聚合性化合物的制造方法技术

技术编号:21553659 阅读:30 留言:0更新日期:2019-07-07 01:18
本发明专利技术目的在于提供一种在工业上有利地制造高纯度的聚合性化合物的方法。本发明专利技术的方法是一种制造由下述式(I)表示的聚合性化合物的制造方法,包含将组合物在有机溶剂中,在包含碱性化合物的水层的存在下,供给至脱卤化氢反应的工序,上述组合物包含由下述式(II)表示的卤化物。

Manufacture of Polymeric Compounds

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】聚合性化合物的制造方法
本专利技术是一种聚合性化合物的制造方法,该聚合性化合物可以用于能够在宽波长范围中进行同样的偏振变换的光学膜的制备。
技术介绍
在平板显示装置等各种装置中使用的相位差板中,具有将线偏振光变换为圆偏振光的1/4波片、将线偏振光的偏振振动面进行90度变换的1/2波片等。这些相位差板对某个特定的单色光能够正确地给出光线波长的1/4λ或1/2λ的相位差。然而,对于一直以来的相位差板,存在透过相位差板而输出的偏振光被变换为有色的偏振光这一问题。这是因为,构成相位差板的材料对相位差具有波长色散性,对于作为混合了可见光范围的光线的合成波的白色光,各个波长的偏振状态产生分布,因此将输入光在全部的波长范围中都调整至正确的1/4λ或1/2λ的相位差的偏振光是不可能的。为了解决这样的问题,对宽波长领域的光可以给出均匀的相位差的广带宽相位差板,即所谓具有反波长色散性的相位差板被进行了各种研究。另一方面,伴随着移动个人电脑、手机等便携式情报终端的高功能化合普及,要求将平板显示装置的厚度极力抑制得薄。结果,也要求作为构成构件的相位差板的薄层化。作为薄层化的方法,将含有低分子聚合物性化合物的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造方法,是制造由下述式(I)表示的聚合性化合物的制造方法,包含将组合物在有机溶剂中,在包含碱性化合物的水层的存在下,供给至脱卤化氢反应的工序,所述组合物包含由下述式(II)表示的卤化物,

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.20 JP 2016-2467781.一种制造方法,是制造由下述式(I)表示的聚合性化合物的制造方法,包含将组合物在有机溶剂中,在包含碱性化合物的水层的存在下,供给至脱卤化氢反应的工序,所述组合物包含由下述式(II)表示的卤化物,式(I)中、Ar为由下述式(Ar-1)~(Ar-4)表示的基团中的任一个,E1和E2各自独立,表示-CR11R12-、-S-、-NR11-、-CO-或-O-,R11和R12各自独立,表示氢原子或碳原子数为1~4的烷基,Rc表示卤原子、碳原子数为1~6的烷基、氰基、硝基、碳原子数为1~6的烷基亚磺酰基、碳原子数为1~6的烷基磺酰基、羧基、碳原子数为1~6的氟化烷基、碳原子数为1~6的烷氧基、碳原子数为1~6的硫烷基、碳原子数为1~6的N-烷基氨基、碳原子数为2~12的N,N-二烷基氨基、碳原子数为1~6的N-烷基氨磺酰基、或碳原子数为2~12的N,N-二烷基氨磺酰基,p0为0~2的整数,D1和D2各自独立,表示能够具有取代基的芳香族烃环基或能够具有取代基的芳香族杂环基,Z1和Z2各自独立,表示单键、-O-CH2-、-CH2-O-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-S-、-S-C(=O)-、-NR13-C(=O)-、-C(=O)-NR13-、-CF2-O-、-O-CF2-、-CH2-CH2-、-CF2-CF2-、-O-CH2-CH2-O-、-CH=CH-C(=O)-O-、-O-C(=O)-CH=CH-、-CH2-CH2-C(=O)-O-、-O-C(=O)-CH2-CH2-、-CH2-CH2-O-C(=O)-、-C(=O)-O-CH2-CH2-、-CH=CH-、-N=CH-、-CH=N-、-N=C(CH3)-、-C(CH3)=N-、-N=N-或-C≡C-,R13表示氢原子或碳原子数为1~6的烷基,A1、A2、B1和B2各自独立,表示能够具有取代基的环状脂肪族基或能够具有取代基的芳香族基,Y1、Y2、L1和L2各自独立,表示单键、-O-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-NR14-CO-、-CO-NR14-、-O-CO-O-、-NR14-CO-O-、-O-CO-NR14-或-NR14-CO-NR15-,R14和R15各自独立,表示氢原子或碳原子数为1~6的烷基,R1和R2各自独立,表示氢原子、甲基或氯原子,a和d各自独立,表示1~20的整数,b和c各自独立,为0或1,在存在多个Rc的情况下,它们可以各自相同,也可以不同,式(II)中,X1表示卤原子,G表示有机基团,R1和a表示与所述式(I)相同的意思。2.根据权利要求1所述的制造方法,其中,由所述式(II)表示的卤化物为由下述式(III)表示的卤化物,式(III)中Q由下述式(III-1)或下述式(III-2)表示,式(III-1)和式(III-2)中,R2表示与所述式(I)相同的意思,式(III-2)中的X2表示卤原子,X1表示与所述式(II)相同的意思,Ar、Z1、Z2、A1、A2、B1、B2、Y1、Y2、L1、L2、R1、和a~d表示与所述式(I)相同的意思。3.根据权利要求2所述的制造方法,其中,所述X1和X2为氯原子。4.根据权利要求1所述的制造方法,其中,由所述式(II)表示的卤化物为由下...

【专利技术属性】
技术研发人员:坂本圭奥山久美
申请(专利权)人:日本瑞翁株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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