【技术实现步骤摘要】
碳化硅单晶基板和碳化硅外延基板本申请是申请日为2015年12月17日、国际申请号为PCT/JP2015/085350、中国申请号为201580069705.1的专利申请的分案申请。
本公开涉及晶体生长装置、碳化硅单晶的制造方法、碳化硅单晶基板和碳化硅外延基板。
技术介绍
美国专利第7314520号(专利文献1)公开了直径为76mm以上的碳化硅单晶基板的制造方法。现有技术文献专利文献专利文献1：美国专利第7314520号
技术实现思路
本公开的晶体生长装置包含：腔室，所述腔室包括进气口、排气口、焊接部、和被构造成能够用水冷却至少包括所述焊接部的部分的水冷部；与所述排气口连接的排气泵；配置在所述排气口与所述排气泵之间的露点仪，所述露点仪被构造成能够测定通过所述排气口的气体的露点。本公开的碳化硅单晶的制造方法包括：准备腔室、生长容器、原料和晶种的步骤，所述腔室包括进气口、排气口、焊接部、和被构造成能够用水冷却至少包括所述焊接部的部分的水冷部，所述生长容器配置在所述腔室内，所述原料配置在所述生长容器内，所述晶种配置为在所述生长容器内面对所述原料；和通过升华所述原料而在所述晶种...
【技术保护点】
1.一种碳化硅单晶基板，其中，所述碳化硅单晶基板具有100mm以上的直径，所述碳化硅单晶基板具有1×10
【技术特征摘要】
2015.01.21 JP 2015-009432;2015.07.17 JP PCT/JP20151.一种碳化硅单晶基板，其中，所述碳化硅单晶基板具有100mm以上的直径，所述碳化硅单晶基板具有1×1017cm-3以下的氧浓度，所述碳化硅单晶基板具有2×104cm-...
【专利技术属性】
技术研发人员：原田真，堀勉，佐佐木将，岸田哲也，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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