显示装置制造方法及图纸

技术编号:21456768 阅读:21 留言:0更新日期:2019-06-26 05:43
提供一种显示装置。所述显示装置包括具有显示区域和非显示区域的基底。第一像素至第三像素位于显示区域中并具有从对应的发光元件发光的发射区域。位于第一像素至第三像素中的像素电路区域驱动发光元件。虚设图案位于除发射区域之外的非发射区域中。虚设图案沿第一像素至第三像素之中的一个像素的延伸方向延伸。薄膜封装层覆盖虚设图案和发光元件。

【技术实现步骤摘要】
显示装置于2017年12月15日在韩国知识产权局提交的名称为“显示装置和该显示装置的制造方法(“DisplayDeviceandManufacturingMethodThereof”)”的第10-2017-0172937号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
这里描述的一个或更多个实施例涉及一种显示装置和一种制造显示装置的方法。
技术介绍
有机发光显示装置具有宽视角、优异的对比度、快响应时间、高亮度以及优异的驱动电压和响应速率特性。有机发光显示装置的像素包括有机发光元件。在每个有机发光元件中,从一个电极注入的电子和从另一个电极注入的空穴在有机发射层中结合以形成激子。当激子改变状态时发光。光可以是红色、绿色、蓝色、白色或者另一颜色。这样的装置可用于实现多色显示。
技术实现思路
根据一个或更多个实施例,显示装置包括:基底,包括显示区域和非显示区域;第一像素至第三像素,位于显示区域中,第一像素至第三像素中的每个具有光从其发射的发射区域;发光元件,位于第一像素至第三像素中的每个的发射区域中;像素电路区域,位于第一像素至第三像素中的每个中,以驱动发光元件;虚设图案,位于除发射区域之外的非发射区域中,虚设图案沿第一像素至第三像素之中的一个像素的延伸方向延伸;以及薄膜封装层,覆盖虚设图案和发光元件。虚设图案可以位于除所述一个像素之外的其它两个像素之间。位于第一像素至第三像素中的每个中的发光元件可以包括:第一电极,电连接到像素电路区域;发射层,位于第一电极上并且暴露第一电极的部分的像素限定层置于第一电极与发射层之间;以及第二电极,位于发射层上。虚设图案可以包括位于像素限定层上以对应于非发射区域的有机图案以及位于有机图案上的导电图案。有机图案可以与发射层位于同一层上,并且导电图案可以与第二电极位于同一层上。发光元件还可以包括位于第二电极之上的共电极,并且共电极可以遍及第一像素至第三像素公共地设置。显示装置还可以包括设置在像素限定层上以对应于非发射区域的辅助电极,辅助电极被设置成与虚设图案间隔开。辅助电极可以将第二电极与共电极电连接。第一像素、第二像素和第三像素可以发射不同颜色的光。第一像素可以发射红色光,第二像素可以发射绿色光,第三像素可以发射蓝色光,并且第二像素的尺寸可以比第一像素和第三像素中的每个的尺寸小。第二像素可以沿基底的第一方向连续地布置,并且可以在与第一方向交叉的第二方向上每两行重复设置。两个第一像素可以沿第一方向的对角线方向延伸,其中,所述两个第一像素发射红色光并且一个第二像素位于所述两个第一像素之间,并且两个第三像素可以沿第二方向的对角线方向延伸,其中,所述两个第三像素发射蓝色光并且所述一个第二像素位于所述两个第三像素之间。两个第一像素之间的一个第一像素和两个第三像素之间的一个第三像素可以沿第二方向交替地设置以形成一个像素列。虚设图案可以在基底的非发射区域中沿两个第三像素延伸所沿的方向延伸。第一像素、第二像素和第三像素可以具有菱形形状。像素电路区域可以包括位于基底上的至少一个晶体管,所述至少一个晶体管可以电连接到第一电极,并且至少一个晶体管可以包括:半导体层,位于基底上;栅电极,位于半导体层上并且栅极绝缘层位于栅电极与半导体层之间;以及源电极和漏电极,源电极和漏电极中的每个连接到半导体层。根据一个或更多个其它实施例,用于制造显示装置的方法包括:准备基底;在基底上形成第一电极;在第一电极之上形成像素限定层,其中,像素限定层将发射区域与非发射区域区分开并且暴露与发射区域对应的第一电极;在像素限定层上形成牺牲层和光致抗蚀剂层;通过使光致抗蚀剂层图案化来形成具有第一开口的光致抗蚀剂图案,第一开口暴露位于暴露的第一电极之上的牺牲层和位于像素限定层上的牺牲层;通过使用光致抗蚀剂图案作为掩模蚀刻被第一开口暴露的牺牲层来形成具有第二开口的牺牲图案,第二开口暴露发射区域中的第一电极和非发射区域中的像素限定层中的每个;在发射区域中的被第二开口暴露的第一电极上形成发射层;在非发射区域中的被第二开口暴露的像素限定层上形成有机图案;在发射层上形成第二电极;在有机图案上形成导电图案;通过去除牺牲图案和光致抗蚀剂图案暴露第二电极和导电图案;以及在暴露的第二电极和暴露的导电图案之上形成共电极。非发射区域中的光致抗蚀剂图案的第一开口和非发射区域中的牺牲图案的第二开口可以形成沟槽,沟槽用于接收在蚀刻牺牲层中使用的蚀刻剂。沟槽可以具有基于光致抗蚀剂图案的厚度和牺牲图案的厚度之和的深度。牺牲层可以包括氟树脂。发射层和有机图案可以包括相同的材料并且位于同一层中。第二电极和导电图案可以包括相同的材料并且位于同一层中。附图说明对于本领域技术人员而言,通过参照附图详细描述示例性实施例,特征将变得明显,在附图中:图1示出了显示装置的实施例;图2示出了显示装置的像素和驱动单元的实施例;图3示出了像素的实施例;图4示出了显示装置的剖面实施例;图5示出了显示装置的像素和虚设图案的实施例;图6示出了根据一个实施例的沿图5的剖面线I-I’截取的视图;图7A至图7G示出了根据实施例的用于制造显示装置的方法的步骤;图8A示出了当沟槽不在像素的非发射区域中时牺牲图案的部分的图像的示例,图8B示出了当沟槽在像素的非发射区域中时牺牲图案的部分的图像的示例;图9A示出了显示装置的对应于图7D的制造工艺中的像素的实施例,图9B示出了对应于图7E的制造工艺中的像素的实施例,图9C示出了根据实施例的沿图9B的剖面线II-II’截取的视图;图10A示出了对应于图9B的沟槽和虚设图案的实施例,图10B示出了沿图10A的剖面线III-III’截取的视图;图11A示出了对应于图9B的沟槽和虚设图案的另一实施例,图11B示出了沿图11A的剖面线IV-IV’截取的视图;图12示出了图1的显示装置的像素和虚设图案的另一实施例;图13A至图13P示出了根据一个实施例的用于制造第一发光元件至第三发光元件的方法中的步骤;以及图14示出了与沿图5的剖面线I-I’截取的视图对应的显示装置的另一实施例。具体实施方式参照附图描述示例实施例;然而,示例实施例可以以不同的形式来实施,并且不应该被解释为限于在此阐述的实施例。相反,提供这些实施例使得此公开将是彻底的和完整的,并将向本领域技术人员传达示例性实施方式。可以组合实施例(或实施例的部分)以形成另外的实施例。本公开可以应用各种变化和不同形状,因此仅通过具体示例进行详细说明。然而,示例不限于某些形状,而是适用于所有变化以及等同材料和等同替换。为了更好地理解,以放大图的方式示出了所包括的附图。同样的标记始终指示同样的元件。在附图中,为清楚起见,可以夸大某些线、层、组件、元件或特征的厚度。将理解的是,虽然这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此,在不脱离本公开的教导的情况下,下面讨论的“第一”元件也可以被称为“第二”元件。如这里所使用的,除非上下文另外明确地指出,否则单数形式也意图包含复数形式。还将理解的是,当在此说明书中使用术语“包括”和/或“包括”的变型时,说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件,但不排除存在和/或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置,所述显示装置包括:基底,包括显示区域和非显示区域;第一像素、第二像素和第三像素,位于所述显示区域中,所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素中的每个具有光从其发射的发射区域;发光元件,位于所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素中的每个的所述发射区域中;像素电路区域,位于所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素中的每个中,以驱动所述发光元件;虚设图案,位于除所述发射区域之外的非发射区域中,所述虚设图案沿所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素之中的一个像素的延伸方向延伸;以及薄膜封装层,覆盖所述虚设图案和所述发光元件。

