激光照射装置及薄膜晶体管的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的一个实施方式的激光照射装置具备：光源，其产生激光；投影透镜，其向分别粘附于玻璃基板上的多个薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定区域照射该激光；及投影掩模图案，其设置在该投影透镜上，包含设定有该激光透过的比例即透射率的多个掩模，该投影透镜对于沿规定的方向移动的该玻璃基板上的该多个薄膜晶体管，分别经由该投影掩模图案所包含的该多个掩模来照射该激光，该投影掩模图案包含的该多个掩模分别设定多个该透射率中的任一个。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】激光照射装置及薄膜晶体管的制造方法
本专利技术涉及薄膜晶体管的形成，特别是涉及向薄膜晶体管上的非晶硅薄膜照射激光而用于形成多晶硅薄膜的激光照射装置及薄膜晶体管的制造方法。
技术介绍
作为反参差(Inversely-staggered)结构的薄膜晶体管，存在有将非晶硅薄膜使用于沟道区域的薄膜晶体管。不过，非晶硅薄膜由于电子迁移率小，因此如果将该非晶硅薄膜使用于沟道区域，则存在薄膜晶体管中的电荷的迁移率减小的难点。因此，存在如下技术：通过利用激光将非晶硅薄膜的规定的区域瞬间加热而实现多晶体化，形成电子迁移率高的多晶硅薄膜，将该多晶硅薄膜使用于沟道区域。例如，专利文献1公开了如下内容：在沟道区域形成非晶硅薄膜，然后，向该非晶硅薄膜照射准分子激光器等的激光来进行激光退火，由此，通过短时间内的熔融凝固来进行使多晶硅薄膜晶体化的处理。专利文献1记载了如下内容：通过进行该处理而能够使薄膜晶体管的源极与漏极间的沟道区域成为电子迁移率高的多晶硅薄膜，从而能够实现晶体管动作的高速化。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2016-100537号公报
技术实现思路
专利技术的概要专利技术要解决的课题在专利文本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种激光照射装置，其特征在于，具备：光源，其产生激光；投影透镜，其向分别粘附于玻璃基板上的多个薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光；及投影掩模图案，其设置在所述投影透镜上，包含设定有所述激光透过的比例即透射率的多个掩模，所述投影透镜对于沿规定的方向移动的所述玻璃基板上的所述多个薄膜晶体管，分别经由所述投影掩模图案所包含的所述多个掩模来照射所述激光，所述投影掩模图案包含的所述多个掩模分别设定有多个所述透射率中的任一个。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.30 JP 2016-232505;2016.12.27 JP 2016-253441.一种激光照射装置，其特征在于，具备：光源，其产生激光；投影透镜，其向分别粘附于玻璃基板上的多个薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光；及投影掩模图案，其设置在所述投影透镜上，包含设定有所述激光透过的比例即透射率的多个掩模，所述投影透镜对于沿规定的方向移动的所述玻璃基板上的所述多个薄膜晶体管，分别经由所述投影掩模图案所包含的所述多个掩模来照射所述激光，所述投影掩模图案包含的所述多个掩模分别设定有多个所述透射率中的任一个。2.根据权利要求1所述的激光照射装置，其特征在于，在所述投影掩模图案中，设定有不同的所述透射率的所述掩模随机配置。3.根据权利要求1或2所述的激光照射装置，其特征在于，所述投影掩模图案包含的所述多个掩模分别设定有包含在预先确定的规定的范围内的所述透射率中的任一个。4.根据权利要求1～3中任一项所述的激光照射装置，其特征在于，包含于所述投影掩模图案且在与所述规定的方向正交的一列中相互相邻的各个所述掩模的所述透射率互不相同。5.根据权利要求1～4中任一项所述的激光照射装置，其特征在于，所述投影掩模图案包含的所述多个掩模的各自的所述透射率互不相同。6.根据权利要求1～5中任一项所述的激光照射装置，其特征在于，所述投影透镜是包含于微透镜阵列的多个微透镜，该微透镜阵列能够对所述激光进行分离，所述投影掩模图案包含的各个所述多个掩模分别对应于所述多个微透镜。7.根据权利要求6所述的激光照射装置，其特征在于，所述投影掩模图案基于所述微透...

【专利技术属性】
技术研发人员：水村通伸，新井敏成，畑中诚，竹下琢郎，
申请(专利权)人：V科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP