包含环戊二烯基配体的金属配合物制造技术

本发明专利技术提供了含有环戊二烯基配体的金属配合物和使用该金属配合物制备含金属膜的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含环戊二烯基配体的金属配合物
本专利技术涉及含有环戊二烯基配体的金属配合物、该配合物的制备方法和使用该配合物制备含金属薄膜的方法。
技术介绍
各种不同的前驱体被用来形成薄膜，并采用了各种沉积技术。这些技术包含反应溅射、离子辅助沉积、溶胶-凝胶沉积、化学气相沉积(CVD)(也称为金属有机CVD或MOCVD)和原子层沉积(ALD)(也称为原子层外延)。CVD和ALD工艺由于具有组分控制能力强、膜均匀性好、掺杂控制效果好等优点，而得到越来越多的应用。此外，CVD和ALD工艺在与现代微电子器件相关的高度非平面几何上提供了良好的保角步阶覆盖性质。CVD是一种化学工艺，通过该化学工艺，前驱体被用来在衬底表面形成薄膜。在典型的CVD工艺中，前驱体在低压或常压反应室内通过衬底(如晶片)的表面。前驱体在衬底表面反应和/或分解，形成沉积材料薄膜。挥发性副产物通过流过反应室的气流被去除。沉积薄膜的厚度很难控制，因为它依赖于许多参数如温度、压力、气体流量和均匀性、化学耗尽效应和时间的协调。ALD也是一种薄膜沉积方法。它是一种基于表面反应的自限、有序、独特的薄膜生长技术，能够提供精确的厚度控制，并将前驱体提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在结构上和式I相对应的金属配合物：[(R

