一种光束成像装置以及激光雷达制造方法及图纸

本发明专利技术提供的一种光束成像装置以及激光雷达，光束成像装置包括层叠设置的衬底层、包层和图形层；还包括包围设置于所述图形层外部并与所述包层接触的p型层；所述包层和所述p型层的折射率不高于所述图形层的折射率；所述p型层包括间隔设置的第一p型层和第二p型层；所述第一p型层上方设置有发光层以及驱动所述发光层的n型层、第一电极层和第二电极层，所述第二p型层上方设置有对所述图形层加热的第三电极层。如此设置可使光在界面处发生全反射，将光限制在图形层中传输，降低光的传输损耗。并且p型层使图形层与外界隔离，对图形层进行一定保护，防止图形层受损。

A Beam Imaging Device and Laser Radar

【技术实现步骤摘要】
一种光束成像装置以及激光雷达
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种光束成像装置以及激光雷达。
技术介绍
与雷达原理相似，激光雷达根据激光遇到障碍物后的折返时间，计算目标与自己的相对距离。激光光束可以准确测量视场中物体轮廓边沿，轮廓信息组成所谓的点云并绘制出3D环境地图，精度可达到厘米级别，因此在汽车无人驾驶和安防环境监测方面具有优异的应用优势。光束成像装置是激光雷达的核心部分。传统的光束成像装置一般采用棱镜，不利于集成化。鉴于此，目前光束成像装置采用半导体集成电路，具有体积小、价格低和便于集成化的优点。但是光束成像装置仍存在传输损耗较高的缺陷。
技术实现思路
因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中的传输损耗较高的缺陷，从而提供一种光束成像装置以及激光雷达。本专利技术提供的一种光束成像装置，包括层叠设置的衬底层、包层和图形层；还包括包围设置于所述图形层外部并与所述包层接触的p型层；所述包层和所述p型层的折射率不高于所述图形层的折射率；所述p型层包括间隔设置的第一p型层和第二p型层；所述第一p型层上方设置有发光层以及驱动所述发光层的n型层、第一电极层和第二电极层，所述第二p本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光束成像装置，其特征在于：包括层叠设置的衬底层(10)、包层(20)和图形层(30)；还包括包围设置于所述图形层(30)外部并与所述包层(20)接触的p型层(40)；所述包层(20)和所述p型层(40)的折射率不高于所述图形层(30)的折射率；所述p型层(40)包括间隔设置的第一p型层(41)和第二p型层(42)；所述第一p型层(41)上方设置有发光层(50)以及驱动所述发光层(50)的n型层(60)、第一电极层(71)和第二电极层(73)，所述第二p型层(42)上方设置有对所述图形层(30)加热的第三电极层(72)。

【技术特征摘要】
1.一种光束成像装置，其特征在于：包括层叠设置的衬底层(10)、包层(20)和图形层(30)；还包括包围设置于所述图形层(30)外部并与所述包层(20)接触的p型层(40)；所述包层(20)和所述p型层(40)的折射率不高于所述图形层(30)的折射率；所述p型层(40)包括间隔设置的第一p型层(41)和第二p型层(42)；所述第一p型层(41)上方设置有发光层(50)以及驱动所述发光层(50)的n型层(60)、第一电极层(71)和第二电极层(73)，所述第二p型层(42)上方设置有对所述图形层(30)加热的第三电极层(72)。2.根据权利要求1所述的光束成像装置，其特征在于：所述图形层(30)和所述发光层(50)为禁带宽度不小于2.3eV且折射率高于2.3的高折射宽禁带半导体材料。3.根据权利要求2所述的光束成像装置，其特征在于：所述图形层(30)包括ZnS、AlP、GaP、SiC、GaN、AlN、TiO2、ZnO或ITO。4.根据权利要求2所述的光束成像装置，其特征在于：所述发光层(50)为GaP系材料。5.根据权利要求1所述的光束成像装置，其特征在于；所述图形层(30)包括多个间隔设置的第一图形单元，所述第一图形单元包括长方体、圆柱、圆锥或圆环。6.根据权利要求1所述的光束成像装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：田立飞，刘敬伟，韦钟辉，
申请(专利权)人：中科天芯科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11