DCDC原边反馈电压检测设定电路及其方法技术

本发明专利技术提供一种DCDC原边反馈电压的检测设定电路，包括：稳压基准电流产生电路、采样电流产生电路、匹配电阻对、占空比调制电路及功率开关NMO。还提供一种DCDC原边反馈电压的检测设定方法。不仅避免了寄生电容引起的空载飘高、抗干扰能力差的问题，也不存在影响开关电源输出电压精度的问题。

DCDC Primary Feedback Voltage Detection Setting Circuit and Its Method

【技术实现步骤摘要】
DCDC原边反馈电压检测设定电路及其方法
本专利技术属于DCDC原边反馈的反激开关电源
，尤其涉及一种DCDC原边反馈电压的检测设定电路及其方法。
技术介绍
原边反馈技术的基本原理是利用在消磁阶段反激变压器的各个绕组之间的电压成比例的特性，从而可以通过检测一个绕组的电压就可以检测到另一个绕组的电压值。所以，对于隔离型的反激开关电源来说，只要检测原边绕组的消磁电压就能感知隔离副边电压的大小，再经过PMW调制方式来控制功率开关管的占空比以达到稳定输出电压的目的。如图1所示，在消磁阶段，变压器主绕组两端的电压差和辅助绕组NA的电压都是与副边绕组上的电压成比例的，由于主绕组的绝对电压，即共模电压很高，难以检测绕组两端的压差。所以通过检测辅助绕组NA上的电压来感知副边绕组上的电压，为了控制芯片也能从辅助绕组取电，一般绕组上电压设计得比较高，超过控制芯片检测引脚的工作范围，所以需要电阻分压来采样。然而，随着半导体行业的进一步深度发展，已经有越来越多的集成LDMOS功率器件和其它高压器件的BCD半导体工艺，用于设计在高输入共模电压下进行差分采样的器件耐压已到达100V甚至更高的，可以实现采样本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.DCDC原边反馈电压检测设定电路，其特征在于，包括：稳压基准电流产生电路，用于基于芯片内部的基准电压，在芯片外置的基准电流产生电阻RIB上产生基准电流源，再通过电流镜镜像出成比例的基准电流；采样电流产生电路，用于在芯片外置的输出电压采样电阻RFB上产生反映开关电源输出电压大小的采样电流；匹配电阻对，所述匹配电阻对包括：电阻RB及电阻RS，所述电阻RB与所述稳压基准电流产生电路的输出端连接，所述电阻RS与所述采样电流产生电路的输出端连接；占空比调制电路，用于获取电阻RB及电阻RS上的电压，进行误差放大，并根据开关电源输出电压调制占空比。

【技术特征摘要】
1.DCDC原边反馈电压检测设定电路，其特征在于，包括：稳压基准电流产生电路，用于基于芯片内部的基准电压，在芯片外置的基准电流产生电阻RIB上产生基准电流源，再通过电流镜镜像出成比例的基准电流；采样电流产生电路，用于在芯片外置的输出电压采样电阻RFB上产生反映开关电源输出电压大小的采样电流；匹配电阻对，所述匹配电阻对包括：电阻RB及电阻RS，所述电阻RB与所述稳压基准电流产生电路的输出端连接，所述电阻RS与所述采样电流产生电路的输出端连接；占空比调制电路，用于获取电阻RB及电阻RS上的电压，进行误差放大，并根据开关电源输出电压调制占空比。2.根据权利要求1所述的DCDC原边反馈电压检测设定电路，其特征在于，所述稳压基准电流产生电路包括：放大器AMP、N沟道MOS管NM1及第一电流镜；所述放大器AMP的输出端与所述N沟道MOS管NM1的栅极连接，所述放大器AMP的反向输入端与所述N沟道MOS管NM1的源极连接且与芯片的RIB引脚连接，芯片内部基准电压作为所述放大器AMP的正向输入电压，所述N沟道MOS管NM1的漏极与所述第一电流镜的输入节点连接，所述第一电流镜的的输出节点输出所述基准电流；芯片的RIB引脚连接所述基准电流产生电阻RIB到地。3.根据权利要求2所述的DCDC原边反馈电压检测设定电路，其特征在于，所述采样电流产生电路包括：组成第二电流镜的P沟道MOS管PM1及P沟道MOS管PM2；所述P沟道MOS管PM1的源极与芯片VIN引脚相连，P沟道MOS管PM2的源极与芯片RFB引脚连接，所述P沟道MOS管PM1的栅极与所述P沟道MOS管PM2的栅极连接，所述P沟道MOS管PM2的漏极输出所述采样电流；芯片VIN引脚接开关电源的输入电压VIN，芯片RFB引脚通过所述输出电压采样电阻RFB后与芯片功率管漏极引脚D...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐盛斌，
申请(专利权)人：苏州源特半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32