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.08 US 62/418,9811.一种在结构上和式I相对应的金属配合物：[(R1)nCp]2M1L1(I)其中，M1是钪和钇；每个R1独立地为氢、C1-C5的烷基或甲硅烷基；n为1、2、3、4或5；Cp是环戊二烯基环；及L1选自由NR2R3、N(SiR4R5R6)2、3,5-R7R8-C3HN2、1-(R32)C3H4、1-R33-3-R34-C3H3和R35,R36-C3HO2组成的组；其中，R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地为氢或C1-C5的烷基；且R32、R33、R34、R35和R36各自独立地为烷基或甲硅烷基；其中，当M1是钇且L1是3,5-R7R8-C3HN2时，R1是C1-C5的烷基或甲硅烷基；且其中，当M1是钇且L1是N(SiR4R5R6)2时，n为1、2、3或4。2.如权利要求1所述的金属配合物，其中，每个R1独立地为氢、C1-C4的烷基或甲硅烷基；R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地为氢或C1-C4的烷基；且R32、R33、R34、R35和R36各自独立地为C1-C5的烷基或甲硅烷基。3.如权利要求1或2所述的金属配合物，其中，每个R1独立地为氢、甲基、乙基、丙基或甲硅烷基；R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地为氢、甲基、乙基或丙基；且R32、R33、R34、R35和R36各自独立地为C1-C4的烷基或甲硅烷基。4.如之前的权利要求中任一项所述的金属配合物，其中，每个R1独立地为氢、甲基或乙基；R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地为氢、甲基或乙基；且R32、R33、R34、R35和R36各自独立地为甲基、乙基、丙基或甲硅烷基。5.如之前的权利要求中任一项所述的金属配合物，其中，每个R1为甲基；R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地为氢或甲基；且R32、R33、R34、R35和R36各自为SiMe3。6.如权利要求1所述的金属配合物，其中，每个R1独立地为氢、C1-C4的烷基或甲硅烷基；且L1为NR2R3，其中R2和R3各自独立地为氢或C1-C4的烷基。7.如权利要求6所述的所述的金属配合物，其中，每个R1独立地为氢、甲基、乙基、丙基或甲硅烷基；且R2和R3各自独立地为氢、甲基、乙基、或丙基。8.如权利要求6或7所述的金属配合物，其中，每个R1独立地为氢、甲基或乙基；且R2和R3各自独立地为氢、甲基或乙基。9.如权利要求6至8中任一项所述的金属配合物，其中，每个R1为甲基；且R2和R3各自独立地为氢、甲基或乙基。10.如权利要求1所述的金属配合物，其中，每个R1独立地为氢、C1-C4的烷基或甲硅烷基；且L1为N(SiR4R5R6)2，其中，R4、R5和R6各自独立地为氢或C1-C4的烷基。11.如权利要求10所述的金属配合物，其中，每个R1独立地为氢、甲基、乙基、丙基或甲硅烷基；且R4、R5和R6各自独立地为氢、甲基、乙基或丙基。12.如权利要求10或11所述的金属配合物，其中，每个R1独立地为氢、甲基或乙基；且R4、R5和R6各自独立地为氢、甲基或乙基。13.如权利要求10至12中任一项所述的金属配合物，其中，每个R1为甲基；且R4、R5和R6各自独立地为氢、甲基或乙基。14.如权利要求1所述的金属配合物，其中，每个R1独立地为氢、C1-C4的烷基或甲硅烷基，且L1为3,5-R7R8-C3HN2，其中R7和R8各自独立地为氢或C1-C5的烷基。15.如权利要求14所述的金属配合物，其中，每个R1独立地为氢、甲基、乙基、丙基或甲硅烷基。16.如权利要求14或15所述的金属配合物，其中，每个R1独立地为氢、甲基或乙基。17.如权利要求14至16中任一项所述的金属配合物，其中，每个R1为甲基。18.如权利要求1所述的金属配合物，其中，每个R1独立地为氢、C1-C4的烷基或甲硅烷基；且L1为1-(R32)C3H4，其中R32为C1-C5的烷基或甲硅烷基。19.如权利要求18所述的金属配合物，其中，每个R1独立地为氢、甲基、乙基或甲硅烷基；且R32为甲基、乙基或甲硅烷基。20.如权利要求1所述的金属配合物，其中，每个R1独立地为氢、C1-C4的烷基或甲硅烷基；且L1为1-(SiMe3)C3H4。21.如权利要求1所述的金属配合物，其中，每个R1独立地为氢、C1-C4的烷基或甲硅烷基；且L1为1-R33-3-R34-C3H3，其中R33和R34各自独立地为C1-C5的烷基或甲硅烷基。22.如权利要求21所述的金属配合物，其中，每个R1独立地为氢、甲基或乙基；且R33和R34各自独立地为甲基、乙基或甲硅烷基。23.如权利要求1所述的金属配合物，其中，每个R1独立地为氢、C1-C4的烷基或甲硅烷基；且L1为1,3-双(SiMe3)2C3H3。24.如权利要求1所述的金属配合物，其中，所述配合物为：Sc(MeCp)2[1-(SiMe3)C3H4]；Sc(MeCp)2[1,3-双(SiMe3)2C3H3]；Sc(MeCp)2[N(SiMe3)2]；和Sc(MeCp)2(3,5-Me2-C3HN2)。25.一种在结构上和式II相对应的金属配合物：[((R9)nCp)2M2L2]2(II)其中，M2是钪和钇；每个R9独立地为氢或C1-C5的烷基；n为1、2、3、4或5；Cp是环戊二烯基环；及L2选自由Cl、F、Br、I和3,5-R10R11-C3HN2组成的组；其中，R10和R11各自独立地为氢或C1-C5的烷基；其中，当M2为钪且L2为Cl时，R9为C1-C5的烷基。26.如权利要求25所述的金属配合物，其中，每个R9独立地为C1-C5的烷基。27.如权利要求25或26所述的金属配合物，其中，每个R9独立地为氢或C1-C4的烷基。28.如权利要求25至27中任一项所述的金属配合物，其中，每个R9独立地为氢、甲基、乙基或丙基。29.如权利要求25至28中任一项所述的金属配合物，其中，每个R9独立地为氢、甲基或乙基。30.如权利要求25至29中任一项所述的金属配合物，其中，每个R9为甲基。31.如权利要求25所述的金属配合物，其中，M2为钪且每个R9独立地为C1-C4的烷基。32.如权利要求31所述的金属配合物，其中，L2为Cl且每个R9独立地为甲基、乙基或丙基。33.如权利要求32所述的金属配合物，其中，每个R9独立地为甲基或乙基。34.如权利要求25所述的金属配合物，其中，M2为钇且每个R9独立地为C1-C4的烷基。...

【专利技术属性】
技术研发人员：房铭，乔比·艾尔多，查尔斯·德泽拉，丹尼尔·莫塞尔，拉维·坎乔利亚，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE