【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】核壳粒子、核壳粒子的制造方法及薄膜
本专利技术涉及一种核壳粒子(coreshellparticle)及其制造方法以及含有核壳粒子的薄膜。
技术介绍
作为期待应用于胶体状的半导体纳米粒子(所谓的量子点)的半导体微粒，至今为止已知有II-VI族半导体微粒或III-V族半导体微粒等。这些半导体微粒的粒径为几纳米至几十纳米左右。并且，这种纳米级的粒子通过所谓的量子尺寸效应，一般是粒径越小，带隙就变得越大，通过控制粒子尺寸，例如能够控制近红外～可见光区域的宽波长频带中的发光特性。因此，为了应用这种半导体微粒特有的光学特性，正在研发应用于光电转换元件、电子器件、发光元件、激光等各种器件中。自从非专利文献1中提出作为量子点的化学合成法的热皂法(也称为热注射法)以来，在世界各地活跃进行量子点的研究。并且，该量子点在研究初期以包含Cd或Pb元素的II-VI族半导体为中心进行了研究，但Cd或Pb元素为特定有害物质限制使用指令(RestrictiononHazardousSubstances：Rohs)等的限制对象物质，因此近年来还对不包含Cd或Pb的量子点的研究进行了提案(例如，参考...
【技术保护点】
1.一种核壳粒子，其具有含有III族元素及V族元素的核、覆盖所述核的表面的至少一部分的第1壳、覆盖所述第1壳的至少一部分的第2壳以及在最表面的至少一部分的配位性分子，所述核壳粒子中，通过X射线光电子能谱分析至少检测出氧，根据X射线光电子能谱分析求出的所述氧相对于所述核中所包含的所述III族元素的摩尔比为6.1以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.15 JP 2016-2221411.一种核壳粒子，其具有含有III族元素及V族元素的核、覆盖所述核的表面的至少一部分的第1壳、覆盖所述第1壳的至少一部分的第2壳以及在最表面的至少一部分的配位性分子，所述核壳粒子中，通过X射线光电子能谱分析至少检测出氧，根据X射线光电子能谱分析求出的所述氧相对于所述核中所包含的所述III族元素的摩尔比为6.1以下。2.根据权利要求1所述的核壳粒子，其中，根据X射线光电子能谱分析求出的所述氧相对于所述核中所包含的所述III族元素的摩尔比为5.4以下。3.根据权利要求1所述的核壳粒子，其中，根据X射线光电子能谱分析求出的所述氧相对于所述核中所包含的所述III族元素的摩尔比为4.6以下。4.根据权利要求1至3中任一项所述的核壳粒子，其中，所述核中所包含的所述III族元素为In，所述核中所包含的所述V族元素为P、N及As中的任意。5.根据权利要求4所述的核壳粒子，其中，所述核中所包含的所述III族元素为In，所述核中所包含的所述V族元素为P。6.根据权利要求1至5中任一项所述的核壳粒子，其中，所述核还含有II族元素。7.根据权利要求6所述的核壳粒子，其中，所述核中所包含的所述II族元素为Zn。8.根据权利要求1至7中任一项所述的核壳粒子，其中，所述第1壳包含II族元素或III族元素，其中，当所述第1壳包含III族元素时，所述第1壳中所包含的III族元素为与所述核中所包含的III族元素不同的III族元素。9.根据权利要求1至8中任一项所述的核壳粒子，其中，所述第1壳为含有II族元素及VI族元素的II-VI族半导体或含有III族元素及V族元素的III-V族半导体，其中，当所述第1壳为所述III-V族半导体时，所述III-V族半导体中所包含的III族元素为与所述核中所包含的III族元素不同的III族元素。10.根据权利要求9所述的核壳粒子，其中，当所述第1壳为所述II-VI族半导体时，所述II族元素为Zn，所述VI族元素为Se或S，当所述第1壳为所述III-V族半导体时，所述III族元素为Ga，所述V族元素为P。11.根据权利要求9所述的核壳粒子，其中，所述第1壳为所述III-V族半导体，所述III族元素为Ga，所述V族元素为P。12.根据权利要求1至11中任一项所述的核壳粒子，其中，所述第2壳为含有II族元素及VI族元素的II-VI族半导体或含有III族元素及V族元素的III-V族半导体。13.根据权利要求12所述的核...
【专利技术属性】
技术研发人员：小野雅司，佐佐木勉，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。