玻璃陶瓷烧结体及线圈电子部件制造技术

本发明专利技术所涉及的玻璃陶瓷烧结体，其特征在于，具有玻璃相和分散在玻璃相中的陶瓷相，该陶瓷相含有氧化铝颗粒和氧化锆颗粒，上述玻璃相含有MO‑Al2O3‑SiO2‑B2O3系玻璃(M为碱土金属)，在上述烧结体的截面中，氧化铝颗粒的面积率为13～30％，氧化锆颗粒的面积率为0.05～6％。根据本发明专利技术，能够提供可进行低温烧结、具有低介电常数和足够的强度的玻璃陶瓷烧结体和使用其的线圈电子部件。

Glass-Ceramic Sintered Body and Coil Electronic Components

【技术实现步骤摘要】
玻璃陶瓷烧结体及线圈电子部件
本专利技术涉及玻璃陶瓷烧结体及使用其的线圈电子部件，所述玻璃陶瓷烧结体具有低介电常数和足够的强度，特别适合作为线圈材料使用，可通过低温下的烧结来制造。
技术介绍
近年来，伴随手机等通信设备的高频化，在它们的发送部及接收部采用大量的与高频率对应的陶瓷线圈。在这些陶瓷线圈之中，特别是用于智能手机的高频电感器中要求小型化、对应高频及高Q值化。电感器的寄生电容大时，有时自谐振频率低频化，在高频区域作为电感器的功能明显下降。另外，为了将低电阻、低损耗的Ag系导体适用于内部电极，有时会要求低温烧结性。因此，作为陶瓷线圈的材料，一般使用介电常数低的玻璃系材料。作为低介电常数的玻璃系材料，一般公知的是介电常数ε为3.8左右的SiO2。但是，SiO2在960℃以下不烧结，因此，在将熔点为960℃左右的Ag系导体设为内部电极的情况下被限制使用。因此，要求可进行低温下的烧结的线圈材料。作为低介电常数，且有望低温烧结的玻璃系材料，探讨了由硼硅酸玻璃(ε：3.8)构成的玻璃系材料的使用。该材料在900℃以下可进行烧结，低温烧结认为是有望的。然而，在将该材料用作陶瓷线圈等线圈电子部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种玻璃陶瓷烧结体，其中，所述玻璃陶瓷烧结体具有玻璃相和分散在玻璃相中的陶瓷相，该陶瓷相包含氧化铝颗粒和氧化锆颗粒，所述玻璃相含有MO‑Al2O3‑SiO2‑B2O3系玻璃，M为碱土金属，在所述烧结体的截面，氧化铝颗粒的面积率为13～30％，氧化锆颗粒的面积率为0.05～6％。

【技术特征摘要】
2017.12.27 JP 2017-2522101.一种玻璃陶瓷烧结体，其中，所述玻璃陶瓷烧结体具有玻璃相和分散在玻璃相中的陶瓷相，该陶瓷相包含氧化铝颗粒和氧化锆颗粒，所述玻璃相含有MO-Al2O3-SiO2-B2O3系玻璃，M为碱土金属，在所述烧结体的截面，氧化铝颗粒的面积率为13～30％，氧化锆颗粒的面积率为0.05～6％。2.根据权利要求1所述的玻璃陶瓷烧结体，其中，在所述烧结体的截面中，所述氧化铝颗粒的95％以上以圆当量直径计在0.05～4μm的范围内，所述氧化锆颗粒的95％以上以圆当量直径计在0.05～1μm的范围内。3.根据权利要求1所述的玻璃陶瓷烧结体，其中，所述陶瓷相还含有二氧化硅颗粒，在所述烧结体的截面中，二氧化硅颗粒的面积率为5～35％。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：梅本周作，铃木孝志，佐藤英和，高桥圣树，近藤真一，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP