【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于在处理室中处理微电子衬底的磁悬浮且旋转的卡盘优先权及相关申请本申请要求于2016年11月9日提交的美国临时专利申请第62/419,662号的优先权,其全部内容出于所有目的通过引用并入本文。
本公开涉及用于处理衬底的表面、并且具体地用于从衬底的表面清除残留物、碎屑和其他材料的装置及方法。
技术介绍
随着有源元件日益增加的密度,微电子技术的进步使集成电路(IC)形成在衬底,例如半导体衬底上。通过对衬底上的各种材料的顺序施加、处理和选择性去除来执行IC的形成。并且,在形成期间,衬底的暴露表面需要清洁步骤以周期性地去除工艺残留物和碎屑。已经开发了各种构造以用于在包括干法和湿法清洁技术的半导体衬底处理中从衬底去除特定类别的材料。另外,使用若干不同类型的设备在各种条件下将衬底暴露于清洁化学品。该设备的一个重要方面是在以均匀的方式清洁衬底的同时实现高吞吐量并且使由该设备生成的任何碎屑或颗粒最小化。微电子工业中已知的一个清洁策略使用粒子流从工件表面去除污染物。这种类型的低温处理使用一个或更多个合适的喷嘴来将加压且冷却的流体(其可以是液体和/或气体并且可以包括一些夹带的固体材料)扩展(expand)至低压处理室中。这导致流体生成处理流。该流的能量用于从表面移动(dislodge)并去除污染物。各种类型的这种低温处理流被称为低温气溶胶、低温气溶胶射流、纳米气溶胶粒子、气体喷射簇等。低温清洁工具的良好示例可以是来自美国明尼苏达州,查斯卡的TELFSI公司的商品名在典型的低温处理中,将处理喷雾从至少一个喷嘴分配至处理室中。将微电子衬底形式的工件保持在可旋转且可平移卡盘上。卡盘 ...
【技术保护点】
1.一种用于处理微电子衬底的装置,包括:a)壳体,其被配置成提供处理室,所述微电子衬底在所述处理室中经受处理;b)可旋转卡盘,其被设置在所述处理室内,其中,所述可旋转卡盘被配置成在所述处理的至少一部分期间保持所述微电子衬底,其中,所述卡盘包括第一卡盘部分和第二卡盘部分,其中,所述第二卡盘部分独立于所述第一卡盘部分悬浮和旋转,并且其中,所述第二卡盘部分在所述处理的至少一部分期间保持所述微电子衬底;以及c)磁驱动机构,其以有效引起所述第二卡盘部分相对于所述第一卡盘部分的磁悬浮和旋转的方式被并入所述可旋转且可平移卡盘。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.09 US 62/419,6621.一种用于处理微电子衬底的装置,包括:a)壳体,其被配置成提供处理室,所述微电子衬底在所述处理室中经受处理;b)可旋转卡盘,其被设置在所述处理室内,其中,所述可旋转卡盘被配置成在所述处理的至少一部分期间保持所述微电子衬底,其中,所述卡盘包括第一卡盘部分和第二卡盘部分,其中,所述第二卡盘部分独立于所述第一卡盘部分悬浮和旋转,并且其中,所述第二卡盘部分在所述处理的至少一部分期间保持所述微电子衬底;以及c)磁驱动机构,其以有效引起所述第二卡盘部分相对于所述第一卡盘部分的磁悬浮和旋转的方式被并入所述可旋转且可平移卡盘。2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述磁驱动机构包括耦接至所述第一卡盘部分的定子系统和耦接至所述第二卡盘部分的转子系统,其中,所述定子系统电磁耦合至所述第二卡盘部分。3.根据权利要求1所述的装置,还包括平移机构,所述平移机构以有效沿所述处理室内的路径平移所述卡盘的方式耦接至所述卡盘。4.根据权利要求3所述的装置,其中,所述平移机构包括至少一个可平移杆,所述至少一个可平移杆耦接至所述卡盘以沿平移路径引起卡盘平移,并且其中,当所述平移杆平移以引起卡盘平移时,所述平移杆的连续部分在所述处理的至少一部分期间被设置在所述处理室内。5.根据权利要求3所述的装置,其中,所述平移机构包括导热基座构件,所述导热基座构件以有效使热量从所述磁驱动机构消散的方式耦接至所述第一卡盘部分。6.根据权利要求1所述的装置,还包括流体供应系统和耦接至所述流体供应系统的至少一个喷嘴,其中,所述喷嘴被设置成将来自所述流体供应系统的处理流体分配至所述卡盘上支承的所述微电子衬底上。7.根据权利要求6所述的装置,其中,所述喷嘴被设置成垂直于所述卡盘的表面分配处理流体。8.根据权利要求1所述的装置,其中,所述流体供应系统包括至少一种加压流体。9.根据权利要求8所述的装置,其中,所述至少一种加压流体被加压和冷却。10.根据权利要求9所述的装置,其中,所述至少一种加压流体被冷却至70K至150K范围内的温度。11.根据权利要求3所述的装置,其中,所述平移机构和所述磁驱动机构被配置成使所述卡盘同时旋转和平移。12.根据权利要求6所述的装置,其中,所述流体供应包括加压的气体。13.根据权利要求6所述的装置,其中,所述流体供应包括加压的液体。14.根据权利要求6所述的装置,其中,所述流体供应包括加压和冷却的气体以及加压和冷却的液体。15.根据权利要求1所述的装置,其中,固定至所述卡盘的所述微电子衬底和所述可旋转卡盘中的每一个具有一定占地面积,并且其中,所述微电子衬底的占地面积和所述卡盘的占地面积基本上相同。16.根据权利要求1所述的装置,其中,所述微电子衬底和所述可旋转卡盘中的每一个具有一定占地面积,并且其中,所述卡盘的占地面积比所述微电子衬底的占地面积在面积上大0至15%。17.根据权利要求1所述的装置,还包括并入所述第一卡盘部件的加热器,所述加热器以有效加热保持在所述第二卡盘部分上的所述衬底的方式热耦合至所述第二卡盘部分,并且其中,所述第二卡盘部分独立于所述加热器悬浮和旋转。18.一种用于处理微电子衬底的装置,包括:a)处理室,所述微电子衬底在处理期间位于所述处理室中;b)可旋转卡盘,其被设置在所述真空闭合件内,其中,所述可旋转卡盘被配置成在所述处理的至少一部分期间保持所述微电子衬底,其中,所述卡盘包括第一卡盘部分和第二卡盘部分,其中,所述第二卡盘部分独立于所述第一卡盘部分悬浮和旋转,并且其中,所述第二卡盘部分在所述处理的至少一部分期间保持所述微电子衬底;以及c)磁驱动器,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:威廉·P·尹霍费尔,肖恩·穆尔,伦斯·凡埃尔森,
申请(专利权)人:东京毅力科创FSI公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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