【技术特征摘要】
2017.12.15 KR 10-2017-01729371.一种显示装置,所述显示装置包括:基底,包括显示区域和非显示区域;第一像素、第二像素和第三像素,位于所述显示区域中,所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素中的每个具有光从其发射的发射区域;发光元件,位于所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素中的每个的所述发射区域中;像素电路区域,位于所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素中的每个中,以驱动所述发光元件;虚设图案,位于除所述发射区域之外的非发射区域中,所述虚设图案沿所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素之中的一个像素的延伸方向延伸;以及薄膜封装层,覆盖所述虚设图案和所述发光元件。2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述虚设图案位于除所述一个像素之外的其它两个像素之间。3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,位于所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素中的每个中的所述发光元件包括:第一电极,电连接到所述像素电路区域;发射层,位于所述第一电极上并且暴露所述第一电极的部分的像素限定层置于所述第一电极与所述发射层之间;以及第二电极,位于所述发射层上。4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述虚设图案包括:有机图案,位于所述像素限定层上以对应于所述非发射区域;以及导电图案,位于所述有机图案上。5.根据权利要求4所述的显示装置,其中:所述有机图案与所述发射层位于同一层中,并且所述导电图案与所述第二电极位于同一层中。6.根据权利要求4所述的显示装置,其中:所述发光元件还包括位于所述第二电极之上的共电极,并且所述共电极遍及所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素公共地设置。7.根据权利要求6所述的显示装置,所述显示装置还包括:辅助电极,设置在所述像素限定层上以对...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔镇百
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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