量为1,000至200,000。8.一种有机膜组成物，包括：聚合物，包含由化学式1表示的结构单元及由化学式2表示的结构单元，及溶剂：[化学式1][化学式2]其中，在化学式1及化学式2中，A1为由化学式X表示的部分，A2为经取代或未经取代的C6至C30...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑铉日，金瑆焕，金昇炫，朴裕信，林栽范，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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